杂质和缺陷相关论文
本文利用深能级瞬态谱DLTS技术,对器件的失效批理作了分析探讨。指出用DLTS技术,不必将失效器件启封,就可以区别是属于体内失效还......
TI与TTI的差值是表征金刚石稳定性的重要指标。本文在实验的基础上研究了影响金刚石TI与TTI差值的因素。结果表明，金刚石单晶内杂质......
本文利用电子束诱生电流(EBIC)对定向凝固生长铸造多晶硅中缺陷的电学性能进行了分析.EBIC结果显示铸造多晶硅中晶界和位错的复合......
重点研究了激光造成的膜层轻微损伤的微观结构和光学性质,分析了膜层表面质量、激光强度和照射次数对膜层表面变化的影响,以此为依......
1、产品及其简介rn公司立足自主创新,攻克了12英寸硅单晶生长的热场设计和安全、杂质和缺陷的控制、硅片几何参数的精密控制、表面......
立方氮化硼（cubic boron nitride, cBN）晶体，是一种人工合成的III-V族半导体材料，目前，人们还没有发现天然存在的cBN晶体。研究表明，cBN......
对多批不同束源的LEC SI-GaAs进行了15K及变温、变激发光强的光致发光PL测量,并对不同PL峰值能量下PL强度随样品位置的变化进行了......
摘要阐述了铸造多晶硅中几类重要杂质及铸造多晶硅晶粒组织中的缺陷．杂质和缺陷的存在，不同程度的降低了多晶硅电池的光电转化效率。......
