氧化铟锡相关论文
设计并研制出一种基于超材料的宽带微波/红外兼容隐身结构器件，该结构包括基于氧化铟锡（ITO）薄膜制备出的红外隐身层、微波吸收层和微......
以气化In2O3和SnO2粉为原料,在原料体系中按照SnO2为4%（质量分数）、6%、8%和10%的比例分别与In2O3混料,使用模压辅助冷等静压（CIP）成型......
毫米波与太赫兹频段的电磁波具有其他波长不具有的安全性、金属反射特性、非电离特性和非极性物质穿透性等,且其波长相对较短,可以......
近年来,碳材料由于其在催化、载体、储能、吸附等各个领域具有普遍的功能,受到人们的广泛关注。它们的特殊微结构,低密度和可调节......
学位
纳米陶瓷材料是材料领域的研究前沿和热点。陶瓷材料质量轻、高温稳定性好、同时具有极为优秀的机械强度和抗腐蚀性。静电纺丝法可......
TFT-LCD面板内的ITO连接过孔目前只有一些定性的设计规则,缺乏定量计算和设计过孔的方法.本文研究了此类过孔电阻的定量计算方法,......
期刊
本文采用脉冲激光沉积和真空退火的方法在铝箔上制备氧化铟锡（indium tin oxide， ITO）表面增强拉曼散射（surface-enhanced Raman scatt......
以N-甲基吡咯烷酮(NMP)为溶剂,乙酰丙酮铟和乙酰丙酮氯化锡为主要原料,220 ℃下采用溶剂热法制备得到粒径为7～9 nm的氧化铟锡(ITO)......
利用Matlab 编程，通过增加约束条件，优化计算得到ZnO、Si3N4、SiNO1/2 分别替代Nb2O5 膜层的消影膜。研究发现替代后的膜系透过率(大......
本文系统地描述了一系列银-氧化铟锡(Ag-ITO)共溅薄膜的制备和研究,通过调控薄膜中银的含量,获得了微观结构上的同质混合薄膜,此时......
采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并......
氧化铟锡(Indium-Tin Oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发......
The effect of annealing condition on sputtered indium tin oxide (ITO) films on quartz with the thickness of 200 nm is ch......
采用透明聚酰亚胺薄膜作为柔性衬底材料,通过射频磁控溅射法制备了不同氧化铟锡(ITO)厚度的柔性透明导电聚酰亚胺薄膜。对导电聚酰......
通过电子束蒸镀和直流磁控溅射方法分别制备ITO薄膜,分析表面形貌和测试XRD图谱,对比ITO薄膜的成膜性、晶化程度、晶粒尺寸和晶面......
采用一种简单的化学共沉淀法合成了MWCNTs/ITO复合材料.使用XRD、FESEM和TEM对复合材料的组织结构和微观形貌进行了表征,采用同轴......
主要讲述了ITO粉末爆炸压实的实验,实验中发现爆炸压实纳米ITO陶瓷粉末并经烧结处理获得的ITO靶材,其晶粒度比商业靶材小约一个数......
研制了氧化铟锡(ITO)成分分析标准物质.对标准物质的制备技术、均匀性检验、稳定性考察及定值不确定度进行了分析.研制的ITO成分分......
Transient photovoltage and photoluminescence study of exciton dissociation at indium tin oxide/penta
The exciton dissociation at ITO/pentacene interface is studied by means of transient photovoltage measurement.Opposite t......
广州奥翼电子科技股份有限公司与重庆墨希科技有限公司联合,成功研发出了全球首款石墨烯电子纸,并计划在半年内实现石墨烯电子纸的......
近日,日本旭硝子公司开发出厚度薄至100微米、相位差(retardation)更低的聚碳酸酯薄膜“Carbogalss C110C-LR”。凭借独特的技术,......
加州大学洛杉矶分校和 SRI国际公司的研究人员已演示了聚合物溶液的很强电发光 ,溶液以密封池方式封闭在两个玻璃片之间。所做成的......
辛辛那提大学纳米电子实验室一研究组已用氮化镓基发光二极管的一种替代物产生蓝光。这些装置虽然也是以氮化镓为基础 ,但它们不是......
透明导电的氧化铟锡(ITO)薄膜目前已广泛应用于平板显示、太阳能电池、发光二极管、特殊功能窗口涂层及其他光电领域,但是由于其在......
采用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,以此作为AlGaInP红光发光二极管(LED)的电流扩展层。研究了该LED结构中,不同的芯......
根据单量子点的荧光辐射特性高度地依赖于其所处的界面环境，本文通过将CdSe/ZnS单量子点掺杂于N型半导体纳米粒子氧化铟锡(ITO)......
量子点的荧光辐射特性高度地依赖于其所处的界面环境，利用半导体纳米材料的界面环境来改变单量子点的荧光辐射特性对于基于量子......
本项目基于前期开发的液滴喷雾离子源(Droplet Spray Ionization,DSI)[1],采用氧化铟锡(Indium-Tin Oxide,ITO)透明膜导电玻璃......
目前研究人员提出了各种光学天线以线性方式控制辐射图,而较大的非线性效应可以引起天线的折射率的变化,从而改变辐射方向图。通过......
随着5G和大数据等技术的快速发展,传统存储器面临着如高密度集成、特征尺寸匹配等技术瓶颈,因此新型非易失性存储器的研究将扮演重......
随着计算机科学技术的发展,通讯与电子设备的需求呈井喷式增长,其产业链上游即为半导体材料的研发与制备。氧化铟锡,被广泛用于手......
非易失性存储器在电子设备中扮演着重要的角色,而铁电栅介质晶体管由于其非破坏性读出、高速、耐辐射等特性,受到了越来越多的关注......
日本大阪府立产业技术综合研究所最近开发出可遮挡电子仪器发出的电磁波的透明材料，这种新材料是在常温下将氧化铟锡薄膜固定在透明......
日本大阪府立大学研究成功了一种能够大量合成生产螺旋状碳纳米管的新工艺 ,其主要工艺过程如下 :首先在玻璃基板上涂敷一层氧化铟......
采用溶胶-凝胶技术制备氧化铟锡(ITO)纳米粉体,以异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)为原料合成水性聚氨酯(WPU),再以自制的WPU与ITO湿浆采......
利用电化学手段在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面成功制备了Rh纳米粒子,并发现包裹剂、支持电解质以及电化学参数对产物的形貌及尺寸有......
11月1日获悉:柯达公司专业数码相机产品家族又获扩展,增加了解像度高达600万像素的DCS660。柯达DCS660专业数码相机以尼康顶级F5......
柯达DCS660专业数码相机以尼康顶级F5专业相机作基础,装配有柯达最先进的氧化铟锡影像感应器(ITO CCD)。它能有效加强感应器对蓝......
提出了制备氧化铟锡薄膜（ＩＴＯ）的磁控反应溅射镀膜设备的关键部件的设计原则。给出了该设备的调试结果。
The design principle of the ......
在低真空(2.3×10-3Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜。溅射温度200℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90%氧化铟、......
目前,透明导电的氧化铟锡(ITO)薄膜,广泛应用在平板显示、太阳能电池、发光二极管、特殊功能窗口涂层及其他光电领域.但是由于其在......
透明导电的氧化铟锡（ITO）薄膜目前已广泛应用于平板显示、太阳能电池、发光二极管、特殊功能窗口涂层及其他光电领域，但是由于其在价......
神奈川科学技术学院(KAST)、旭硝子玻璃有限公司(AGC)、丰田合成(豊田合成株式会社)以及东京大学联合组成的研究小组,成功开发出具......
