薄膜沉积相关论文
随着集成电路技术的快速发展,芯片结构更加复杂,尺寸越来越小,对薄膜沉积的性能提出了更高的要求.等离子增强化学气相沉积（PECVD）与C......
期刊
随着技术节点按照摩尔定律持续降低,特征尺寸进一步缩小,后段集成工艺普遍引入低介电介质材料的多层铜互连工艺以降低Rc延迟带来的......
本文采用陶瓷硅作为衬底材料,用RTCVD沉积制备了多晶硅薄膜.对薄膜的SEM表面形貌进行分析表明:薄膜的结构和形貌与沉积温度和衬底......
硅漂移探测器是一种高灵敏度，高分辨率、高计数率的X 射线探测器，该探测器采用侧向耗尽原理，光生载流子在器件内部通过横向漂移进行收......
近年来,以硅通孔(TSV,Through-Sil icon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了......
针对大面积喷淋式电极甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECvD)反应室，本文应用多物理场耦合分析软件CFD-ACE+，建立二维自适应流......
对于ZnO/CIS薄膜太阳电池结构,需要在它们之间夹一层很薄的CdS或CdZnS薄膜(50nm左右)作为过渡层.采用化学水浴法制备CdS或CdZnS薄......
该文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积(UHV-PECVD)复合系统沉积a-SiC:H薄膜及其特性。系统的真空度可达标10Torr以......
本文用Particle-in-cell(PIC)方法建立了双等离子体沉积方法中非均匀金属等离子体运动过程的数值模型,研究了不同模拟时刻金属等离......
本文描述了用金属等离子体浸没离子注入与沉积(MepⅢ&D)技术,在GCr15轴承钢表面制备AlN薄膜.在研究过程中首先对处理工艺参数进行......
采用电弧离子镀工艺在高速钢基体上沉积不同Ti/Nb比率的(TiNbN硬质薄膜。研究表明：(TiNbN膜层主要由(TiNbN的立方面心结构组成，(TiNb......
本文以镁铝尖晶石透明陶瓷为衬底,用RTCVD(Rapid Tnermal Chemical Vapor Deposition)沉积制备了多晶硅薄膜,制备的薄膜均匀致密,......
采用电弧离子镀工艺在高速钢基体上沉积不同Ti/Nb比率的(TiNbN硬质薄膜。研究表明：(TiNbN膜层主要由(TiNbN的立方面心结构组成，(TiNb......
氢化微晶硅薄膜由于在薄膜太阳电池中的应用潜力而受到人们的普遍关注。但是传统的化学气相沉积等方法制各的微晶硅薄膜存在一些不......
通过大量工艺实验,镀制了改变脉冲真空电弧离子源电源参数(主回路电压,脉冲频率)、基片高度以及磁场等工艺参数的样品,选择了一种......
Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃.......
许多研究所制取BSCCO(B Sr Ca Cu氧化物)薄膜已获成功。日本富士通公司宣称用卤化物化学气相沉积法制成了BSCCO单晶薄膜。薄膜沉......
Hydrogenated 微晶质的硅(c-Si : H ) 薄电影被劈啪作响的诱导地联合的血浆助手磁控管(ICPMS ) 在 Ar-H2 煤气的混合物扔。在 c-Si......
本文运用Ｌａｎｓｍｕｉｒ静电探针技术，对真空电弧镀膜过程中，基片鞘层附近区域的电子能量电子密度值及其受基片偏压影响而改变的关系进行了实验测量......
本文建立了一个物理模型，编写了数值程序，模拟了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体流的特性。假定等离子体中的电子服从玻尔兹曼关系，离子在从......
制备高临界电流J_c的高温超导线材与带材是高温超导走向强电应用的重要课题.与Bi系及T1系相比,YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)的不可逆线......
利用高等离子体密度、高电子温度和高离化率的ECR微波等离子体增强二极溅射、磁控溅射反应沉积金属氨化物薄膜。实验结果表明，ECR微......
使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构......
研究了在（１１１）Ｓｉ衬底上沉积５ｎｍＰｔ膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性．结果表明高温短时间退火（６００℃、３ｍｉｎ）有利于形成连续的ＰｔＳｉ膜
The reaction pro......
本文使用电子回旋共振等离子体增强化学沉积方法生长ＧａＮ。利用气体分配器产生一种局域高反应物浓度环境，在此环境下，测量了等离子体的电......
介绍了冷阴极电子源的研究进展和它们在现代微波器件和系统上的应用，并预测它们在这一方面应用的可能发展趋势．
The research progr......
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光......
报道了以TiCl4 和V2 O5为源 ,采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)和溶胶 -凝胶 (sol-gel)技术制备了TiO2 /V2 O5双层薄膜 ,将该薄......
本文研究了阴极靶弧电流大小、阴极靶表面热弧斑运动轨迹的电磁场控制、以及阴极靶脉冲弧沉积对多弧离子镀 Ti N薄膜中 Ti液滴的影......
详细介绍了二元光学元件制作的光刻技术和一些新的制作工艺，包括薄膜沉积法、激光束或电子束直接写入法和准分子激光加工法．针对用于......
为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁......
自铝的工业生产高温电解法发明以来,世界上许多研究者曾试图用电解而不是融熔金属的方法在金属上取得铝薄膜沉积。但某些获得成功......
用热丝法制备了纳米晶硅薄膜．通过Ｒａｍａｎ散射谱及Ｘ射线谱，系统地研究了沉积气压Ｐｇ、高Ｈ２稀释及衬底与钨丝之间距离对沉积速率、纳米硅薄膜的形成......
离子注入是一种用离子束把材料注入到元件的表面以改善其表面性能的工艺,它和电镀、电离镀膜、化学气相沉积等通常的涂层技术有很......
对喷淋式MOCVD反应室内的输运过程及GaN的材料生长进行了二维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变反应腔体几何形状、顶盘入气小......
一、引言近几年来研究成的许多薄膜沉积技术,其新颖之处在于形成薄膜所需的轰击能量上,而轰击能量的大小会影响薄膜的金相结构和......
利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅......
美国应用材料公司宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD(流体化学气相沉积)系统。这是首创的也是唯一的以高质量介电薄膜......
硅基二氧化硅阵列波导光栅是集成化波分复用光网络中的核心器件之一。对其制作工艺的研究对提高器件的性能具有重大意义。提出一种......
利用化学气相沉积法制备ＴｉＯ_２Ｗ薄膜，在光催化下降解苯酚溶液。研究结果表明，薄膜沉积条件与降解速率有关，且用硅片作底物，薄膜为锐态晶型时......
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了......
