激射波长相关论文
利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长In GaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激 射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光......
本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型(IC)、λ/4相移折射率耦合型(QWS)及增益耦合型(GC)DFB激光器作为光源部分的激光器/调制器光子集成器件的......
报道了低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器的制备,介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制ps特性。该激光器......
报告了具有DC-PBH(双沟平面掩埋异质结构)的MQW-LD(多量子阱激光器)端镜面镀膜对阈值电流Ith和激射波长λp的影响。指出:端镜面镀高反射膜HR(反射率R2=75%~90%),Ith可降低3.8~5.lmA,λ......
针对较常用的InGaAs(P)分别限制应变单量子阱激光器,给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为1.55μm的无应变激光器,最佳的光限制层......
报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室......
本文利用X光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器(VCSEL)的分布布喇格反射境(DBR)的特性曲线进行了模拟研究.从中得到DBRAlAs/AIxGa1-xAs的厚度及组分x值,应用所......
报道了分布布拉格反射镜(DBR)中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前......
本文从理论上分析计算并给出了应变多量子阱激光器阱数与腔长的优化设计结果.考虑到多生子阱阱区的注入不均匀性,提出了一种新的分析......
针对目前多量子阱激光器结构设计中,忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题,从油松方程和电流连续方程出发,提出每个阱单独考虑......
报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW),器件外微分量子效率为65%,阈值电流密度400A/cm2,特征温度120℃,对于100μm条宽、1000μm腔......
考虑限制层内的载流子,对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时,对......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击(见Semicond.Sei.Technol.,1996,11∶1734~1736)方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为660nm。外延片......
采用MOCVD实现了AlGaAs/GaAs量子阱结构,获得了连续输出20W激光二极管线列阵,线列阵长度1.0cm,激射波长808±4nm。
The structure of AlGaAs / GaAs quantum well is......
利用耦合模理论和数值方法,对常耦合系数线性啁啾光栅分布布拉格反射(CG-DBR)结构光纤激光器的特性进行分析,并得到了阈值增益和纵模谱。为进......
利用300keV的P+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入,经H2/N2混合气氛下的快速退火,结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激......
我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2......
利用钨丝掩膜质子轰击工艺制造出一种室温条件下可连续工作的可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为650nm,未装在热沉上时连续工作最大输......
报道了用MBE生长的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作,实现了83mW的峰值功率输出,阈值电流为250mA,典型峰值波长为2.00μ......
用Cr4 + :YAG 晶体对连续的Nd :YAG 激光器进行了被动调Q 实验,获得了重复频率为1kHz~7kHz,脉宽为500ns 的调Q 脉冲输出,在此基础上为提高脉冲峰值功率,我们加入了一个......
本文首次报道一种结构简单的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件.该器件采用脊波导进行横模限制,阈值电流范围为30~60mA,典型......
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊......
本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改......
细胞内第二信使 -钙离子荧光测定方法的研究进展郭 礻韦 ( 1- 1)………………………………………………………………………………......
通过将二级光栅直接刻在脊形波导AlGaInAs/AlGaAsDFB激光器的无铝光波导层上,实现了波长约为820nm,单面功率为30mW的单纵模激光器.......
介绍了垂直腔面发射激光器研究进展.重点介绍了激光器在效率,输出功率、光束质量、温度特性等方面的新成果.探讨了大功率垂直腔面......
制作了基于InP基量子级联激光器的一维光子晶体.采用普通光学曝光的方法代替电子束曝光,结合反应耦合等离子刻蚀,在激光器的一侧腔......
对体布拉格光栅(VBG)作为波长选择元件的外腔半导体激光器的波长锁定进行了实验研究,报道了连续运转输出功率达43.5 W的半导体激光......
为了研究温度对980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出特性的影响,理论计算模拟了温度为365 K和400 K时980 nm VCSEL的功率-电流特......
针对传统顶发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)的散热、电极生长以及Au丝引线等难题,研究了一种非闭合型的大功率VCSEL结构,不仅解决了......
基于自旋反转模型,研究了1550 nm垂直腔面发射激光器(VCSELs)在偏振保持光反馈下的非线性动力学特性.结果表明:自由运行的1550 nm-......
报道了通过化学湿刻蚀制备窄脊条InAs/InP量子点激光器的方法。激光器脊条主要是由半导体材料InGaAs和InP构成,通过选择合适配比的......
主要研究了外加光反馈对光纤布拉格光栅外腔半导体窄线宽激光器特性的影响。在研究温度对光纤光栅外腔半导体激光器激射波长影响的......
多层异质结AlGaAs/GaAs脉冲大功率激光器是中国科学院半导体研究所多年的研究成果。目前科半公司已将成果开发成系列产品。该系列......
业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形......
在(100)晶向的InP衬底上制作了室温下发射波长为1.25~1.35微米的In_(1-x)Ga_x As_yP_(1-y)/InP双异质结激光二极管。宽接触式激光器......
为了获得集成的Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP激光器,研究了液相外延和湿法化学腐蚀技术。实现了在沟道的(100)InP衬底上GaInAsP层......
本文描述了在(100)InP衬底上用液相外延(LPE)方法生长In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y),外延层时,液相组分X_(Ga)~l、X_(A5)~l变化对外延片......
英国电信研究实验室最近报导,把一个1.5μm的InGaAsP激光器,一个端面涂有抗反射涂层,放入衍射光栅外腔中。通过旋转光栅,激射波长......