状态密度相关论文
晶体管作为集成电路的最重要的组成部分之一,其性能的提升为微电子技术的发展提供了重要的技术基础。有机晶体管由于其中半导体分......
本文继前文进一步讨论普通金属的物理性质。一、普通金(尸专)λ的计算据[1], 1 λ=1/N(E_(max)) ∝r/V.m~*式中N(E(max))为最外层......
4H-Si C monolithic Darlington transistors with slight current gain drop at high collector current de
...
本文用Ｔ．Ｂ－Ｒｏｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了化合物半导体ＣｄＳｅ和ＺｎＳｅ的状态密度曲线，求出了费米能级和带隙，与实验结果符合得很好
This article uses T. The B-Rocursi......
通过合金化改性技术,Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体.改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件,极具发展潜力.......
自从1982年 Binnig 和 Rohrer 发表了用扫描型隧道效应显微镜(STM)的原子实空间象以来,日本和世界各国对 STM 的研究都在迅速的扩......
大家知道,彩色胶片的密度测定是比较复杂的,使用不同的红、绿、蓝滤色镜,会得到不同的测值。比较通用的红、绿、蓝滤色镜是著名的......
彩色感光材料光谱灵敏度测定的难点是密度测量。应用分析密度如当灰雾度(END)比较复杂,采用积分密度比较简单,但是由于三层感色层......
文中对计算电子结构的集团Ｂｅｔｈｅ晶格方法进行了改进。简化了原子集团的选取方式，提出了求解复数Ｄｙｓｏｎ方程组的矩阵解方法和平均集团Ｂｅｔｈｅ晶格方法。......
在运用变形计算法计算了Ｇａ１－ｘＩｎｘＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阱子能带结构的基础上，综合考虑了子能带耦合效应对价带子能带与跃迁矩阵元的作用及状态密度对增益......
本文用紧束缚方法计算了化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构及CdTe的状态密度.计算中采用了每原子四个s-p指数衰减轨道为基函......
采用集团模型和半经验的EHT方法研究Ce原子在Si(111)顶位和三度位吸附,由体系总能量最低确定了稳定的吸附位置,并在最稳定的三度吸......
采用半经验的紧束缚方法计算了与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的电子联合状态密度及介电常数虚部,并根据Kramers......
本文首先介绍了固体表面化学结构对俄歇电子的影响。然后,对去卷积技术在俄歇电子能谱中的应用作了讨论,认为采用这种技术对变形的......
测量了掺铍的,阱宽约为10nm的GaAs量子阱在4.2K的光致荧光。掺杂浓度分别为1×10~(17)和5×10~(18)cm~(-3)。测量结果表明:对于无......
在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带......
为了进一步提高非晶硅太阳能电池的转换效率,在各种相关方面进行了研究,并在现有基础上进行了改进.双减反射层可以降低光的反射,双......
标准粒子滤波算法中存在的影响状态估计性能的主要问题是再采样过程带来的粒子枯竭,针对这一问题，介绍一种改进的粒子滤波算法,将高......
本文研究了厚度在1.5-5nm的超薄Fe膜的磁化特点和磁光效应.发现Fe膜在此厚度仍是面内磁化膜,但其磁光谱线发生了显著的结构性变化.......
近年来，半导体量子点由于其独特的性质越来越受到人们的重视。半导体量子点的三维量子效应，使电子运动的自由度降低，导致体系的有效状......
在考虑电子－声子作用对铁磁性影响的基础上，导出了ＣＷ定律磁化率，计算出铁的居里转变温度与Ｓｔｏｎｅｒ理论值和Ｋｉｍ理论值相比，更接近Ｋｉｍ实验值．
Based on t......
镁合金有许多独特的优点：密度低、比强度和比刚度高、原料丰富，且机械加工性能好且可回收。从Mg合金的这些突出特点可以预见它将会有......
蛋白质工程是现代生物技术发展的前沿领域，其根本目的是要将天然存在的蛋白质按照人们的设想进行改造，或者根据需要设计出具有某种特......
...
文中对计算电子结构的集团Ｂｅｔｈｅ晶格方法进行了改进。简化了原子集团的选取方式，提出了求解复数Ｄｙｓｏｎ方程组的矩阵解方法和平均集团Ｂｅｔｈｅ晶格方法。......
Using the generalized uncertainty relation, the new equation of state density is obtained, and then the entropy of black......
处于里德堡态的原子具有很大的状态密度,往往出现强烈的系列扰动。这种系列扰动明显地对原子许多性质的规律性产生影响。处理这样......
目前,纳米电子器件的性能主要依赖于所使用的半导体材料。为了提升半导体在高精尖领域的应用,现代光电纳米器件所使用的材料正逐步......
用 Animalu-Heine 非局域赝势和微扰论方法计算于液态 Tl 和 Pb 的电子能量和状态密度。结果表明,电子能量的非局域项对于液态重多......
在超级房间方法的帮助下，第一原则的计算为做水晶 Mg <SUB>1-x</SUB 的学习被执行 > 艾尔 <SUB > x </SUB > B <SUB>2</SUB> 和 Mg ......
文章介绍了小粒子核磁共振研究的意义，样品的特点，Ｐｔ小粒子的ＮＭＲ谱随分散度，表面处理等变化，Ｐｔ／氧化物小粒子样品的自旋－晶格弛豫呈现Ｋｏｒｒｉｎｇａ机制，而Ｐｔ／沸石......
本文介绍了一种根据配分函数求单粒子或单粒子系统的状态密度ｇ（ε）或Ｇ（Ｅ）的一般方法．并应用此方法就一些典型的情形进行了具体的计算，从而说......
在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA<sub>3</sub>超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带......
...
本文用Ｔ．Ｂ．－Ｒｏｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了化合物半导体ＣｄＳｅ和ＺｎＳｅ的状态密度曲线，求出了费米能级和带隙，与实验结果符合得很好。......
由于稀磁半导体材料同时具备电子电荷属性和自旋属性,具有广阔的应用前景,这类材料被许多科学家广泛关注。特别是稀磁半导体材料的......
