脉冲激光沉积法相关论文
随着微电子技术的发展,集成电路的集成度进一步增加,作为其基本单元的晶体管的特征尺寸逐渐减小带来了栅极氧化层漏电流的增大等问......
铁电薄膜具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学等特性,可广泛应用于微电子机械系统、光电子学和集成光学等领域......
随着科学的蓬勃发展、技术的不断革新,以微电子产业、电子信息技术以及科技制造业为首的高科技产业迅猛发展,对其所需要的功能材料......
多铁性材料中同时具有铁电、铁磁、铁弹等两种或两种以上铁有序性,并且多种序参量之间的相互耦合作用而产生新的效应。这类功能材......
应用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基稀磁半导体薄膜,主要研究各试验条件对薄膜结晶效果的影响,通过正交试验确定最佳试验条件为:衬......
YBCO高温超导带材由于具有优异的本征性能，其实用成材技术成为国际上研究的热点。本文利用直流反应溅射在具有双轴织构的NiW合金基......
目前,探测器的研究逐步进入到抗干扰能力更强的日盲紫外探测器时代,单斜结构的β-Ga2O3由于合适的带隙(Eg～4.9eV,对应波长为253 nm)......
近年来,由于纳米尺度材料与纳米薄膜以及常规体材料相比表现出的优异性质,包括纳米线、纳米棒、纳米管等在内的半导体纳米材料越来......
控制单脉冲能量350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出BiTiO薄膜材料.结果发现,SiO基底温度控制在500......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在Si衬底上生长c轴取向LiNbO(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响,并且生长出了安全c轴取向的LN晶......
本文采用阴极电解沉积法制备NiO薄膜电极,并对制备得到的薄膜电极进行了表征,测试了其电化学性能.电化学性能测试表明,首次放电容......
采用脉冲激光沉积法制备了NdSrMnO膜和YBaCuO/SrTiO/NdSrMnO结,研究了NdSrMnO膜的结构和磁输运性能以及YBaCuO/SrTiO/NdSrMnO非均......
为了探测应变对磁性质的影响,在7.5mTorr氧气的压力下,使用脉冲激光沉积技术,不同厚度的LaMnO3薄膜被沉积生长在LaAlO3单晶衬底上.......
采用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上沉积掺镓氧化锌(GZO)透明导电薄膜,使用X射线衍射仪、紫外可见分光光度仪、原子力电子显微镜和霍......
纳米材料是20世纪末期发展起来的新型材料,其以优异的特殊性能得到了广泛关注.纳米材料的制备是纳米科技中的重要领域.本文介绍了......
采用脉冲激光沉积法制备了NdSrMnO膜和YBaCuO/SrTiO/NdSrMnO结,研究了NdSrMnO膜的结构和磁输运性能以及YBaCuO/SrTiO/NdSrMnO非均......
采用脉冲激光沉积法在Si（111) 基片上制备了ZnO 薄膜。利用X 射线衍射、光致发光、扫描电子显微镜等表征技术研究了工作氧压对ZnO ......
采用脉冲激光沉积法在(100)0.7wt%Nb:SrTiO3(NSTO)衬底上制备了La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)/NSTO(100)异质结,仔细研究了原位沉积氧压和......
本文阐述了在利用脉冲激光沉积法生长亚铜基硫族化合物薄膜过程中,所使用的氩气背景气体压力与薄膜化学组分的关系.当氩气压力在~1......
以脉冲激光沉积法沉积制备了立方相负热膨胀ZrW1.5Mo0.5O8薄膜并利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜对其结构组分、表面形貌和......
膜的一维尺寸大大小于其余两维。一般把厚度小于1μm的膜称为薄膜,反之则称为厚膜。由于薄膜材料具有许多优异性能,因此近年来薄膜......
当前,电子信息系统为了实现体积更小、速度更快和功耗更低,正快速向微小型化以及单片集成方向发展,其中的各种有源器件(主要为半导......
综述了近年来纳米氧化锌材料p型掺杂改性的研究现状,介绍了用于p型掺杂的单元素和共掺杂双元素以及所采用的主要掺杂方法,这些方法......
