晶化度相关论文
本文以SiCl4 和H2 为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜,沉积速率高达......
光学超构表面由亚波长结构单元组成,通过调节结构参数,能够激发共振模式捕获光场,灵活调控出射光波的振幅、相位等,极大促进了光子学的......
采用等离子体化学气相沉积技术,通过交替改变H2流量,制备了多层结构的氢化初始晶硅薄膜,利用拉曼(Raman)散射、傅里叶变换红外(FTI......
传统化石能源的过度使用不仅会造成严重的环境污染问题,同时也易引起能源短缺。因此具有高能量密度,且不会造成二次污染的绿色能源......
水稻土离铁作用明显,并以耕层最为强烈.耕层中的晶质铁和非游离铁被活化、淋溶,使耕层的全铁、游离铁、晶质铁及非游离铁量均随发......
采用水热方法合成了Zn2GeO4纳米棒。通过后处理,在空气氛围中焙烧Zn2GeO4纳米棒获得高晶化度Zn2GeO4纳米棒。该种方法简单、成......
纳米TiO2 的光催化活性主要受晶相组成,晶化度,比表面积和粒子尺寸等的影响。针对锐钛矿相TiO2 晶化度和比表面积之间的矛盾问题......
本文采用氢稀释调制技术,成功地控制非晶孵化层厚度小于10 nm,获得了晶化度纵向均匀的微晶硅薄膜。微结构和电学性质研究表明:采用氢......
非晶合金在激波的作用下发生了纳米晶化.激波纳米晶化具有晶化速率极高、晶化度完全、晶化相稳定等特点.从理论上计算了非晶合金“......
对Ti6 2 Zr1 7Cu6 Ni1 5非晶合金原始样品进行了退火晶化处理和激波晶化处理 ,对样品作了XRD分析并重点对样品进行了差示扫描量热......
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖......
通过三种硅源,正硅酸已脂(TEOS)、胶体二氧化硅、气相法白炭黑,成功地合成出ITQ-13分子筛,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、BE......
对Ti62Zr17Cu6Ni15非晶合金原始样品进行了退火晶化处理和激波晶化处理,对样品作了XRD分析并重点对样品进行了差示扫描量热分析(DSC)以及动力学分析.看到了许......
利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电......
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖......
研究了在低温、近中性条件下,在微量Fe(Ⅱ)离子存在下Ferrihydrite(又称为水合氧化铁hydrousiron oxide)的相转化过程.结果表明,微......
对Fe23.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金原带和经520℃等温退火处理的样品进行了DSC分析以及重复DSC分析.对非晶合金原带的激波处理样品作......
通过三种硅源,正硅酸已脂(TEOS)、胶体二氧化硅、气相法白炭黑,成功地合成出ITQ-13分子筛,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
用Fe基非晶粉末作为喷涂材料,利用一种新型的活性燃烧高速燃气喷涂技术(AC-HVAF)在0Cr13Ni5Mo不锈钢上制备了一种高非晶含量的Fe基非......
以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对......