化学汽相沉积相关论文
以直流等离子射流ＣＶＤ法研究了表面预处理工艺和沉积工艺对ＭＣ／Ｃｏ基体上金刚石膜形核行为的影响，结果表明：用金刚石微粉研磨过的基体表面形核密......
采用等离子增强型化学汽相沉积和电子束刻蚀相结合方法制备了直径为1~20μm的GaInAsP/InP跑道型环形谐振腔,采用扫面电镜等方法对......
用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2 隔离层，制备成SOI衬底，用快速化学汽相沉积（RTCVD）法在此衬底上制备硅薄膜，热扩散形成PN 结制备太......
共形光学的应用将提高系统的特点,但是需要非传统的设计、制造、检测以及装配等技术的发展.本文介绍一种化学汽相沉积(CVD)制备ZnS......
该文设计了Ｓｉ（１１１）衬底表面金刚石薄膜成核与生长中可能的反应途径，采用量子化学半经验分子轨道方法计算了该途径中各步反应的能量变化及势......
该文报道了在ＳｉＯ〈，２〉和Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉膜上用ＲＴＣＶＤ法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果，在这两种薄膜上都制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜。发现两者......
采用流态化ＣＶＤ包硅技术制得了表面均匀包覆ＳｉＯ〈，２〉的Ｆｅ〈，３〉Ｏ〈，４〉磁粉。对该包硅Ｆｅ〈，３〉Ｏ〈，４〉磁粉的氧化机理和动力学进行了研究。结果表明，氧化反......
用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH)作硅源,磷烷(PH)作掺杂气体,Au作催化剂,......
用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了锗硅外延层，并利用双晶Ｘ射线衍射仪研究了组分渐变缓冲层对外延层晶体质量的影响。结果表明，缓冲层的组分从衬底到外延......
会议
介绍了用激光化学汽相沉积(LCVD)球面微透镜的技术"首先对激光化学汽相沉积法获得球面微透镜进行了理论分析,并用计算机分析了在......
在光通信飞速发展的今天，全光网络的实现已经不仅仅是梦想。对各种光波导器件的需求量也日益增大。商业化的环境必定会要求光波导器......
报道用射频加热化学气相沉积法制备Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善，ＧｅＳｉ合金层中Ｇｅ的含量Ｘ要满足脊形光波导是单模，光波导的......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
利用热丝化学汽相沉积法生长出优异的金刚石薄膜.研究表明，金刚石的成核依赖于沉积点的尖锐度，薄膜的生长包括晶粒长大和薄膜上的二......
用电子回旋共振等离子体化学汽相沉积 (ECRCVD)法 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上沉积生长出了具有 { 2 2 1}结构特性的连续的结晶态 β ......
化学汽相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称 CVD)是利用某些气体在高温下的固体表面进行化学反应,生成涂层。将一些硬度高、化......
本文以有机低分子化合物和氢气为反应气体,用热解 CVD 法生长出金刚石多晶薄膜。用喇曼散射、X 射线衍射、反射高能电子衍射和电子......
本文介绍了化学汽相沉积(CVD)的基本原理及其工艺特点.列举了 CVD 工艺应用于高温气冷堆(HTGR)燃料颗粒制备、核废物处理及激光聚......
目前制备ITO薄膜方法有蒸发、磁控溅射、反应离子镀、化学汽相沉积、热解喷涂等,本文采讨论用电子束加热蒸镀的方法制备ITO薄膜,并......
该文主要研究合金元素对化学气相沉积钛硼液相浸渍的碳铝复合丝强度的影响，以及对经高温处理后复合丝拉伸强度保留率的影响，实验中采......
在国内，该文首次报道在Si衬底上，采用化学汽相沉积技术生长出直径达30mm的大面积优质3C-SiC单晶薄膜，表面光亮如镜，其（111）面的X射线衍射......
会议
研究了流化床反应器中α－ＦｅＯＯＨ粒子表面脱水与正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）水解反应形成ＳｉＯ〈，２〉包覆层的过程。讨论了反应温度、反应时间、ＴＥＯＳ浓度和氨浓度对ＳｉＯ〈，２〉......
该文设计了Ｓｉ（１１１）衬底表面金刚石薄膜成核与生长中可能的反应途径，采用量子化学半经验分子轨道方法计算了该途径中各步反应的能量变化及势......
研究了电子增强的热丝化学气相沉积法在钨、钼基体材料上制备金刚石薄膜，运用扫描电子显微镜、Ｘ射线衍射仪、激光拉曼光谱分析技术对......
金刚石膜因其优良的热导率和良好的电绝缘性能，为制造先进的半导体热沉创造了极好的条件。Ｐ．Ｇｏｎｏｎ等和Ｂ．Ｆｉｅｇｌ采用不同后续处理工艺对金刚石膜电绝......
Catalytic CVD(简称Cat-CVD)是一种不同于传统化学汽相沉积(CVD)技术的薄膜制备方法,由于具有简便低廉的特点,逐步受到人们重视.此......
近来硅纳米线已引起人们的广泛关注,因为硅纳米线有望在纳米技术中作关键的功能器件和互连线.该文提出一种制备硅纳米线的新方法—......
GaN基Ⅲ族氮化物由于其在从紫外到可见光波段高效光电器件制作中的成功应用而成为半导体材料研究领域的主要前沿课题之一。本文利......
金属氧化物半导体气敏材料及传感技术是本世纪五十年代才发展起来的,其中以SnO最具代表性,对其气敏电学机理和应用的研究开展得比......
报道了在 Ｓｉ Ｏ２ 和 Ｓｉ３ Ｎ４ 膜上用 Ｒ Ｔ Ｃ Ｖ Ｄ 法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果，在这两种薄膜上制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜，发现两者在薄膜的......
采用无毒、不易燃的六甲基二硅胺烷和氢气在硅(001)单晶上用施加负偏压处理和化学汽相沉积(CVD)方法预沉积定向的βSiC.傅里叶红外......
合成了一系列三正丁基膦辅助配体稳定的铜(Ⅰ)β-二酮配合物,对合成的配合物用元素分析、红外、核磁共振以及热重和差热等手段进行......
利用化学汽相沉积原理，使用简单设备制作氧化锡半导体薄膜，并对其在电热领域的应用及工艺条件条件进行了探讨。......
结合形变势理论和价带分裂模型，对硼掺杂Ｐ型金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论。结果表明，金刚石中轻、重空穴有效质量的巨大差异......
本发明属于化学汽相沉积技术，特别是涉及采用热丝法汽相沉积大面积金刚石膜的方法。本发明为了有效地利用真空室，节省电耗及气体，有效......
利用热丝化学汽相沉积法生长出优异的金刚石薄膜，研究表明，金刚石的成核依赖于沉积点的尖锐度，薄膜的生长包括晶粒长大和薄膜上的二次......
