利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区．根据多晶硅薄膜的成......