生长技术相关论文
随着激光与红外技术的发展，国内外对红外光谱仪需求越来越广泛，则需要优质大尺寸溴化钾单晶材料。首先，利用XRD和FTTR-8400S傅里叶变......
会议
本研究构建的乳腺特异性表达载体PGN转染Bcap-37细胞后，转染组在mRNA转录水平和蛋白表达水平均显著高于对照组。同时山羊乳腺直接灌......
在天体物理学、先进能源系统、激光惯性约束聚变等研究领域,都需要具有特定空间位置分布(厚度大于10μm)、表面光滑(表面粗糙度小......
半导体材料和结构是光电器件的核心部件.半导体的组分和能隙决定了半导体的光电子学性质,从而决定了所构建的器件的性能或功能.由......
在工作中,常踫到一些养鱼户为鱼苗生长缓慢发愁,有没有让鱼苗快速生长技术呢?笔者在调查中,了解到一些成功的作法。 1.专塘育苗。......
加拿大的研究人员首次制造出了能同时发射1543nm和1571nm双波长激光的InP基量子点自锁模激光器。传统锁模方法需要分成双区器件，一......
铌酸钾锂被认为是目前综合性能指数最高的非线性光学晶体 ,在半导体二极管蓝激光倍频方面有广阔的应用前景。本文综述了用于蓝光倍......
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青岛市科委委托中国科学院海洋所进行了“鲍的强化生长技术研究”,取得了可嘉的成果,1991年12月17日通过了由青岛市科委主持的专......
节能/环保新能源ZZT动能油是采用金属摩擦表面改性技术和金属磨损生长技术等多项高新技术打造的产品。它使润滑剂增添了节能、环保......
ZZT动能油是采用金属摩擦表面改性技术和金属磨损生长技术等多项高新技术打造的产品。它使润滑剂增添了节能、环保和磨损生长技术......
鉴于目前几乎所有治疗骨质疏松症的方法只能防止骨钙进一步丢失的现状,研究人员已开发出一种新的促进新骨生成以替代骨质疏松症患......
作为一种新型的光电材料,有机-无机杂化钙钛矿以其高光吸收系数、长扩散长度、高载流子迁移率等优点为人们所关注.这类材料在太阳......
报道了采用双光束紫外激光辅助有机金属化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术获得氧化锌（ＺｎＯ）薄膜（厚度５０～２００ｎｍ）的电镜研究结果。反射高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）指......
本文利用准分子激光ＣＶＤ技术以液态ＳｎＣｌ４和氧气为源制出了半径４５μｍ的ＳｎＯ２薄膜微透镜及微透镜阵列。并从反应机制和生长规律出发对这一生长技术特点......
通过使用分子束外延（ＭＢＥ）生长技术在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面上加进一足够薄的高掺杂浓度峰（Ｐ＋），可使ＰｔＳｉ肖特基红外探测器的截止波长延伸至长波红外范围。而且通过改......
用分子束外延的方法在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上研制了Ｐ型长波ＨｇＣｄＴｅ材料，及３２×３２小规模长波混成红外焦平面列阵，其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好......
美国Ｉｎｒａｄ公司宣布第一个采用快速生长技术的全尺寸生长的梨形ＫＤＰ晶体，尺寸约为５６ｏｎ。ｘ５０ＣｍＸ５９Ｃｍ，重量为２７０ｋｇ．来自劳伦斯·利佛莫尔国家实验室（ＬＬＮＬ）和Ｉｎｒａｄ公司的联合研究小......
据《学会志》报道，NEC公司采用MOCVD法选择生长技术，研制成简单连续改变振荡波长的半导体激光器。用选择MOCVD法把波导的组成和厚度......
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单......
Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的......
一块270ｋｇ的ＫＤＰ晶体在美国新泽西州Ｉｎｒａｄ公司只需生长54天。公司采用里弗莫尔国家实验室开发的快速生长技术首次全尺寸生长晶体,用于“国家点......
研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,......
研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室 ,扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持 ,......
分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优......
祖母绿是一种优秀的宽带可调谐激光晶体材料,本文使用温差水热法和特殊的培养料分离技术,通过控制籽晶切向和石英-籽晶相互层叠式......
日本名古屋美津大学的一个研究小组演示了用一种新的外延层过生长技术生长的高效率UV—LED,用这种外延层过生长技术可减少蓝宝石......
由中国科学院福建物质结构研究所承担的“优质掺钕钒酸钇激光晶体生长与开发”项目于2003年1月24日通过了福建省科技厅组织的鉴定......
用加速旋转高压釜法生长了α—AlPO_4单晶。同缓慢升温法或其它非旋转水热法相比,该法在提高晶体生长速度和改善晶体透明度方面有......
由西南技术物理所研究成功的无核心无位错(简称“双无”)Nd:YAG 激光晶体,于82年4月通过了兵器工业部组织的鉴定(见本刊1982年第......
介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术。ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能。采......
据《科技日报》2007年5月1日报道,一块月饼大小,硬度仅次于金刚石的灰色的晶体块。这是晶体材料国家重点实验室刚刚出炉的3英寸碳......
对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激......
由于法国的一个研究小组制造出首只Si(110)上氮化物LED,光电子与Si电子集成又向前迈上了另一级台阶。尽管这方面还未被制造Si(100)......
会议由中国原子能农学会和江苏省原子能农学会主持召开的“全国中子低剂量刺激生长技术研讨会”,于1993年9月12～15日在温州市乐清......
今年41岁的徐科看起来比实际年龄小不少,说话时总是笑眯眯的,显得一团和气。也许是身兼中科院苏州纳米所测试分析平台主任和苏州纳......
理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的......
以有机溶剂热生长技术(solvothermal technique),即在180℃乙二胺(en)溶液中,以GaCl_3,InCl_3,Rb_2Te和Te在密闭容器中反应7d,制备......
根据绿色食品的特点和生产要求 ,遵循 A级和 AA级绿色食品栽培的肥料和农药施用准则 ,研究花生绿色食品的栽培技术 ,主要包括选择......
KTH是位于瑞典的皇家科技研究院,近日采用波纹面横向外延过生长(CELOG)方式研制出了由n型InP和p型silicon材料构成的异质结。通常......
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多......
