【摘 要】
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本文研究了GaAs低温气相外延过程和评价了外延层的质量。对低温外延时的表面形貌,生长速率,剩余杂质浓度,电子迁移率,深能级杂质和纵向浓度分布进行了讨论,并与高温外延进行
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本文研究了GaAs低温气相外延过程和评价了外延层的质量。对低温外延时的表面形貌,生长速率,剩余杂质浓度,电子迁移率,深能级杂质和纵向浓度分布进行了讨论,并与高温外延进行了比较。结果表明,低温外延是制备较高质量外延层的一种可取方法。
In this paper, the low-temperature vapor phase epitaxy of GaAs and the evaluation of the quality of the epitaxial layer have been studied. The surface morphology, growth rate, residual impurity concentration, electron mobility, deep level impurity and longitudinal concentration distribution during low temperature epitaxy are discussed and compared with the high temperature epitaxy. The results show that low temperature epitaxy is a preferable method for preparing higher quality epitaxial layers.
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