绝缘栅双极型晶体管相关论文
雷达发射机是雷达装备的核心组件,也是整个雷达装备中最昂贵的部分之一。发射机为雷达装备提供满足要求的射频发射信号,其性能的好......
在MMC实际运行中，IGBT或其驱动器故障会导致子模块直通短路，造成器件损坏，该短路工况对于IGBT的短路保护以及可靠性研究具有重要意义......
大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块是柔性直流输电（HVDC）换流阀的核心部件,其损耗计算对系统的可靠性分析和散热系统设计具有重要意......
绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）模块在高压大功率电能转换领域具有广泛应用，在这些领域人们对IGBT模块......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块以其驱动简单、功率等级高、功耗小、热稳定性好等优点,被广泛应用于光伏发电、航空航天、电动汽车、......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在工业领域应用广泛，但IGBT结温易受工况变化及其所处散热环境影响，散热通道不畅会使IGBT模块处于高温状态，长......
为获得绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在工作过程中准确的功率损耗，基于数学模型及测试，建立了一种准确计算功率逆变器损耗模型的方法。通过......
针对逆变器核心部件绝缘栅双极型晶体管（IGBT）发生老化失效故障时会影响电力系统稳定运行的问题，为减少老化失效造成的损失并及时进行......
为实现高铁牵引整流器中绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）键合线老化程度的状态监测，文中提出一种基于集......
以“L”型热管散热器为研究对象，通过试验对比分析了压合型热管散热器与钎焊型热管散热器传热性能与均温性。在自然散热和走行风冷......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电磁暂态模型的精度与计算效率可直接影响设备和系统的可靠性。为体现该器件的特性及其受到的应力,构建了......
在新能源革命的背景下,功率半导体器件电压等级不断提高。由于现阶段封装设计缺乏系统的理论指导,功率半导体更高的耐压水平使器件......
为了准确预测绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的老化状态，提出了一种基于改进鲸鱼优化算法（IWOA）优化支持向量回归（SVR）的IGBT老化预测方法。该......
控制电路在上电与掉电的过程中存在暂态过程,此时绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动信号容易失控,若主电路支撑电容已完成充电,会导致主......
由温度过高引起的IGBT器件失效率高达55％,提高散热器的散热效率是保证IGBT器件安全可靠运行的基础.通过对IGBT模块水冷散热进行理论......
针对覆铜陶瓷板(DBC)展开设计,以4500V高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为研究对象,提出了一种多物理场耦合下的高压封装设计思路.首......
针对目前在线监测绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温存在的测量误差大以及检测电路复杂的问题,提出了一种基于粒子群优化(PSO)-反向传......
结温Ti是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的重要状态参数.大电流注入结温监测方法只需测量IGBT模块的饱和压降UCE、集电极电流IC,然后根......
开发了一种集成损耗计算和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)实时结温计算一体的实时结温快速算法,可实现城轨实际应用中的快速结温计算评......
大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块广泛应用于电力系统、机车牵引和风力发电等众多领域,其健康状态与可靠运行是电力电子系统关......
多芯片并联压接式绝缘栅双极型晶体管(PP-IGBT)作为模块化多电平换流器(MMC)的核心部件,其可靠性备受关注,多物理场建模是研究其失......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）具有低导通压降、高载流子密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,常......
连铸电磁搅拌专用变频电源在连铸工艺中有助于改善铸坯质量.逆变模组是连铸电磁搅拌专用变频电源的核心部件,验证其IGB T及IGB T驱......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）因其具备高输入阻抗、低导通压降等优点而备受青睐,被广泛应用于交通......
针对ACPL-32JT隔离光耦驱动芯片高集成度所带来的驱动隔离电源输出电压偏差大、不可调的问题,对其实际应用的电路参数进行了修正.......
随着现代电力电子技术的不断发展,功率半导体器件的开关速度和功率等级都在进一步提高,其开关电压尖峰成为功率器件在发展过程中必......
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在应用中存在器件退化问题,分析了采用数据驱动技术实现退化特性参数识别的合理性,并提出了一种基于循环......
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的老化状态和封装结构对IGBT芯片的结温及温度分布产生影响,但传统热网络模型往往会忽视硅胶和外壳对......
相比于硅基绝缘栅双极型晶体管（Si IGBT）,碳化硅基金属-氧化物-场效应晶体管（SiC MOSFET）具有更低的功率损耗、更高的工作温度和更高的......
碳化硅（SiC）作为代表性的第三代宽禁带半导体材料,以其优良的物理化学性质,在大功率、高温、抗辐照等国防和民用领域具有广泛的应用......
绝缘栅双极型晶体管由于具有良好的性能而在新能源发电系统和电动汽车功率变换装置中得到广泛应用,但是IGBT的可靠性和安全性要求......
随着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的发展,目前主流的场截止型结构越来越接近其理论极限.超结被誉为“功率MOS的里程碑”,近年来也......
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)作为电力电子系统的核心器件,广泛应用于新能源发电、轨道机车牵引、......
基于0.4μm标准BCD工艺,设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT).采用Cadence软件设计并搭建电路,在Hspi......
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)受芯片和键丝几何布局的影响,芯片表面产生电流密度的不均匀分布,这......
串联电压换相换流器(series voltage commutation converter,SVCC)是一种可以有效抑制高压直流输电换相失败的新型换流拓扑,但当交......
针对大容量储能变频器的并联绝缘栅双极型晶体管(IGBT)均流问题,首先建立半桥模块功率回路杂散参数与不均流度的数学模型,分析功率......
传统绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块内部集成有PIN结构的Si基二极管作为续流二极管,该二极管开关......
特种车辆的舱室空间狭小且密闭,散热器的水温高,导致IGBT元件的热设计工作具有很大的难度.为解决IGBT元件的热设计问题,以某特种车......
本文简要阐述了如何对大功率IGBT进行开关特性的测试,以优化大功率变流器的功率模组设计,从而提高大功率变流器功率模块的稳定性.......
提出了一种具有局域寿命控制的FS结构IGBT，建立了局部寿命控制区引入后的电流下降过程的瞬态模型，数值分析结果表明：FS-IGBT的基区中......
能效作为电磁灶的一项重要性能参数受国标管控,研究电磁灶能效关键制约因素对提高能效有着重要意义,从分析和实测中可得出电磁灶能......
介绍国际上SiC MOSFETs、SiC IGBT和SiC晶闸管器件的研究和产业化最新进展,将重点介绍本实验室在SiC开关器件方面的研究成果,讨论......
IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板(Direct Bonded Copper简称DBC)是在高温(＞1000℃)、流动(N2+O2)气氛下将厚度0.15mm～0.3mm的铜箔与厚度0......
为了实现大功率IGBT驱动与保护电路的智能化,本文在分析了IGBT开关特性之后,设计了一种大功率IGBT智能化驱动与保护电路.驱动电路......
针对在IGBT串联组件内器件集射极分压不均衡问题。本文研究了一种RCD门极有源均压方法，分析了该方法的均压原理，借助所建立的工作过......
