声子散射相关论文
SiC陶瓷具有优异的力学性能、热学性能、抗热震性能、抗化学侵蚀性能和抗氧化性能，是热交换器设备的常用基体材料。由于原料、成型......
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热电材料是一种可以实现热能和电能的相互转换的能源半导体材料,在节能减排、固态制冷、温控等领域具有重要的应用前景。SnTe化合......
随着材料制备技术的快速发展,器件的高集成及尺度小型化已成为了一个普遍的发展趋势。低维材料随着维度的降低,展现出了许多新颖的......
介绍一种利用分子动力学，从原子尺度模拟点缺陷对晶格振动行为的方法。清楚示出目前试验无法展现的点缺陷影响声子散射的演化过程。......
本文利用类Kondo效应及推广的Ziman理论对非晶态FeB、FeBSiC、FeCoBSi、FeCoBSiCP电阻率随温度的变化(4.2～800K)进行了讨论。在低温......
研究了在薄碳膜上的电子-声子的相应反应。声波在薄碳膜中传播时有一个很小的声速和很小的衰减。与声波有关的电子-声子散射是引起......
利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材......
采用自助熔融法制备了高质量的In掺杂Bi_2Se_3(Bi_(2-x)In_xSe_3)单晶样品。研究了In掺杂对Bi_2Se_3样品的晶体结构、微观形貌及电......
研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加，对实验......
本文采用ｆｓ脉冲饱和吸收光谱技术研究了室温下Ｓｉ掺杂ＧａＡｓ在电子激发态处于费密面附近时重空穴的超快弛豫特性．测量到重空穴的热化时间约为３００ｆｓ，与......
在室温下测试了 Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～ 3.1% )混晶的喇曼散射谱 .在一级喇曼散射谱中观测到了 Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁......
通过蒙特卡洛方法研究了基于共振声子散射的太赫兹量子级联激光器中杂质散射对激光器性能的影响.使用单子带静态屏蔽模型来处理电......
采用优化的多体展开势能函数研究面心立方(FCC)晶体铅的动力学和表面性质。在(q00),(qq0)及(qqq)高对称方向,计算声子散射频率与实......
本文系统研究了厚度约1μm的Al掺ZnO(AZO)薄膜的低温电子散射机制.研究发现,薄膜在较高温区的电阻温度系数为正值,且载流子浓度在2......
采用晶体结构预测软件CALYPSO,成功提出了一种类蓝丝黛尔石结构的正交B2CO相(oP8-B2CO),oP8-B2CO是由强的sp3杂化B-C和B-O共价键组......
随着微电子技术的日益发展,器件的尺寸越来越接近其物理极限,使得短沟道效应也不可忽略。FinFET作为一种多栅器件,可以很好地抑制......
热电材料是一类可以将电能和热能进行相互转换的特殊功能材料,可以缓解目前日益严重的能源危机和环境污染问题,但热电器件的转换效......
微纳米薄膜结构是微尺度器件、微尺度接触式热测量系统常见的典型结构。在多层纳米薄膜结构内部的热输运过程中,界面热阻对热输运......
随着电子器件向小型化、高度集成化和多功能化方向快速发展,它的热量消散问题正面临着严峻的挑战。如何对其产生的热量进行有效的......
用四端引线法测量了4.2K到室温的非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(18)Si_(9.5)B_(12.5)(x=0—1.0)合金的电阻率。结果表明,x=0—1.0的所有样......
日本产业技术综合研究所三上祐史采用机械合金化法制造Fe2VAl合金粉末,用通电烧结法制出烧结体,其热导率降低到18W/mK,约为电弧冶......
Masashi Mikami等人采用球磨法和脉冲电流烧结的粉末冶金工艺,借助烧结时CrSi和WSi_2亚微级细粉的固相反应,得到富Cr六面体相和富W......
霍尔系数和直流电导率是固体薄膜的主要电特性参数．我们测量了Ｐ－型Ｐｂ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的霍尔系数和直流电导率，实验表明其禁带宽度和电子迁移率随镉组......
自从电弧法制备C_(60)及C_(70)的方法建立以来,C_(60)的粉末衍射及波谱测定已经完成。但由于难以制备长程有序的C_(60)单晶,人们......
研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于......
从声子散射模型出发,用拉普拉斯变换法得到三层一维非金属薄膜在简谐温度边界条件下温度响应的解。通过算例分析,讨论了在微尺度条......
本工作根据极性半导体的载流子散射机构的基本模型,计算出杂质浓度和迁移率的关系,分析了模型的实验基础,认为在55°K下由载流子的......
在77—400K温度范围内测量了Ⅲ—V族合金InP和In_(1-x)Ga_(?)AsyP_(1-y)的电子霍尔迁移率.利用迁移率公式,分析了两种材料的散射机......
用Vah der Pauw法在77～300K温度范围内测试了n-ZnS_xSe_(1-x)(x=0.15)单晶的霍尔迁移率,共最大值为2150cm~2/V·s迁移率随温度变化......
通过真空熔炼、球磨制粉、冷压成形和常压烧结制备具有高热电优值的p型SnxBi0.5-xSb1.5Te3热电材料.研究了Sn含量对SnxBi0.5-xSb1.......
采用分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了高迁移率的InSb薄膜,样品的厚度在0.9～1.1 μ m之间,通过优化薄膜生长的参数......
纤锌矿AlGaN/GaN 单异质结构是GaN 基高迁移率晶体管(HEMT)的基本结构,此类体系中的强自发极化和压电极化效应在界面处诱生的高浓......
本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度......
本文提出基于GaN量子阱材料的中远红外量子级联激光器,与现有的基于GaAs材料的远红外量子级联激光器相比,它能显示出明显的优越性.......
测量了4块不同退火条件处理碲锌镉晶片的显微Raman光谱,观察到了与碲锌镉材料及材料中Te沉积晶格振动相对应的Raman散射峰,发现了......
采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了３ＣＳｉＣ材料中电子的静态输运特性．在细致分析材料的能带结构和主要散射机构，建立了适于统计模拟的物理模型的基础上，采用自......
当器件小到一定尺度时,实验测温方法将无法反映其微尺度传热机理,现代计算机的迅速发展使数值模拟技术成为研究此类器件微观导热机......
声子，即量子化的晶格振动，是热量传导的一种重要载体。关于这种准粒子的研究对了解材料的包括热学性质在内的许多物理性质有很大的帮......
本论文系统研究了TiCoSb基half-Heusler化合物的制备，以及n型、p型掺杂和等电子合金对TiCoSb化合物中高温热电性能的影响，并用“......
热电发电是利用半导体材料的塞贝克效应将热能和电能进行直接转换的技术。热电转换效率主要取决于材料的无量纲性能指数ZT=S2σT/K......
