SiCl4相关论文
本文以SiCl4 和H2 为气源，用等离子体化学气相沉积技术，通过控制和选择工艺条件，在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜，沉积速率高达......
400摄氏度时在熔融金属锡的作用下，金属镁能够将四氯化硅还原为结晶性单质硅纳米颗粒。然而金属镁无法在400摄氏度时直接将四氯......
本文提出了一个SiCl4/H2/O2反应动力学模型，并采用H2/N2/SiCl4-N2/O2层流对冲扩散火焰实验验证提出的详细机理的准确性，对比结果......
四氯化硅(SiCl4)是改良西门子工艺中的副产品,其产量高达10～15t/t多晶硅,可以说能否合理、有效地综合利用好SiCl4副产品对于多晶硅......
Integrated UV-based photo microreactor-distillation technology toward process intensification of con
Ultra-high-purity silicon tetrachloride (SiCl4) is demanded as an electronic-grade chemical to meet the stringent requir......
多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中，日益成为一种非常重要的电子材料，被广泛应用于大规模集成电路和半......
SiCl4是光纤制造的关键原材料,其质量的高低决定着光纤的传输性能。SiHCl3是SiCl4中常见的一种含氢杂质,其含量的多少对SiCl4质量......
选取不含 H2 的 Si Cl4 / O2 混合气体作为反应源气体 ,并利用普通的 PECVD技术来实现低温沉积 Si基微米厚度的 Si O2 薄膜 ,测试......
以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在250℃的低温下,研究氢稀释度对多晶硅薄膜结构特性的影响.实验结果表明,对......
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖......
以SiCl4-H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜.实验发现,在多晶硅薄膜的生长过程中,气相空间......
随着世界和国内PV市场的快速发展，低成本、高效率的多晶硅生产方法重新受到产业界人士的关注，其中Zn还原SiCl4法因其投资成本低、转......
以NaY沸石为原料,用SiCl_4同晶取代法制备了不同硅铝比且具有高结晶度的八面沸石,进一步将样品交换成铵型。还制备了超稳Y样品及铝......
应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的“Si-C1-H”三元系的复杂化学反应，研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程......
根据相关热力学数据，首先计算并拟合得到Si-C1-H三元系中气相Cl与H原子的摩尔LL（ncl／nH）与反应达到平衡时的气相Si与C1原子的摩尔比（nsi......
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在选取与实际生产相近的温度、氢气配比（H2与SiHCl3的初始比例）和压力的基础上,计算西门子体系中硅源气体SiHCl3的剩余量与副产物SiC......
成功实现SiCl4转化成SiHCl3的关键在于开发出适应这种苛刻工况下的新型电加热器。经过分析和实验,提出了＂二次高温处理＂和＂压扁＂的新工......
在氯化氢（HCl）合成制备三氯氢硅（SiHCl3）过程中，除主要产品SiHCl3外，还有大约15％左右的四氧化硅（SiCl4）副产品，另外还有二氯氢硅（SiH2Cl2）等。......
运用广义梯度密度泛函理论(GGA)的PBE方法结合周期平板模型,计算了SiCl4,SiHCl3,H2,HCl在Si(111)表面的垂直吸附能和吸附结构。发......
<正> 硅是重要半导体材料之一,其薄膜广泛应用于集成电路和太阳能电池。但用普通方法制备纯硅需要很高温度,而利用激光便可在低温......
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖......
SiCl4是重要的化工产品，广泛应用于化工领域。本文对制取SiCl4的原料来源及处理、制备方法进行了简单的概述，同时对制取SiCl4的反应......
利用sicl4／Ar／H。气体的电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀GaAs材料，研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影......
Integrated UV-based photo microreactor-distillation technology toward process intensification of con
Ultra-high-purity silicon tetrachloride(SiCl4)is demanded as an electronic-grade chemical to meet the stringent requirem......
ＳｉＣｌ４是硅橡胶工业和有机硅化学领域中的重要原料的试剂，由于它强烈水解，易发等原因，测定其含量比较困难。本工作采取水－非水联合滴定法测定......
通过理论计算临界流化速度umf和床层空隙率εe,得到SiCl4冷氢化流化床反应器在不同粒径dp和表观气速ue条件下的床层密度ρ。床层密......
对SiCl4的传统工业生产方法(如工业硅氯化法、硅铁氯化法等)和新发展的制备方法(如硅藻土氯化法、工农业副产物制备SiCl4)进行了分......
近年来,把氮化硅作为高性能陶瓷材料,用于蒸气透平及汽车发动机上,已是许多科学工作者所关注的课题。而且目前研究制备氮化硅
In......
以聚偏氟乙烯（PVDF）为基质，加入适量的H3PO4和SiCl4，利用流延法制备了H3PO4／SiCl4掺杂的PVDF质子导电膜，采用交流阻抗谱法研究了质量分数......
在制备纳米二氧化硅颗粒的中试试验中,设计了多重燃烧的火焰结构以强化和稳定反应物的微观混合,并通过改变反应温度和反应物的浓度......
SiCl4作为生产光纤预制棒的基础原料,其质量好坏直接影响光纤传输的质量,必须最大限度脱除引起光纤吸收损耗的杂质。综述了光纤用S......
以SiCl4、苯酚和环氧丙烷为原料,合成出新型硅卤协同阻燃增塑剂硅酸三(氯丙基)苯酯,研究了原材料配比、反应温度及反应时间等对硅......
高纯SiCl_4的分析包括杂质的富集和杂质的测定两个步骤。Kane和Larrabee曾综述过各种分析方法,近年来的主要进展是在杂质的测定上......
妥善处理四氯化硅是提高国内多晶硅生产能力、实现光伏产业可持续发展而必须解决的迫切问题。硅和四氯化硅耦合加氢反应制备三氯氢......
分析了粗四氯化钛除杂现有工艺的不足,介绍了一种利用碱液实现粗四氯化钛除杂的方法。将30%~60%碱液通过喷射方式加入到粗四氯化钛......
多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中，日益成为一种非常重要的电子材料，被广泛应用于大规模集成电路和半......
以SiCl4为原料,采用溶胶-凝胶法制备了硅溶胶的凝胶块,并探讨了无水乙醇加入量、防裂剂加入量、去离子水加入量、液层厚度及空气接......
以SiCl4和H2为气源，用等离子体增强化学气相沉积技术，在300℃的低温下，研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现，氢对......
介绍了光纤预制棒的生产工艺以及国内SiCl4蒸发输送系统的技术现状。描述了新型SMR蒸发器的结构特点、技术规格和在SiCl4流量控制......
