Ⅱ-Ⅵ族半导体相关论文
一维半导体纳米结构具有独特的光电特性，在纳米光电探测领域具有重要的应用前景。其优点包括(i)纳米尺寸，适合器件小型化并具有纳米......
目前世界范围都在积极研究发射蓝绿光的半导体激光器制作。短波长激光的高效产生引发了众多引人注目的应用，如光数据存储、印刷技术......
本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性;给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并......
宽带Ⅱ－Ⅵ族半导体材料中，铍（Ｂｅ）的硫属化物如ＢｅＴｅ、ＢｅＳｅ 和ＢｅＳ与ＺｎＳｅ、ＺｎＳ和ＺｎＴｅ等相比，有较强的共价键性（晶格硬度增大）和大的堆垛层错能，而且与ＧａＡｓ 有好的晶格匹配。......
ZnO是一种性能优异的“低温蓝光工程”宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,但因本征施主缺陷和施主杂质引起的自补偿效应等使ZnO很难有效地实......
第4届全国分子束外延学术会议暨国际研讨会于1997年9月15日至18日在无锡市举行。与会代表90余人。会中有大会邀请报告17篇,分组报......
叙述上海半导体材料在科研、生产方面取得的重大进展，着重介绍单晶硅、多晶硅，以及Ⅲ－Ⅴ族，Ⅱ－Ⅵ族为代表的化合物半导体材料近年来在科......
采用热蒸发法在不同的条件下制备出了阵列状和铅笔状的一维纳米ZnO。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、场发射测试仪、光致发光谱对......
作者采用Zn+Cd粉,制得了大量阵列Cd掺杂ZnO纳米梳子。这些纳米梳子通过X-射线衍射仪(XRD)、X-射线光电子能谱仪(XPS)、透射电子显......
一、前言气象卫星用红外照相机的探测部分,要求波长峰值灵敏度在10微米左右,而且响应时间要快。Ⅱ-Ⅵ族半导体合金CdHgTe可以较好......
自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁,从而将磁器件与微电子器件联系起来,而半导体自旋电子学是在自旋电子学基础上发展起来的一......
评论了Ⅱ-Ⅵ族半导体HgCdTe的化学束-气源外延生长系统的设计和研制,介绍了生长HgCdTe外延层和气体源掺碘CdTe外延层的最新结果,这......
低温光致发光微计算机测试系统(PL-PC)是应用IBM-PC微计算机和先进的具有软件的数据采集系统(Keithley DAS Series 500)等配接到低......
近年来，一维纳米材料及其有序阵列由于其新颖的物理、化学性质以及在许多领域所展示的潜在的应用前景，已成为当今纳米材料的前沿和研......
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米微晶以其新颖的物化特性以及在紫外和蓝色发光及激光器件等方面的潜在应用前景而成为纳米技术研究的热点，对其进......
该文系统研究了边缘元及其应用.提出了构造边缘元空间的两条准则.给出了一种系统构造三角形边缘元空间的新方法.构造了两种新型的......
本工作主要是采用多步离子交换法在层状硅酸盐Magadiite、Octosilicate以及δ-Na2Si2O5主体材料中形成ZnS、ZnO、CdS以及三元Zn1-x......
低维Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料由于其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件和生物医药领域中的潜在应用价值成为当今纳米技术......
在衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物薄膜DD251-153-A在碲熔融液中的衬底上生长电致发光或阴极射线发光器件的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料发光......
采用分子束外延方法生长了ZnSe-ZnTe应变层超晶格。采用光致发光方法对ZnSe-ZnTe应变层超晶格的光学特性进行了评价,发光颜色为由......
Atheoretical basis of optimally designed BRAQWET is presented.The optimum parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQWET are obtaine......
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍.取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地......
考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子......
以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点, 利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点......
用显微光致发光（u-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT）晶片进行了研究。分别在19um×16um的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm......
本文用三维边缘元方法分析了电导率为张量的有间隙Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的散射特性，给出了散射参数与半导体特性参数之间的关系曲线并了......
纳米硒化物作为一类重要的半导体纳米材料,在生物标记,太阳能电池,激光器等领域有着广泛的应用。本文综述了硒化物半导体纳米材料......
介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,并通过选择性沉淀可以得到单分散的半导体量子点;介绍了TEM,XRD,UV-Vis吸收谱......
醯间像势对双势垒共振隧穿系统电流－电压特性的影响作了系统的分析探讨，并在考虑和不考虑像势影响的两种情况下对该特性作了计算比较......
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ZnO及其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料由于其优异的性能而在光电、压电、热电、铁电等诸多领域被广泛应用。自上世纪90年代ZnO薄膜在室温下......
采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外光谱仪、I-V测试仪等......
硒化镉（CdSe）是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,......
光电探测器是一种能够将入射光信号转换成电信号的光电子元器件,作为我们日常使用的许多光电子器件中的一个重要组成部分,光电探测......
核科学与核技术的发展为人类社会带来了巨大利益。当今世界无论在军事还是核能工业,甚至在工业和医学中放射性材料的使用也非常广......
近年来 ,固体激光器取得了重要的进展及许多新的激光晶体材料 ,并且器件水平也不断提高。特别是出现了过渡金属离子掺杂的 - 族......
本文围绕制备大面积一维纳米半导体材料阵列这一主题,利用水热法和层层沉积法制备了一系列大面积生长的有序阵列,并研究了它们的场......
研究了用分子束外延设备在GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流......
相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的......
