间接带隙半导体相关论文
采用直流磁控溅射及真空原位退火方法制备半导体CrSi2薄膜,研究了退火工艺和溅射工艺,通过X-射线衍射仪（X-ray diffraction-XRD）和扫......
Si和Ge是间接带隙半导体,它们的发光效率不高.但是,在Ge中引入一定含量的Sn可以使其变成直接带隙,大大提高发光效率.目前,在使用分......
利用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)研究四方相BiOCuS的电子结构、化学键和弹性性质。能带结构显示,BiOCuS为间接带隙......
采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si及金属Al的单层Mo S2的电子结构和光学性质。计......
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属......
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对正交相BaSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算......
根据密度泛函理论,采用平面波赝势和广义梯度方法,研究了闪锌矿结构的GaN晶体在不同压强下的光学性质。结果表明,随着压强的增大,......
使用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对Ca3Si4块体进行了详细的计算研究,得到了金属间化合物Ca3Si4是一种间接带隙半......
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理赝势平面波方法对(100)应变下立方相Ca2P0.25Si0.75的能带结构及光学性质进行了模拟计算。......
几乎所有的电子设备都要依靠硅，但是硅却使电子工业的发展陷入了瓶颈。硅会被淘汰么？也许不会，因为改头换面的“新硅”能够挽救这一老......
通过合金化改性技术,Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体.改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件,极具发展潜力.......
基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势,采用广义梯度近似及Heyd-Scuseria-Ernzerhof 03(HSE03)方法对能带及态密度进行修正......
本文研究了间接带隙半导体ＡｇＢｒ由于空间尺寸的限制产生的吸收、荧光兰移，激子振子强度增强的量子尺寸效应．观察到由自旋－轨道分裂带至导带......
Zn3N2是一种宽带隙半导体材料,在温度高于400°C氧化可生成p型ZnO:N,p型ZnO:N在电子学和光电子学领域有广泛的应用.在NH3-Ar气氛下......
测试了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体在200～700nm波段的透射光谱和反射光谱。结果显示:CGW晶体在可见光区吸收非常小,具有良好的透......
硅微电子技术的发展是20世纪最引入注目的高技术成就之一，但是，当硅微电子技术越来越接近其量子极限时，对开发研制超高速大容量的光电......
