技术节点相关论文
随着芯片制造商开始转向更先进的技术节点,愈发精细的特征成为了棘手的难题。其中一个主要难点是将芯片设计转到晶圆上的材料,因为......
近日,粤芯半导体宣布已正式完成二期项目融资。本次融资由广东半导体及集成电路产业投资基金、国投创业、兰璞创投、华登国际、吉......
不久前三星先于台积电实现3nm成功流片（试生产），甚至进一步透露消息，预计在2022年年终便可能实现3nm的量产，这无疑引起了整个半导体行业......
目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术......
集成系统科技公司 (ISE)宣布已经与 Sigma- C公司进行合作 ,开发面向最新型半导体技术节点的处理和器件模拟工具。根据协议 ,Sigma......
在0.13μm铜连线技术节点上,双镶嵌等离子体刻蚀的优化是最具有挑战性的问题之一。通过理论模型分析和实验对双镶嵌结构的刻蚀技术......
欧洲三大半导体公司英飞凌、飞利浦和意法半导体与欧洲技术研究实验室网络结盟,启动名为Nano CMOS的新CMOS逻辑技术开发项目。旨......
当今世界IC供应商模式已从提供简单的IC产品向提供整套系统集成的解决方案转变,从单纯的缩小芯片尺寸的追求向IC的易用性、个性化......
国际半导体技术发展路线工作组确定了把套刻控制作为65nm及其以下的技术节点未知解决方法的技术障碍。最严重的问题是总的测量方法......
罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部是全球半导体产业化学机械研磨技术的领先者。日前,该部门推出了一种新型铜阻挡层化学机械研磨......
“技术节点”一词形象地描绘了半导体技术的跳跃式发展过程,每一节点都意味着芯片制作工艺的重大进步,也意味着芯片性能的显著提高......
FSI国际有限公司近日宣布,一家全球性领先的亚洲晶圆厂再次定购多套ANTARES超凝态过冷动力学清洗系统,大幅提高了该平台的安装数......
多栅场效应晶体管技术有望成为应对集成电路小型化所带来的各种技术挑战的理想解决方案。与当今的平面单栅技术相比,多栅技术能够......
来自IBM、Infineon和AMD的工程师们的最新研究结果证实,在45nm节点,非常薄的PVD阻挡层仍然展现出良好的可靠性,特别是当
Recent r......
对用于下一代器件的新型材料进行验证经常需要更多的测试,在某些情况下还需要开发新的工艺和技术。半导体产业的发展意味着会出现......
闪存不断推动着器件尺寸等比例缩小的进程,高数值孔径浸没式光刻使得45nm及以下技术节点成为可能。一些掩膜参数对于成像性能有很......
得益于双重大马士革结构的尺寸不断缩小、低介电常数绝缘材料的引入和铜互连可靠性的提升,逻辑产品的互连技术不断向前发展。随着......
罗门哈斯公司电子材料公司继与IBM公司签署协议共同开发为32纳米以下制程的注入提供支持的电路图案成形(patterning)材料和工艺后,......
半导体行业正在开发必要的缺陷量测和薄膜量测解决方案,但22nm技术节点的监测还需开发新的成像套刻目标结构。
The semiconductor......
尽管在45nm技术节点上,绝大部分的芯片制造商都将采用浸没式光刻技术,但是对于32nm而言,哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。......
在32nm技术节点以下时,尽管极紫外(EUV)光刻技术已被视为主流的光刻生产技术解决方案,但是如何研发一套可靠、高性能EUV光源系统仍......
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工艺诱导电荷所产生的缺陷正在成为造成下一代器件良率损失的问题,促使晶圆加工过程中需要更加严格的工艺控制。45nm器件生产过程......
在90nm和65nm技术节点,集成电路制造业的投资剧增而随机成品率却在下降低.为了提升随机成品率,带权关键面积的(WCA)计算和排序是关......
ArF准分子激光器是实现45nm技术节点光刻的主流光源。综述了准分子激光器的研究现状,介绍了主振荡功率放大(MOPA)与种子注入锁定系......
上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。宏力半导体的0.13微米嵌入......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
应用材料公司推出Applied DFinder检测系统,用于在22纳米及更小技术节点的存储和逻辑芯片上检测极具挑战性的互连层。作为一项突破......
6月7日应用材料公司宣布推出半导体业界最先进的单硅片大电流离子注入系统,即全新的AppliedVarianVIISta Trident系统。通过嵌入“......
随着尺寸不断缩减,串扰对单粒子效应的影响越来越重要.为了量化串扰效应对单粒子瞬态(SET)的影响,基于SET等效电路和互连线的6结点......
极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22nrll及其以下节点的下一代光刻技术。在曝光过程中，EUVL物镜的每一面反射镜吸收35％～40％的入射极......
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10 nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低......
集成电路中金属连线的逆流电迁移(EM)的双峰失效现象在45 nm双大马士革低k材料铜布线工艺中变得尤为突出,介绍了由于空洞存在于连......
为打破国外技术垄断,该项目作为“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项立项项目之一,提出了开发0.13微米嵌入式......
Fin FET器件比主流CMOS技术表现出更多优势,如快速、高集成度、低功耗、多功能性和强扩展性,基于ISE TCAD,考虑迁移率、量子效应、......
7月28日,中芯长电半导体公司正式对外宣布,中国第一条专门针对12英寸高端芯片市场的bumping生产线成功建设,目前已实现12英寸晶圆......
最新Flex系统提供业界首创的电介质原子层刻蚀(ALE)生产工艺并已应用于量产。半导体设备制造商泛林集团公司推出了基于Flex电介质......
新型Helios G4等离子聚焦离子束(FIB)系统,是赛默飞最新一代的双束显微镜,可对各类半导体器件进行逆向剥层处理,并提供超高分辨率......
28纳米工艺制程已经成为大陆晶圆厂下一世代攻坚克难的技术节点,包括中芯国际、华力半导体等晶圆代工业者将28纳米工艺作为下一阶......
