紫外光探测器相关论文
氧化锌（ZnO）是一种非常重要的直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37 e V,较大的激子束缚能（60 me V）,具有良好的光电特性、易......
紫外光探测器件在光通讯、光开关和光成像等领域具有广泛的应用前景。直接带隙半导体氧化锌材料的禁带宽度为3.4 e V,室温激子束缚......
硼氮掺杂多环芳烃是近年来备受关注的多环芳烃（PAHs）类化合物之一。在保持芳香性的同时,B原子和N原子的引入使得此类化合物具有新颖......
氧化锌是直接宽带隙Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。在此基础上一维氧化锌纳米棒也因具......
本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景.MgxZn1-xO薄膜结合了ZnO和MgO的材料性能,具备禁带宽度连......
紫外光电探测器(UVPD ) 的一种新类型基于许多高度原文如此排列了 nanowires 被制作，包括 IV 特征和时间反应的 UVPD 的光电的性质......
制备了有机紫外光探测器(OUV-PD),器件结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/m-MTDATA:BAlq(40~60nm,1∶1)/BAlq(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),并......
合成了三种1,10-邻菲罗啉苯并咪唑衍生物,即2-苯基(4-溴)-咪唑[4,5-f][1,10]-邻菲罗啉(A1),2-苯基(4-甲氧基)-咪唑[4,5-f][1,10]-......
回顾了近几年在 Ga N紫外光电导探测器上的研究进展 ,介绍了不同 Ga N光电导紫外光探测器的制备方法、光电参数及工作机理。
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第 1期显示器件的现况与展望童林夙 ( 1 )……………………………………………………………高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究......
制备了基于单根ZnO纳米线的紫外光探测原型器件,并研究了聚苯乙烯硫酸钠表面修饰对器件紫外响应特性的影响.研究发现,在相同的紫外......
介绍了SiO2/PI1/Al/PI2挡光技术的原理及其制作工艺过程。通过采用SiO2/聚酰亚胺(PI1)/Al/PI2挡光技术,实现了真正意义上的日盲紫......
概述了目前稀散金属在半导体材料中的应用现状及研究进展,着重论述了稀散金属半导体材料在当代高新技术发展中和在经济建设中所发......
有机紫外光探测器(Organic Ultraviolet Photodetector,OUV-PD)因质量轻、柔性和成本低等优点已引起广泛关注。以m-MTDATA、NPB和B......
紫外光探测器能够将紫外光信号转换为电信号,完成对紫外光的探测,普遍应用于环境监测、火焰探测、卫星通讯、导弹羽流探测、生物和......
Ga_2O_3半导体材料共有六种结构。其中单斜相的β-Ga_2O_3由于具有最好的热力学稳定性,并且可以用作单晶衬底,受到人们广泛的关注......
紫外光探测器目前已广泛应用于空间通信、环境监测、航空航天、化学分析等多种领域,研究具有良好性能的紫外光探测器很有必要。单......
本文第二部分通过两步阳极氧化法成功制备了管长分别为4、6和7μm的TiO2纳米管阵列（TiO2 nanotube array,TNA）。此后,使用这些具有不......
近年来,宽禁带半导体材料由于具有电子速度高、抗辐射性能强以及导热性能好等特点,在高速的光电技术发展中得到了越来越多的关注。......
ZnO是一种理化性质非常稳定的宽带隙半导体材料,在紫外探测领域具有广泛应用前景。然而,基于ZnO材料的紫外探测器仍存在器件响应速......
研究快讯直立在金膜表面的单壁碳纳米管的研究（薛增泉等）；磁性隧道结Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ的制备和物性（陈等）．评 述介电极化新概念———边界屏蔽理论（李......
美国ＧＴＥ公司为美军研制了一种新型隐蔽式紫外光通信系统。这种系统不易被探测和截收，适用于多种近距离抗干扰通信环境，尤其适用于特别行......
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AlGaN具有较宽的直接带隙，且能以带间跃迁的方式获得高效的辐射复合，具有电击穿强度高、漏电流小、高电子漂移......
本文主要研究了c-BN膜的光学性质及其应用.c-BN膜是利用热灯丝射频等离子体CVD法制备的.薄膜用扫描电子显微镜,红外光吸收谱和紫外......
目前,ZnO基光电器件中一个难题是优质稳定的p型ZnO材料制备。由于锌填隙与氧空位,未掺杂的ZnO为n型半导体,自补偿效应对p型ZnO制备......
金刚石具有独特的电学、光学、热学、优越的物理和化学稳定性能，使金刚石电子器件在高温、强辐射等恶劣的环境下能安全稳定的工作。......
金属氧化物半导体薄膜晶体管（TFTs）在显示领域应用的快速发展，极大的挑战着硅材料在透明显示领域的地位。然而报道多集中于n型氧化物T......
立方氮化硼(cBN)薄膜拥有十分好的物理化学性能,与金刚石薄膜相比较,温度低于1373K时不会与铁系金属材料反应,同时具有宽带隙(6.4e......
为解决TiO2纳米颗粒紫外光探测器难以兼具高光响应度和快响应速率的问题,制备了MgO阻挡层/TiO2纳米颗粒复合结构的自供电紫外光探......
碳化硅是制作日盲紫外光探测器的理想材料。本文讨论了光探测器的物理机理和性能参数，建立了4H-SiC PiN器件的物理模型，模拟了器件暗......
金刚石具有独特的电学、光学、热学和物化稳定性能，基于金刚石薄膜的日盲型紫外光探测器的研究已成为该领域的研究热点。金刚石薄膜......
宽禁带半导体材料在发光器件和光探测器件等方面具有广阔应用前景。宽禁带半导体材料的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器因......
金刚石和氧化锌在电学、热学、声学等方面的独特性能，为ZnO/金刚石异质结结构提供了潜在的应用前景，特别是在军事及民用领域的紫外光......
氧化锌(ZnO)纳米线是一种宽禁带半导体一维纳米材料，由于具有很大的激子束缚能、良好的光电特性、抗氧化、耐高温等特性，在制作场效......
近几年，有关于半导体光探测器相关的研究引起了人们的广泛关注。现在，半导体光探测器在军事、环保、航天和各个工业领域都有着众多的......
石墨烯具有超高载流子迁移率与超宽光谱吸收范围，使其在超宽光谱、超快光探测方面极具吸引力。但由于单层石墨烯较低的吸光效率，其光......
ZnO，作为一种直接带隙宽禁带材料，是继 GaN 之后光电研究领域又一热门研究课题。其光电特性受缺陷的影响较小，在如今的信息时代有着重......
钙钛矿氧化物光电特性的研究不仅对理解电子强关联体系的物理机制具有重要意义,而且对钙钛矿氧化物材料的应用也具有重要的作用。......
紫外探测器在化学传感，水杀菌，空间通信、工业、火焰传感、天文学等领域中都有着非常重要的应用。纳米ZnO作为直接带隙宽禁带半导体......
采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光 (UV )探测器 ,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明......
在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器,分别在室温下和94K低温下,测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对......
以p-Si(111)为衬底,用水热法首次制得六棱微管ZnO.并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag叉指状电极,从而制作了Ag/n-ZnO......
