分子束外延生长相关论文
近年来,直接硒化或者碲化金属衬底形成的二维硫基层状化合物,因具有独特的拓扑性质而受到广泛关注。如Pt Se2作为第二类狄拉克半金......
生长在SrTiO3衬底上的单层FeSe薄膜（FeSe/STO）由于其本身独特的电子结构,以及可能是铁基高温超导体中最高超导转变温度的记录创造者,......
红外探测器是红外探测成像系统中最重要的核心部件之一。从二战期间第一个PbS可实用红外探测器的出现到如今正蓬勃发展的第三代大......
作为第三代半导体材料的典型代表,氮化物材料在击穿电场、电子饱和迁移速度、热导率、抗辐射以及能量弛豫时间等方面具有更大的优......
光微机电系统作为微机电系统的重要分支，包括可调激光器、可调滤波器、可变光衰减器、可编程光分/插复用器件、光开关、光连接器和......
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预......
硅基光互联中一个重要的组成部分就是高速的硅基探测器,而锗探测器具有与硅基COMS工艺兼容、响应波段覆盖通信波段、有着良好的电......
锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于......
Si和Ge是间接带隙半导体,它们的发光效率不高.但是,在Ge中引入一定含量的Sn可以使其变成直接带隙,大大提高发光效率.目前,在使用分......
目前,在环境监测、医疗诊断、军用雷达等方面,对于太赫兹波(0.1THz-10THz）的研究具有十分广阔的应用前景.共振隧穿二极管(RTD）是基于......
近年来,拓扑绝缘体作为一种新型的量子材料体系,受到越来越多的关注.拓扑绝缘体,如Bi2Te3、Bi2Se3等因其具有时间反演对称所保护的......
拓扑绝缘体以其独特的能带结构与新奇的物理性质,自问世以来就受到了广泛关注.第二代三维拓扑绝缘体Bi2Se3家族是其中的重要代表.......
2-3μm半导体激光器在气体检测、医学诊断、分子光谱学和空间点对点通讯等方面都吸引着人们越来越多的关注.该波段激光器的材料体......
硅基光电集成是解决硅芯片上互连速度瓶颈,延续摩尔定律的可选方案之一,但是由于硅、锗都是间接带隙半导体,高效硅基光源的获取成......
锗与硅材料一样,也是间接带隙半导体,体锗材料仍然不能作为好的发光材料使用.而在量子结构中的量子限制效应可以有效展宽电子和空......
以SK(Stranski-Krastanov）模式生长的低密度GaAs基量子点(InAs/GaAs或GaAs/AlGaAs）,由于可在类二能级体系中周期性地光泵浦或电注入......
双层耦合InAs量子点的发光波长在低温下可拓展至光通信波段,可应用于光纤量子通信及光纤量子密钥传输等重要领域3-5.通过分子束外......
半金属磁性材料由于在费米面附近只存在一种自旋取向的电子,理论而言它的自旋极化率为100％,对于自旋注入起到了关键作用1.利用分子......
共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的......
本文利用多种透射电子显微镜方法对分子束外延生长在(0001)蓝宝石衬底上的ZnO薄膜的极性进行了研究,其中我们首次成功的发展了利用......
我们用MBE生长得到一系列不同Mn含量的GaMnAs外延层,其X-射线衍射峰的半高宽为(40-90sec),在含5﹪的Mn的样品中所测到的铁磁居里转变......
本文对GaAs(001)衬底上分子束外延生长的立方GaN的热稳定性做了研究,研究表明随着退火温度的提高样品表面粗糙度减小.......
制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道......
本文报道了对GaAs基InAlAs量子点材料的MBE生长和材料物理性质的研究结果,以及在此基础上研制的红光量子点激光器的工作.......
本文报导了用固态源分子束外延生长的脊波导2μm AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器....
我们用MBE生长了低组分InGaAs/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化......
本文介绍了利用最近设计完成的冷壁式不锈钢超高真空MBE生长系统,结合MBE和CVD两种生长技术的特点,在2英寸的Si(100)和Si(111)衬底......
在过渡金属氧化物家族中，4a,5a过渡金属氧化物具有独特的物理特性。由于其中复杂的电荷、轨道以及白旋等多白由度问的相互竞争和合......
针对分子束外延生长单根砷化镓纳米线电性测量表明,非掺杂与掺杂型单根GaAs纳米线的特性具有四种不同的线性:近线性、近对称型,不......
锑化物半导体材料属于窄禁带材料,其禁带宽度对应于2-5μm中红外波段的大气窗口,此波段包括了很多重要的气体分子的特征谱线,同时......
高电子迁移率晶体管(HEMT)自问世30多年来已经在各类高速电学器件中得到广泛应用。近年来，Sb化物半导体具有高的电子迁移率、低的工......
本文在分子束外延生长GaAs纳米线实验中，采用淀积Ga液滴在纳米线侧壁生长出量子点、量子环、量子双核等新奇结构，通过SEM及微区光谱......
本文讨论了金辅助的固态分子束外延生长GaAs纳米线过程中，衬底温度对以上参数的影响。本实验使用GaAsB面衬底，衬底经过清洁后放入一......
Ag/Si体系作为一种重要的金属/半导体界面体系,一直受到科学工作者的关注.近年来,石墨烯、硅烯等二维材料因其新奇优异的物理特性......
将少量的Bi原子凝入GaSb中,能够使价带顶升高,降低导带底,使禁带宽度变窄,拓展发光波长,在2-5μm中红外波段有很大的应用潜力,为Ga......
近年来,Ⅲ族氮化物半导体以其独特的材料特性和优异的器件性能而倍受关注.其中,基于氮化物的共振隧穿二极管(RTD）有望实现室温下太......
综述了锑化物窄带隙半导体材料的基本特性.介绍了围绕锑化物超晶格、量子阱、纳米线、量子点等系列低维结构的分子束外延生长技术......
本文报道了采用GsMBE方法研制的InGaAs PIN探测器,通过在器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６），超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构，应变分布以及光学性能进行了研究，结果表......
Experimental signature of topological superconductivity and Majorana zero modes on β-Bi2Pd thin film
The search for Majorana fermions in topological superconductors is one of paramount research targets in physics today. U......
We report on the preparation and superconductivity of metastable γ-Ga islands on Si(111) substrate. The Ga grows in a t......
在我们考察的这篇文章，最近的运输性质在拓扑的绝缘体上学习分子的横梁取向附生种的薄电影。在纯 Bi2Se3 ultrathin，我们发现绝缘的......
本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子......
象世界其它地区一样，欧洲的光电子研究也是高度优先的，因此，是一个繁荣研究的领域。研究投资既有国家的，也有欧洲的，并有几个全欧计划致......
用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布......
