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该文分析了深亚微米M0S器件热载流子效应研究领域中的几个重要问题。对当前深亚微米MOS器件中的主要热载流子现象以及建模方法进行......

该文对超薄栅氧化层经时击穿(TDDB)击穿机理和可靠性表征方法以及深亚微米MOS器件热载流子效应(HCE)进行了系统研究.主要研究结果......

本文给出了深亚微米MOS器件热载流子效应及可靠性研究与进展.对当前深亚微米MOS器件中的主要热载流子现象以及由其引起的器件性能......

利用 TCAD 仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N 沟道 MOSFET 转移特性的影响.构建了0.18μm N 沟道MOSFET的三维仿......

在WKB近似的理论框架下，提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型。在这个模型中，空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量近......