ECR-PECVD相关论文
利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅......
多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本，在能源信息工业中，日益成为一种重要的电子材料，并被广泛应用于大规模集成电路和半导......
In this paper, polycrystalline silicon films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vap......
Polycrystalline silicon (poly-Si) films were deposited using Ar diluted SiH4 gaseous mixture by electron cy-clotron reso......
利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积SiN钝化膜,实现了芯片的SiN薄膜钝化.对钝化前后......
本文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布；由Ｔｅｌｓｔｅｐ－Ｈｏｂｂｓｏ轮廓仪研究了ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面特性。结果表明ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ制备的氮化硅薄膜......
在自行设计研制的先进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉（PECVD）装置上，采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术，以SiH4＋H2为气源，硅......
采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR—PEcVD）技术，以SiH4和H2为气源，在350℃的低温条件下，在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄......
成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜......
为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率，采用高纯氮气作为等离子体气源，以质量分数为5％的SiH4（Ar稀释）作为前驱气源，利用电子......
对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺（ECR-PECVD）沉积GaN薄膜过程中的氮气和三甲基镓有机金属气体（TMG）混合气体等离子体发射......
介绍一台新型的ECR-PECVD装置.这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,使整个装置结构明显简化.为提......
为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜......
利用双探针对ECR-PECVD装置中基片在射频偏置下的等离子体参数进行了测量。同时测量了在射频偏置下微波功率、磁场电流、进气量等......
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD）技术在单晶衬底上制备了SiO2薄膜，研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过......
多晶硅（Poly-Si）薄膜在长波段具有高光敏性，对可见光能有效吸收，且与非晶硅相比具有较高的转换率和迁移率，其光电效率不会随光照时间的......
多晶硅（Poly-Si）薄膜以其优异的光电性能与较低的制备成本在能源信息产业中,日益成为一种非常重要的电子材料,在大规模集成电路和半......
用红外光谱和拉曼光谱分析了用低温电子回旋共振等离子体CVD技术制备的Si3N4薄膜的键态结构.结果表明Si3N4薄膜主要由Si-N键结构组......
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究......
