带隙宽度相关论文
以硝酸铋、偏钒酸铵、硝酸银等为主要原料,采用水热法原位合成β-AgVO3/BiVO4复合光催化剂.采用XRD、SEM、UV-Vis等检测技术,研究......
本文基于半导体的能带理论在选定的半导体材料SnO2(或ITO),Si的能带参数:电子亲和能、带隙宽度和掺杂浓度后,对新型n+-SnO2(ITO)/S......
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30℃变化到230℃.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相......
本文研究了纳米TiO薄膜的导电性与不同的基底材料和不同的膜厚的关系,以及带隙宽度与不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,我们使用......
在人工合成金刚石技术日益成熟的背景下,纳米级的金刚石颗粒因其优越的性能,在工业、医学、半导体等领域得到了广泛应用。金刚石薄......
六方纤锌矿结构是AlN最稳定、最常见的结构，同时AlN也是带隙宽度最大的氮化物半导体(带隙宽度约为6.2eV)。由于具有很高的热导率、......
本文采用射频磁控溅射法在Si(100)和石英衬底制备纯 β-Ga2O3和不同浓度的Si掺杂β-Ga2O3薄膜,并且研究Si掺杂对β-Ga2O3薄膜结构......
Based on the density functional theory(DFT),the electronic structures and optical properties of Mg2Pb are calculated by ......
通过对二维正方排列圆柱状亥姆赫兹共振腔阵列声性质的研究,指出局域共振型声子晶体中存在两类耦合作用,即共振单元与基体的弱耦合......
利用平面波展开法对二维光子晶体在H极化下的光子带隙进行数值计算。考虑了溶液温度和物质的量浓度对光子带隙的影响。结果表明,以......
利用传输矩阵法研究了含特异材料的一维超导光子晶体的带隙特性.研究表明,这类超导光子晶体同样具有由传统的电介质材料构成的超导......
采用有限元法,计算了二维三角晶格椭圆形格点空气孔型光子晶体的TE、TM模式的带隙结构。通过对椭圆形空气孔格点的大小、方向进行......
利用薄膜光学中的特征矩阵法,研究了缺陷层介质存在吸收(折射率含有虚部)时,远红外窄带滤光片随不同吸收系数的变化。结果表明,当n......
利用平面波展开法以及快速傅里叶转换法(FFT)计算了液体背景由圆形介质柱构造的二维三角晶格光子晶体的禁带结构,得到了溶液填充的......
探讨了光子晶体光纤带隙宽度测量法在溶液质量摩尔浓度检测中的应用。数值模拟中利用平面波展开法计算了二维各向同性的不同介质圆......
采用柠檬酸络合溶胶-凝胶法,以小麦秆为模板和硅源制备Si-Bi VO4光催化材料(WS-Si-Bi VO4)。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(......
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了单层二硫化钨(WS2)在掺杂Cr和Mo后能带结构的变化,探索不同原子和掺杂量对能......
光子晶体引入缺陷后形成的缺陷模在增益介质中将被放大形成激光,为了进一步明确缺陷的激光特性,首先从理论上分析了光子晶体的特征......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算了单层Mo Te_2的能带结构和态密度,研究了拉伸应变对单层Mo Te_2电子结构的影响。......
以钛酸正丁酯和无水氯化钙为原料,采用溶剂热法制备不同光催化特性的钙钛氧化物粉体。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微......
介绍了ZnxMg1-xO和ZnO：Al外延膜的激射特性。发现Mg替代的浓度灵敏地改变带隙宽度及受激发射峰的光子能量（激光频率），对发光效率影响较......
引入正弦平方势,在量子力学的框架内,把电子在掺杂超晶格中运动的Schrodinger方程化为Mathieu方程,根据Bloch定理讨论了系统能量分......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=0.1—0.9)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光......
采用固相反应合成了CuAl1-xFexO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量。结果表......
通过求解修正的基于k.p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下的不同阱宽和垒厚的InGaN/GaN多量子......
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物Cu Ga3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体......
文章研究了短周期InAs/GaSb(SLs)Ⅱ型超晶格的红外光电特性。研究发现将InAs/GaSb超晶格各层生长宽度调节在20/25左右,可以实现......
为了更好的匹配太阳光的辐射波长，两种不同带隙宽度的聚合物给体材料常被用于制作三元共混有机聚合物太阳能电池。这类双给体三......
声子晶体是人工周期性复合材料。当该复合材料的周期尺寸与声波或弹性波波长在同一数量级时，声波或弹性波在该周期性弹性介质结构中......
本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯茁-Ga2O3薄膜和不同掺杂浓度的Mg掺杂茁-Ga2O3薄膜,研究了薄膜的结构、光学......
用反应蒸发法在玻璃等衬底上制备出铜和铟掺杂的氧化锡SnO2:(Cu,In)薄膜.对制备薄膜的发光性质做了研究,制备样品为非晶态,具无定......
对Ｔｅ掺杂ｎ型ＧａＡｓ材料在３００～６０Ｋ之间的辐射复合进行光致发光（ＰＬ）研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器为激发光源。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率......
介绍了光子晶体能带设计的一种新机制，利用各向异性材料制作二维光子晶体，可以大大提高光子晶体的完全带隙宽度．
A new mechanism of......
运用平面波展开法计算由长方体散射物以面心立方结构排列于基体中形成的三维声子晶体的带结构,研究不同组分材料、散射物的填充率......
本文研究了Cd_2SnO_4薄膜光致发光的某些性质.Cd_2SnO_4膜是利用Cd-Sn合金靶在Ar+O_2气氛中反应溅射而成的.实验研究表明,Cd_2SnO_......
对二维三角形空气孔结构的光子晶体TE模、TM模的禁带重叠区,即绝对带隙的影响因素进行了系统的分析计算,得到其禁带随介电常数的差......
a-Ge_(1-x)C_x∶H 膜也是一类很重要的非晶半导体薄膜光电材料,其带隙宽度(Eopt)是可以调制的(从0.85eV 到2.5eV 以上),因而有着......
对Si掺杂和Zn掺杂p型GaAs液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6nm和578.2nm的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由......
采用平面波展开法和时域有限差分法研究了二维色散和各向异性磁化等离子体光子晶体的色散特性.当波矢在周期平面时,由于外加磁场的......
利用时域有限差分法(FDTD)对光子晶体的传输特性进行了研究。计算了不同条件下完整结构阶跃型光子晶体的透过率谱。通过透过率谱的......
采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_......
