【摘 要】
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对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6作为刻蚀反应气体实现。为了保证刻蚀速率并
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对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6作为刻蚀反应气体实现。为了保证刻蚀速率并节省工艺循环时间,同时又控制用气成本,需要获取最佳的气体使用量。本文通过调整Cl2和SF6的用量,研究了a-Si的刻蚀速率和均匀性的变化关系。研究表明,当Cl2用量大于5000 m L/min时,刻蚀速率无明显变化;当SF6少量增加时也能够加速a-Si刻蚀。同时,通过光谱分析系统对a-Si和光刻胶的刻蚀反应进行了分析,与刻蚀率测试结果相同。
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