C-V特性相关论文
碳化硅（SiC）材料具有较宽的带隙,较高的电子迁移率和优越的导热性,因此在电子器件开发中极有吸引力。众所周知,绝缘特性的SiO2层具有......
针对超结场效应晶体管(SJ-MOSFET),利用工艺仿真建立多次外延离子注入和深槽刻蚀2种不同P柱形貌的器件结构,对比研究了不同工艺、......
采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-......
电动力绳系是一种新型的空间推进系统,它能够利用地球外围空间磁场和等离子层环境实现在无需或极少需要推进剂的条件下就产生推力,......
4H-SiC MOSFET具有开关频率高、功率密度大、耐高温、抗辐照等优点，在军用和民用领域前景广阔。但由于4H-SiC/SiO2界面态密度高，导致......
通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-......
采用sol_gel工艺 ,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜 .研究了Si基Bi4Ti3O12 薄膜的生长行为......
通过在调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金......
通过分析以PMMA[poly(methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响。PMMA薄膜通过......
采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT......
采用化学溶液分解法 (CSD)在Si衬底上制备了Bi2 Ti2 O7薄膜 .X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明 ,所制备的薄膜主要为Bi2 Ti2 O......
期刊
用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理。用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观......
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、......
采用溶胶-凝胶法（Sol-Gel）在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体（MFS）结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论......
通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y2O3介质和Al2O3,形成金属/Al2O3/Y2O3/SiC高k介质......
利用Atlas器件模拟软件,对MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口进行模拟。讨论了应用电压、绝缘层厚度及绝缘层材料等因素,对MFIS结构......
通过对SrTiO3压敏陶瓷的I-V、C-V特性的分析，得出一种估算SrTiO3压敏陶瓷表面层厚度的方法，并运用该方法估算了厂家提供的SrTiO3试样......
为制备符合铁电存储器件要求的高质量铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺,制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜及MFS结构的Ag/Bi4Ti3O12......
Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器......
在有氧和无氧气氛条件下，采用真空电子束热蒸发技术在P—Si（100）硅衬底上制备了HfO2薄膜．利用X射线光电子能谱，对薄膜的化学组分进行表......
采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电......
为了考虑铁电薄膜的历史电场效应，本文结合偶极子转换理论和MOS电容器的半导体物理理论，提出了一种描述MFMIS电容器电学性能的改进模......
在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO2薄膜.用红外光......
为满足集成电路发展需求,通过向Hf O2掺入Al元素形成Al掺杂的Hf O2新型高k材料,并在不同的环境和温度下进行退火,研究其电学特性的......
利用sol-gel方法在SiO2/Si基板上制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15（CSBT）铁电薄膜,其中Si（100）为P型。利用XRD、SEM测试手段研究了CSBT铁电薄......
推导出描述铁电电容电气特性的新模型．铁电电容可以等效为开关电容(电畴电容)和非开关电容(普通线性电容)的并联，而电畴电容可以看作......
通过在P-HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特性的分析,获得了ZnS/自身钝化......
用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳......
在前期工作基础上，研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积......
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究，理论分析的界面态分布与......
在p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc-Si/c-Si异质结二极管,测量了异质结的C-V特性.根据C-V实验曲线,计算出异质结的接触......
本论文包含铁电薄膜及铁电存储器研究现状的评论、对铁电陶瓷的烧结、BIT薄膜材料的改良、层状结构铁电薄膜的制备及材料的晶相结......
碳化硅（SiC）是近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一。与广泛应用的半导体材料Si,Ge以及GaAs相比,SiC材料具有宽禁带、高击......
为了不增加电池制造工艺的复杂性,同时又能有效地提高硅光电池在蓝紫光波段(400～600nm)的量子效率。根据半导体能带工程,我们独创性......
AlGaN/AlN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率器件(MIS-HEMT)的栅电容模型是基于对GaN界面二维电子气(2DEG)浓度n_s的公式推导,求......
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱，结果表明NH4F／H2O2作为CZT晶体表面钝化剂，钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度，同......
利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中Χ谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴......
采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响。研究表明,在......
报道了在成功地研制彩色电视机用的高反压大功率晶体管钝化玻璃粉的基础上，摸索了采用电泳涂覆技术以形成一定厚度的高质量熔凝玻璃......
碳化硅（SiC）具有带隙大、高热导率、高临界电场强度和高饱和漂移速度等优异的物理特性,已成为新一代高功率器件的首选材料。但是SiC ......
薄膜晶体管（Thin Film Transistor的英文缩写是TFT）是近年来显示器上广泛使用的器件，其中a-Si：H TFT（hydrogenateld amorphous siliconT......
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜......
第三代宽禁带半导体GaN材料具有大的禁带宽度、良好的导热性、高的载流子迁移速率和大的击穿场强。介电氧化物具有丰富的电学特性,......
CdTe多晶薄膜太阳电池是目前重点发展的高效率、低成本、长寿命薄膜太阳电池之一。对太阳电池进行器件物理研究,是发展高效率CdTe......
Ⅱ—Ⅵ族半导体化合物Hg1-xCdxTe材料，随着材料组分变化，它的带隙在-0.3eV～1.6eV的范围内变化。覆盖了大气窗口1～3μm，3～5μm，8～14μm三个......
碳化硅(SiC)MOS(金属-氧化物-半导体)功率器件是SiC材料高压高功率应用的重要组成部分。当SiC达到其临界击穿电场3MV/cm时,根据高......
随着集成电路的不断发展，集成电路特征尺寸不断减小导致漏电流增加，需要采用高介电常数栅介质材料来代替氧化硅材料。因此，针对铪基MI......
