热载流子相关论文
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响，对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明，在SiGe HBT器件......
以40nm-n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）为研究载体,探索了其总剂量效应与热载流子效应之间的耦合机制。分别对试验载体进......
厚度低至原子层的金属薄膜具有优越的光吸收能力和导电特性,尤其是在金属薄膜和介质界面激发的表面等离激元,可以很好地捕获光子并......
表面等离激元是金属与介质界面上自由电荷的集体相干振荡。表面等离激元共振可实现纳米尺度下的光场限域和光场调控,是实现突破光......
在微电子和集成电路领域,硅基半导体器件伴随着材料和器件的物理尺寸缩小到纳米尺度,从1960年代后期的微处理器到1970年代初的自动......
基于STI（Shallow Trench Isolation）的LDMOS（Laterally Diffused Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistor）器件由于耐压高......
金属中的自由电子可以通过表面等离激元共振的非辐射驰豫被激发为热载流子。在金属纳米结构与半导体形成的肖特基结构,在金属一侧......
在光电转换过程中,普遍存在快速热化现象,这将影响光电器件的性能。热载流子弛豫时间是影响热化的一个关键因素,因此,研究者通过提......
表面等离激元光催化剂的研究为传统光催化领域注入了新的活力。表面等离激元共振可以通过光热、光化学和光生伏打过程实现太阳能的......
热载流子注入效应是超大规模集成电路的主要失效机理之一,许多超大规模集成电路的失效都与热载流子注入效应有关。本文研究高温环......
本文详细研究了绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件的热载流子退化机理.首先,通过对不同应力条件下器件的热载流子退化趋势和退化量的......
采用电荷泵技术研究MOS器件与热载流子注入有关的退化开始于20世纪80年代,该技术是利用衬底电流表征沟道漏端由碰撞电离引起的载流......
物联网、人工智能、可穿戴设备等新兴领域的发展，对光电传感技术与原位发电技术提出了高灵敏度、高功率、轻质化等要求。针对不同应......
本文研究了薄层SOI场pLDMOS在不同背栅电压应力条件下的阈值和导通电阻退化机理.在高压开关电路应用中,pLDMOS的背栅处于最低电位,......
本论文对深亚微米MOS器件中热载流子效应进行了研究.讨论了交替应力下的热载流子效应对器件退化性能的影响.本文通过实验指出,动态......
研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受......
本文研究了轻掺杂漏（ＬＤＤ）工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量．优化的ＳｉＯ２侧墙ＬＤＤ工艺有效地抑制了短沟道效应．研制成功了......
从基本的玻尔兹曼输运方程出发，推导了非均匀能带结构简并半导体中电子和空穴电流方程的一般形式，着重处理了方程中的载流子温度梯度......
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和......
沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏......
超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｉｎｇ——ＲＴＰ）后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容、ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中作栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可......
利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区．根据多晶硅薄膜的成......
对当前ＭＯＳ器件中应用广泛的两种热载流子效应测试方法及其应用进行了详细论述．还对ＭＯＳ器件的热载流子效应的参数提取进行了讨论
Two kind......
叙述了基于Ｐ型硅半导体中的热载流子效应研制成功的一种单脉冲高功率微波探测器。这种高功率微波探测器具有承受微波功率高（比普通检......
本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探......
本文研究了ＭＯＳ结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中Ｆ离子的引入对击穿电压的影响．结果表明，击穿电压受热电子贯穿方......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应......
光辐射显微技术（LEM）已广泛用于检测各种半导体器件因缺陷氧化层、结漏电。闩锁和其他漏电现象等引起的失效。尽管LEM已被广泛应用，但......
本文介绍一种采用载流子总量方法分析SOIMOSFET器件特性及热载流子效应的数值模型。使用专用模拟程序LADES7联解器件内部二维泊松......
本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可......
本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流......
利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效沟道长度、栅氧厚度、源漏结深、衬底掺杂浓度以及电源电压对深......
本文以电荷泵技术为测量手段，结合数值计算，提出了一种新的测量界面态横向分布的方法．与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引......
对亚微米及深亚微米常规和轻掺杂漏（ＬＤＤ）ＭＯＳＦＥＴ性能进行研究。制作出常规及ＬＤＤ深亚微米ＭＯＳＦＥＴ。数值模拟和实测发现，对于深亚微米常规ＮＭＯＳＦＥＴ，只要设计适当，可在关......
主要讨论了亚微米半导体器件模拟的流体动力学模型方程的建立过程．流体动力学模型由玻尔兹曼传输模型方程的矩推导而来， 对玻尔兹曼......
０１７ ＭＯＳＦＥＴ区柱状焊块引起的器件退化和退火对退化的影响（Ｄｅｖｉｃｅ Ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ Ｄｕｅ ｔｏＳｔｕｄ Ｂｕｍｐｉｎｇ Ａｂｏｖｅ ｔｈｅ ＭＯＳＦＥＴ Ｒｅｇｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅＥｆｆｅｃｔ ｏｆ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｎ ｔｈｅ Ｄｅｇ
017 Device Degradation Due to Random Bumping Above t......
分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件......
本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布......
近年来可靠性技术的发展日新月异 ,在电子工程中所起的作用越来越大。为了及时跟踪国际可靠性领域的最新研究动向、最先进技术和研......
研究了沟长从 0 .5 2 5 μm到 1.0 2 5 μm9nm厚的 P- MOSFETs在关态应力 ( Vgs=0 ,Vds...
对热载流子导致的 SIMOX衬底上的部分耗尽 SOI NMOSFET’s的栅氧化层击穿进行了系统研究 .对三种典型的热载流子应力条件造成的器......
