颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池制备工艺的研究

来源 :中国第七届光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baomeng999
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
通过在颗粒硅带(SSP--Silicon Sheet from Powder)衬底上进行外延多晶硅薄膜、发射区扩散、掩膜法制作上下电极等工艺,制备了以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜(poly-CsiTF)太阳电池,所制得电池的最高转换效率达到6.05﹪(电池面积1cm<2>).通过对电池性能参数的测量、分析,讨论了颗粒硅带制备工艺以及外延层质量等因素对太阳电池性能原影响.
其他文献
用共蒸发法制备了CdZnTe薄膜.研究了蒸发速率、衬底温度对薄膜成分(x值)的影响.用XRD表征薄膜结构,通过其电导——温度关系的测量,求出电导激活能:通过对不同x值样品的透射谱的测量,算出光能隙,确证CdZnTe薄膜能隙可调,可作为改进CdS/CdTe太阳电池结构的材料.
目前,制约太阳能发电应用及普及的重要原因之一是系统的价格昂贵.因此,本文作者提出了一种新的联网方式,并利用仿真技术对该系统的电力融通情况,经济效益情况等作了比较分析.
太阳能作为一种清洁能源,被人们所广泛利用于阳光发电和热能等领域.本文介绍了太阳能光伏亮化技术的发展状况、应用范畴、光伏亮化技术原理及配套设计,最后给出了太阳能光伏亮化的应用实例.
太阳能发光是最为清洁的能源形式,本文介绍了10KW光伏并网发电站的建设、系统构成、技术指标及系统保护功能.
就太阳模拟器的电光源的设计制作,研究脉冲氙灯的电学和光学性质,在脉冲氙灯的等效电阻的基础上确定需要氙灯的K,根据脉冲氙灯的发光光谱特性以及光谱与电流密度的关系确定通电电流,根据脉冲氙灯管压降确定通电电压,根据设计指标定制氙灯,实验,获得发光波形、发光光谱.
本文介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz-Si和mc-Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果.通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在.同时介绍了减小或避免衰减的技术措施.
介绍了一种晶体硅薄膜电池衬底用硅带的制备工艺——SSP(Silicon Sheet from Powder)颗粒硅带制备技术,并对工艺进行了优化,用工业级硅粉制备出厚度小于1mm的硅带;对硅带的表面形貌、结构性能作了初步分析.
本文首先就低温(140℃)下用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法沉积ZnO:Al透明导电膜的工艺条件进行了优化研究.然后在单结(glass/SnO/pin/)或双结(glass/SnO/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70-700nm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发法沉积Al电极.实验获得了较好的n/ZnO界面,实现了ZnO/Al背电极的增反作用,使电池的短路电流增加1-2mA/cm,光
本文对颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的发展前景进行了较为详尽的描述.通过从材料、工艺、性能和经济等多方面分析,指出这种高性能价格比太阳电池具有很好的发展前景.随着制备工艺的进一步优化,颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研究开发,将是大幅度降低太阳电池成本的一条可能的新途径.
利用氢等离子体处理晶化a-Si:H薄膜,对晶化后的样品进行X射线衍谱(XRD)、傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)和Raman散射谱的测试,讨论和比较了薄膜的Raman谱和FT-IR谱中Si-H键合模式随射频功率、退火温度和退火时间的变化情况.