元素半导体相关论文
第一代半导体材料:主要指硅(Si)、锗(Ge)元素半导体材料兴起时间:20世纪50年代性能特点:取代了笨重的电子管,促进了集成电路的产生......
该文对中科院上海冶金研究所图书馆新学科的图书分类方法作了简要介绍。
This article gives a brief introduction to the book ......
利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系......
文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程。并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果
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9912741电子束再结晶法制备的纳米硅薄膜室温光致发光特性[刊]/余云鹏//功能材料.—1999,30(1).—26～28(C)用电子束再结晶的方法对......
近代的科学技术对半导体材料的性能不断地提出新的要求,最初发現的一些半导体材料已經显得不够了。为了寻找新的半导体材料,必須......
本文用LCBO MO法计算了属于元素半导体和AB型、AB_2型化合物半导体的十种共价结构的能带。所得结果说明:它们的禁带宽度Eg都可统一......
本文导出了可以统一计算元素半导体以及二元和多元半导体的禁带宽度E_g、迁移率μ和热导率r的经验表达式。特别是对近200种晶体的E......
锗单晶作为元素半导体,二十世纪五十年代曾在电子器件的应用中,放出异彩。六十年代以来,由于硅单晶技术的发展,逐步取代了锗单晶......
利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能......
日本理化学研究所川崎雅司研究团队开发成功不含磁性元素却具有磁性的半导体。具体制法是在ZnO晶体中引入原子尺寸的缺陷,当这种晶......
能源、材料与信息被认为是当今正在兴起的新技术革命的三大支柱。材料方面，电子材料的进展尤其引人注目。以大规模和超大规模集成电......
微波器件最好的半导体材料硅和砷化镓,由于电子漂移速度饱和在相当低的数值,使其性能受到了限制。可以认为,InAs-InP 合金能给出较......
半导体材料通常是指电阻率介于绝缘体与导体之间,即电阻率的数值在10-3 - 109欧姆·厘米范围内的材料.如果按照化学成分来分类,有......
一百多年前,人们把一类电阻率介于金属和绝缘体之间的物质称作半导体.那时分类的依据并不严格,对这类物质的应用前景也很模糊.在......
三、其他半导体材料寻找新半导体材料及其应用的另一个领域是:Ⅲ—Ⅴ族,Ⅱ—Ⅵ族化合物间的固溶体;化合物的异质结;各种三元以上......
一、概述半导体材料的发展是由于器件的需要,但另一方面,由于半导体新材料的出现,推动了新器件的出现。近两年来,由于化合物半导......
电学特性的差别使得GaAs器件能够获得高频性能,与此类似,GaAs的化学和物理学特性的差别也使得GaAs工艺(与硅相比)有所不同。
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利用LEED、UPS和AES研究了Si(331)表面的原子再构和氧吸附特性.发现经Xe离子溅射和～800℃退火后出现Si(331)-6 ×2表面相.在～80℃下,......
本文介绍由于化学无序所引起的非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中出现的许多特殊现象,文中首先讨论薄膜的制备方法以及淀积条件对非晶态......
从形成有序小面的晶体表面观察到的LEED图样变化可以确定该表面的结构.本文介绍了这一基本方法,以及它在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面......
本文研究了MOCVD生长GaAs/Si复合材料的生长工艺及材料特性,并生长出用于MESFET的多层结构材料。讨论了影响外延层电阻率的因素,并......
本文讨论ZnO变阻器的应用,这是文献中还没有以系统的方式论述过的领域。本文开始主要叙述变阻器的电学特性、物理、化学以及微观结......
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比......
在单晶硅表面通过多步化学反应共价键合多种菁染料，对它们的ＸＰＳ分析表明，单晶硅表面存在着与各单体染料组成相同的化学元素及化学环境，并......
纳米TiO_2是一种禁带宽度较大的n型半导体材料，只能为紫外光所激发，降低了太阳能的利用率，且由于光激发产生的电子与空穴的复合率很高......
复合材料是由两种或两种以上性质不同的纳米材料通过物理和化学复合，组成具有两个或两个以上相态结构的材料。该类材料不仅性能优于......
元素半导体硅锗材料尤其是硅材料是当今半导体行业中的重要微电子和光电子材料,研究其熔体的微观结构对控制单晶的生长过程有着重......
对Ｆｅ刻蚀金刚石过程中石墨要出的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的过程是：金刚石晶格中的碳原子溶入γ－Ｆｅ，在γ－Ｆｅ中扩散并在远离金刚石的......
皇家墨尔本理工大学（RMITUniversity，RMlT）研究小组与澳大利亚及日本顶级科学家携手合作，推进下一代太阳能电池技术发展。本次合作研发......
据媒体介绍，在信息技术的各个领域中，以半导体材料为基础制作的各种器件，在人们生活中几乎无所不及，不断改变着人们的生活方式、思维方......
在高频激发的氧等离子体中成功地实现了锗的阳极氧化。其氧化效率比锗在一个大气压氧气氛下的热氧化高的多。用俄歇电子谱（AES）和X-......
根据二次电子发射的主要物理过程和特性,推导出最大二次电子发射系数(δm)的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数......
本语文对Ｆｅ刻蚀金刚石的速率进行了定量的研究。Ｆｅ刻蚀金刚石的机制是金刚石晶格中的碳原子自（金刚石－Ｆｅ）界面不断溶入γ－Ｆｅ，并在γ－Ｆｅ中扩散。根据......
