【摘 要】
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本文以SiCl4 和H2 为气源，用等离子体化学气相沉积技术，通过控制和选择工艺条件，在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜，沉积速率高达3./s 以上。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1 和10-3S-1·cm-1。本文研究工艺条件与沉积速率的依赖关系和对薄膜结晶度的影响。
【机 构】
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汕头大学物理系 汕头515063 华南理工大学应用物理系 广州510641
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本文以SiCl4 和H2 为气源，用等离子体化学气相沉积技术，通过控制和选择工艺条件，在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜，沉积速率高达3./s 以上。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1 和10-3S-1·cm-1。本文研究工艺条件与沉积速率的依赖关系和对薄膜结晶度的影响。
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