采用脉冲激光沉积法在透明导电(ITO)玻璃衬底上制备(Bi,Er)_2Ti_2O_7介电薄膜。当沉积温度范围控制在500~600℃时,均可获得纯度较......
目前，钴酸锂薄膜和钛酸锂薄膜的制备方法主要有溶胶凝胶法和脉冲激光沉积法，衬底通常为金属片或镀有金属膜层的硅片，如Pt、Si/Pt......
用脉冲激光沉积法(PLD)在掺杂浓度为0.7wt％Nb：SrTiO3单晶基片上沉积了La0.67Ce0.33MnO3薄膜.通过XRD和AFM表征了LCEMO薄膜的相结......
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备出高质量的Sb2 S3薄膜.通过改变沉积时间来调节Sb2 S3薄膜的厚度,进而研究不同Sb2 S3厚度对电池效率......
以热释电材料为灵敏元的热释电红外探测器因其不需要制冷并且能够实现宽波段响应等特点被广泛应用到军事、医疗、工业、航天、科研......
随着大规模集成电路产业不断向小型化发展的趋势,SiO_2作为传统的CMOS结构的栅介质已经不能满足目前的需求。寻找新型铁电材料与硅......
压电材料由于其电能与机械能的相互转换与耦合,广泛应用在压电传感器、驱动器、换能器等领域。近年来,随着微机电系统(MEMS)的应用......
柔性器件因其便携性、形状可变性、人体适用性等诸多优点,已成为国际前沿课题之一。研发柔性器件的关键在于柔性衬底的选择和pn结......
氧化铪基铁电材料具有与CMOS工艺兼容、微型化能力强、禁带宽度大等特点,在促进铁电存储器的发展方面具有重要的作用,而锗具有相对......
在电介质晶体中,晶胞正负电荷中心不重合会导致出现电偶极矩,产生的电极化强度不等于零,因而材料具有自发极化的特性,晶体的这种性......
美国材料研究学会(Materials Research Society,简称MRS)每年举行春秋季两次会议,分别在洛杉矶和波士顿举行。会议主题涉及材料研......
脉冲激光沉积法制备铌酸钾薄膜周翔，王良盛，焦志峰，徐晓菲，王ｘｉｕ（材料科学系）铅酸钾（ＫＮｂＯ３，简称ＫＮ）是一种钙钛矿型氧化物铁电晶体，其铁电性能的品质因数......
近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和......
利用脉冲低能正电子束系统测量了脉冲激光沉积法、磁控溅射法和多源共蒸法制备的高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的低能正电子寿命谱。结果表明。......
2NMllN）41Mbolll2离于注人对Cu二S胄腹的影一肿】/屈晓声…斤功反应菜发沉积的纳米硅一氧化硅薄腹的发光及其氧能材料.一2000,31（5）.......
采用脉冲激光沉积法在Si(10 0 )衬底上制备了Pb(Zr0 .52 Ti0 .4 8)O3 铁电薄膜 ,并用X射线衍射 (XRD) ,扫描电镜 (SEM )对其结构、......
采用脉冲激光沉积技术在不同温度和氧分压下,在(100)Si片和抛光石英片上生长了一系列(200)面择优取向的Nd:LuVO4 薄膜。利用X射线......
本文简单介绍了巨磁电阻效应的基本原理,重点介绍了钙钛矿锰氧化物薄膜的巨磁电阻效应的研究现状,指出了钙钛矿锰氧化物薄膜磁电阻......
采用纯ZrW2O8陶瓷靶材,以脉冲激光沉积法在石英基片上沉积并退火处理后制备了ZrW2O8薄膜。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪和......
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了非晶氮化镓(a-GaN)5 nm超薄膜及300 nm普通薄膜并研究了其场发射性能.实验表明:较之于普通非晶GaN......
采用脉冲激光沉积法在MgO(100)单晶衬底上制备了Ce0.8Gd0.2O2-δ(CGO)系列薄膜,沉积温度与膜厚对CGO/MgO薄膜的微结构及离子电导率......
