光致发光谱相关论文
采用常压化学气相沉积（APCVD）法在SiO2/Si（300 nm）衬底上制备最大尺寸为74.22μm的多层二硫化钨（WS2）薄膜，并在蓝宝石衬底上合成边缘清晰......
在油酸存在条件下,以乙酸镉和硫代乙醇酸作为反应前驱物,通过简单的溶剂热方法合成子弹头状的纤锌矿硫化镉纳米晶体,粒子长约为100......
Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜电池是近年光伏领域的研究热点，具有原材料丰富，环境友好，低成本高效率等优点，被认为是最具发展前景的太阳能电池......
作为GaN基发光二极管和激光器的核心区域,InGaN/GaN多量子阱的发光性能一直是研究的焦点。事实上,尽管InGaN材料本身拥有较高的缺......
利用能量为2.5MeV的电子束沿生长方向(0001)对GaN/Al2O3异质结外延层进行电子辐照,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。辐照......
近些年,InAs/GaSb II型超晶格材料很多方面的性质已经得到研究,本文中,我们利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的方法在GaSb衬底上......
采用热蒸发、光刻及刻蚀的方法制备光学微盘共振器阵列。该微盘共振器由嵌埋尺寸可控且均匀分布的硅纳米晶的SiO2薄膜组成,硅纳米......
本文以二乙基锌和氧气分别作为锌源和氧源,采用低压MOCVD生长系统,通过改变气流输运方式,并辅以衬底托盘高速旋转以减小预反应的办......
本文采用我们自行设计组装具有自主知识产权的等离子体辅助MOCVD系统,以DEZn和O为生长源,在外延的GaN/AlO薄膜上生长出高质量的ZnO......
用扩展电阻、二次离子质谱和光致发光等方法,测量了SIMOX样品的结构、电特性和杂质分布.研制了注氧和退火过程中对顶层硅层的沾污......
采用气相掺N，掺Zn过补偿液相外延工艺，以H为载气和保护气氛生长H为载气和保护气氛生长GaP:N时，当H中O和HO的含量过高时，外延片的光致发......
多孔阳极氧化铝膜是铝是在酸性电解液中经阳极氧化而得到的一种独特的多孔结构，其孔成纳米级且高度有序。近年来人们普遍利用多孔阳......
采用高温熔融法，经过两步退火热处理，在钠硼铝硅酸盐玻璃基底中成功合成了晶粒尺寸为3.63~4.33 nm、掺杂体积分数为2%的PbSe 量子点......
研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同......
报道了射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd2Sn_4(简称CTO)薄膜在0.2～6.0 μm波长范围内的透射和反射谱及其光致发光谱的测量结果,并......
采用简化的种子层制备工艺在ITO基底上制备了ZnO种子层，并使用化学溶液沉积法制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列。采用XRD和SEM对ZnO纳......
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同......
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一个绿热水的方法为 nanocrystalline ZnO2 的合成被建议，用 Zn5 (CO3 ) 2 (哦) 6 粉末和 6 vol% 是的 H2O2 水的答案开始的材料。......
<正>多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处......
通过傅里叶变换红外光谱、拉曼光谱和光致发光谱测试手段分析了由HIRFL提供的高能238U离子辐照AlN晶体薄膜的光学特性变化。辐照后......
通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果;而光致发光谱......
以Pb(NO3)2,Na(S2CNEt2)·3H2O为反应物,在去离子水中合成含硫金属有机配合物Pb(S2CNEt2)2.氩气保护下,在油酸和十八烯混合溶液中......
采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进......
本文介绍了用电化学腐蚀的阳极氧化工艺，在硅衬底上制备多孔硅（ＰＳ）薄膜，实验测定了多孔硅薄膜的光致发光谱（ＰＬ），发现光致发光谱峰值波长随阳极......
本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的......
对三种不同生长条件、不同质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究．在低迁移率的样品中，界面粗糙度对二维电子气的散射起主......
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓......
本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子......
报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发......
测量了ＺｎＳｅ，Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金和ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格的１０～３００Ｋ 的变温光致发光谱．发现ＺｎＳｅ 的带隙在１０Ｋ 时比Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 合金的带隙小，而在３００Ｋ 时比合金的带隙大．预计ＺｎＳｅ／Ｚｎ０．８４Ｍｎ０．１６Ｓｅ 超晶格中在１３０Ｋ 附近会发生势......
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型......
研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系．在低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构．随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，谱线半宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移（５２ｍｅＶ），同时强度减小了两个数量级......
本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的......
我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2......
研究了有机发光材料在Ｆ－Ｐ微腔中的发光特性．有机光学微腔以多层介质膜和金属铝（Ａｌ）分别作为反射镜，８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ）为发光材料．在微腔的光致发光谱......
我们用光加热低压金属有机物化学气相淀积方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功地外延生长出高质量的纤锌矿结构ＧａＮ．生长温度约９５０℃，比普通射频加热的ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长温......
用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发......
利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构．下层ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生......
本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜，并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层......
研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P(x =0 .2 9)合金的PL谱的温度依赖关系 ,在变温约为 17～ 2 30K范围......
利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显......
采用金属有机化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、原子力显微镜和室温光致发光......
