激光分子束外延相关论文
复杂氧化物人工异质界面处晶格、轨道、电荷及自旋自由度之间的相互作用会引起二维电子气、超导及磁电耦合等迷人的物理现象及功能......
近年来,双钙钛矿氧化物由于其易于调控的晶格结构与具有多序参量之间的耦合等性质在多铁磁电功能材料领域受到了广泛的研究与关注......
本文利用激光分子束外延技术(L-MBE)在(0001)蓝宝石衬底上沉积了β-Ga2O3薄膜，并分别对薄膜的结构，光学以及光电性能进行了研究.XRD......
利用脉冲激光分子束外延技术(L-MBE)在(0001)蓝宝石衬底上沉积了β-Ga2O3薄膜,XRD分析结果显示,该薄膜具有(-201)取向,反射高能电......
众所周知,改变化学组份,改变原子排列的有序-无序排列,外加压力和磁场,以及温度的变化等等都可以诱发绝缘体(半导体)-金属转变.对......
介绍研制短波半导体激光器的新方法-激光分子束外延(L-MBE)生长ZnO纳米晶薄膜.这种生长于蓝宝石衬底的宽带隙氧化物纳米晶薄膜结构......
YIG作为一种室温铁磁绝缘体，拥有极小的自旋泵浦阻尼因子和矫顽力，已越来越引起人们的关注。近年来，基于YIG的自旋泵浦结构层出不穷，已......
对Mg 含量不同的两种靶材，利用激光分子束外延设备生长了相应的MgZnO 薄膜。透过率曲线测试显示生长的样品出现两个光学吸收边, 这......
利用激光分子束外延（L-MBE）在蓝宝石（1-102）面上自组织外延生长了ZnO量子点。借助反射式高能电子衍射（RHEED）对ZnOl 量子点在蓝宝石（1-102......
本文采用激光分子束外延（L－MBE）的方法在Al2O3(0001) 衬底上生长了沿C轴高度取向一致的ZnO薄膜，并对其光学及结构特性进行了研究。以波......
采用激光分子束外延(LMBE)设备，在六方Al2O3(0001)衬底上制备了TiO2／MgO双层外延薄膜.通过高能电子衍射（RHEED)对薄膜的生长过程原位......
物理学女博士生是什么样子的？上大学的时候,自己会有很多的幻想和憧憬,比如天天穿着实验服穿梭于各个实验室之间,探索着肉眼看不到......
Herein we report the room-temperature epitaxial growth of V2O3 films by laser molecule beam epitaxy. X-ray diffraction p......
据国家自然科学基金委员会1996年7月25日报道,我国科研人员自行设计、加工的我国第一台激光分子束外延设备已在中国科学院物理研......
我国第１台激光分子束外延设备研制成功１９９６年５月下旬，国家自然科学基金委员会信息科学部会同中国科学院王大街院士、吴全德院士等专家，对中......
激光分子束外延及其在原子水平生长ＢａＴｉＯ＿３薄膜中的应用崔大复，王会生，马昆，陈正豪，周岳亮，吕惠宾，李林，杨国桢（中国科学院物理研究所北京１０００８０）原子水平......
激光分子束外延（LaserMBE）集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，不仅可以生长通常......
我国科研人员自行设计、研制的第一台激光分子束外延设备已在中科院物理研究所建成。据了解，目前世界上只有日本、法国等少数几个国......
我国首台激光分子束外延设备和关键技术研究鉴定、验收会简讯由中国科学院物理研究所杨国桢所长主持的科研项目“激光分子束外延设......
薄膜研究是近些年来迅速发展的科学技术领域之一，尤其是原子尺度人工超晶格材料的生长，引起了对凝聚态物理和材料科学研究与应用的极......
采用激光分子束外延法(LMBE)在p型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)y(NiO)1-x-y栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能......
本文采用激光分子束外延法,以TiN为缓冲层在Si(100)衬底上制备立方岩盐矿AlN薄膜,研究了缓冲层厚度对薄膜晶体结构、残余应力和表......
氧化锌(Zinc Oxide,ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV。其激子束缚能为60meV,远高于GaAs半导体材料(～10meV),......
日盲紫外探测技术在日盲紫外通信、导弹预警跟踪、火箭尾焰探测,量子信息、空间探测、高能物理、电晕探测、环境监察和生物医疗等......
强国富民，科技先行，科技发展，教育是根本，科学的未来在青年，科学的基础在中等教育，数理化是根基希望《中学生数理化》杂志为普及科学知识......
近年来，铁电薄膜制备技术的迅速发展使得人工介电超晶格的生长成为现实。简要介绍了有关介电多层膜和人工介电超晶格的制备、结构和......
用激光分子束外延技术生长了BaTiO3 /SrTiO3 超晶格并首次对之采用二次谐波产生的方法进行了研究 .实验表明其结构为类似BaTiO3 的......
新型薄膜材料对当代高新技术起着重要的作用,是国际上科学技术研究的热门学科之一。开展新型薄膜材料的基础研究直接关系到信息技......
较为系统地介绍了一台激光分子束外延的总体结构和关键技术研究 .同时使用该设备和技术 ,实现精确控制原子尺度外延生长 ,获得原子......
用激光分子束外延技术在SrTiO3 (0 0 1)衬底上外延生长了高质量的BaTiO3 薄膜 ,薄膜的生长过程由反射式高能电子衍射仪 (RHEED)原......
透明导电薄膜被广泛应用于平板显示,太阳能电池等发光行业。透明导电薄膜厚度的减少将导电薄膜的用途大为拓展,目前该薄膜的制备仍......
激光分子束外延是近几年才出现的一种高精密新型制膜技术．文章较系统地介绍了我国第一台激光分子束外延设备的计算机控制和反射式高......
包括AlN，BN，GaN和AlGaN在内的Ⅲ-Ⅴ族半导体具有较宽的直接带隙，在紫外光源和探测器方面的有着很好应用前景，同时它们都具有出色的物理......
本论文概述了超晶格广阔的应用前景,并阐述了BaTiO3/SrTiO3超晶格材料的特点与其研究的重要性。在试验过程中,使用激光分子束外延......
由于其与众不同的属性，特别是其巨磁阻(CMR)效应，通式为LaAMnO(其中A是碱土离子，例如Ca，Sr和.Ba)的镧锰氧化物吸引了广泛的注意。这种......
第三代宽禁带半导体材料具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗辐射能力强等特性，在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光......
本文采用激光分子束外延法在Si(100)衬底上制备立方AlN薄膜，系统研究了沉积工艺(主要是衬底温度、激光脉冲能量、N2分压)和TiN缓冲......
本文采用激光分子束外延法，以TiN为缓冲层在si(100)衬底上制备立方岩盐矿AlN薄膜，研究了缓冲层厚度对薄膜晶体结构、残余应力和表面......
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)薄膜太阳能电池是当前的研究热点之一。ZnO/CZTS P-N结是CZTS薄膜太阳能电池的核心,在CZTS和ZnO之间引入......
III-V族半导体立方AlN薄膜以其优异性能成为极具潜力的光电子和微电子器件材料。但是,立方AlN的亚稳特性使得其外延薄膜的质量较差......
随着半导体技术的飞速发展,基于电荷存储的存储器尺寸已接近其物理极限,亟需寻找一种新型存储技术突破此技术瓶颈。忆阻器以其独特......
在该论文工作中,研究人员使用先进的激光分子束外延(Laser MBE)技术生长了BaTiO和SrTiO单晶薄膜以及BaTiO/SrTiO超晶格,并研究了其......
关于钙钛矿氧化物光电特性的研究不仅对更深刻的理解多关联体系的内在物理机制具有重要意义，还有可能在光电探测领域和太阳能电池领......
该论文分为两部分:1)探索激光分子束外延(Laser MBE)技术的生长工艺,并制备原子尺度控制的BaTiO(BTO)和SrTiO(STO)薄膜,BTO/STO超......
