金属氧化物半导体场效应晶体管相关论文
对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）进行完备的测试表征，包括变温下的静态特性，动态特性测试；对其中一些关键参数的影响......
以40nm-n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）为研究载体,探索了其总剂量效应与热载流子效应之间的耦合机制。分别对试验载体进......
应用于无线充电系统的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)易产生桥臂串扰问题并影响运行可靠性.首先对桥臂串扰的产......
针对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）失效机理的研究,此前主要集中在雪崩失效机理和短路失效机理方面,而对其在极限......
期刊
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的栅极可靠性考核是一项重要的可靠性测试项目,然而现行测试表征均是针对硅（Si）器......
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物半导体以其优异的物理性能成为下一代理想的电力电子材料,但是在GaN电力电子器件全面实现商品化道路上,仍......
介绍国际上SiC MOSFETs、SiC IGBT和SiC晶闸管器件的研究和产业化最新进展,将重点介绍本实验室在SiC开关器件方面的研究成果,讨论......
随着电站安装量逐步扩大，电站质量问题越来越被关注。结合光伏组件典型失效模式，对MOS光伏旁路开关可靠性进行研究。正向导通条件下，M......
本文详细介绍了大连宇宙电子有限公司研发出的一种新型功率型MOSFET产品设计流程以及该产品的功能。......
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体......
为获得两芯片碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)并联半桥模块的优化设计方案,采用Ansoft Q3D Extractor软件对不同......
期刊
电机在汽车电子中的应用越来越广泛,对其控制电路中所用MOSFET的选取也越来越重要.本文结合一款英飞凌MOSFET在电动助力转向控制器......
MOSFET Product Line;Junction MOSFET Technology;Junction MOSFET Application.Registered in 1996,CYG Wayon Circuit Protecti......
为一只 strained-Si metal-oxide-semiconductor 地效果晶体管(MOSFET ) 的次于最低限度的电流的一个分析模型被解决开发二维(2D )......
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)探测器原用于空间系统的辐射测量,近几年才引入到医学领域.由于该探测器具有普通探测设备无......
随着通讯设备的功能越来越强大，内部核心芯片单元在工作电压越来越低的同时因为集成器件的增多功耗也越来越大，当前使用的直流电源模......
随着第三代半导体的逐步商业化,未来替代硅基功率器件已经成为了趋势。SiC MOSFET良好的高温、高压和高开关速度特性成为了取代Si ......
非稳态NMR测量方案具有对脉冲磁场进行高精度、大范围测量的能力。通过测量结果可以为脉冲磁场环境中的科学研究和脉冲磁体的优化......
在未来10nm技术节点及以下，传统CMOS技术在速度、功耗、可靠性等方面受到严峻挑战，如栅极漏电流增加、源漏亚阈值电流增加、栅极可靠......
碳化硅(SiC)是新一代宽禁带半导体材料，具有临界击穿场强大，热导率高等优点，是制造高温高压大功率电力电子器件的理想材料。SiC MOSFE......
学位
随着航天和半导体工艺技术的发展，具有高性能和低功耗的纳米电子器件在空间环境的应用受到了重视和广泛关注。由于工作电压未随着栅......
目前，随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件得到越来越广泛的应用，工作环境也越来越复杂。硅基器件（如MOSFET、IGBT等）由于其材料......
学位
作为第三代半导体材料的碳化硅（SiC）具有比传统的硅材料更宽的禁带宽度、更高的热导率和更强的临界击穿电场，因而在大功率开关和电力......
随着半导体工艺技术的发展，集成电路的工艺节点不断减小。先进纳米工艺下，复杂的工艺制造过程导致晶体管性能不稳定甚至异常。晶体管......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅......
研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场......
目的探索和评估自行开发研制的新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)探测器在体实时剂量测量中的应用特性。方法分别使用医科......
SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异......
富士公司最近研发的单沟道降压变换器用IC，装有耗电小、外部元件数少的高耐压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。由于高输入......
This work researched the impact of total dose irradiation on the threshold voltage of N-type metal oxide semiconductor f......
分析了一种利用两个金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）串联提高开关器件组整体耐压以满足高输入电压小功率DC／DC应用要求的电路。......
半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管......
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个......
通过引进基态施主能级分裂因素，对SiC基p-MOSFET的反型层电荷模型进行了改进。经计算发现，在考虑到能级分裂后反型层电荷面密度降低，......
随着半导体器件研制及其应用的发展,使得以大功率半导体开关器件作为固态的调制开关,在高压脉冲调制器中的应用越来越多.基于模块......
功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组，适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能......
除了少部分其他应用之外,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率管理系统中几乎都用作开关.这种应用引发了大量的MOSFET技术......
MOS （Matel-Oxide-Semiconductor ）器件阈值电压提取过程中的一些求导运算放大了测量数据中所包含的涨落因素（噪声和测量错误），使阈值电......
Sub-10-nm 体积 n-MOSFET (金属氧化物半导体地效果晶体管) 直接 source-to- 排水管通道水流密度使用 Wentzel- Krammers-Brilloui......
一个简单分析模型被开发了学习量在金者底层 MOSFET (金属氧化物半导体领域效果晶体管)的机械效果( QME )，它在减少通道的高绝缘的......
The solar photovoltaic(PV) module output voltage changes according to the variation of light intensity and temperature. ......
对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F—N热载流子注入损伤实验，研究了MOSFET跨导、粤电压等参数随热载流子注入的退化规律，特别......
在亚50 nm的MOSFET中,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级......
基于BSIMSOI对深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法进行了研究,提出一种借助ISE器件模拟软件进行参数提取的方法。该方法计算量......
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SO......
英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件，诸如PFC（功率因......
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOS．FET。结合了恩智浦在封装技......
推动高能效创新的安森美半导体（ONSemiconductor）推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它们经过设计及优化，提供......
<正> As the channel length of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) scales into thenanometer regi......
