浸没式光刻相关论文
为满足浸没式光刻照明系统对掩模面高均匀性和不同照明模式的要求，对照明系统中的照明模式变换器进行了研究。采用衍射光学元件(Dif......
传统三维光刻矢量成像模型中将投影系统物方电磁场表示为二维形式，实现方式分为两种：采用局部坐标和忽略掩模衍射频谱的轴向分量。后......
针对现有LED太阳模拟器同时解决准直性、辐照度均匀性、光谱匹配性三大技术指标的难度较高的问题, 基于光电一体化二次光学设计, ......
随着浸没式步进扫描光刻机台ASML 1900Gi的引入,国内晶圆制造将逐步进入45,32纳米时代。对45纳米及更高端的技术节点而言,浸入式光......
所谓浸没式光刻技术,是在光刻机的投影镜头与硅片之间用一种液体充满,以获得更好的分辨率及增大镜头的数值孔径。今天,193nm光刻机......
东芝计划在这个月或者下个月开始批量生产65 nm高性能器件,接下来在明年生产65 nm的低功耗器件,然后将在2007年初开始45 nm器件的......
采用含硅量较高(23wt％)的新型光致抗蚀剂实现了55nm的各种特性,获得了较高的耐腐蚀性能,并降低了线条边缘粗糙度。结果还表明,这种......
2002年之后,浸没式技术迅速成为光刻技术中的新宠。因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大,获得了人们的极大赞赏。......
IBM和其联合开发联盟伙伴英飞凌和飞思卡尔半导体以及CommonPlatform技术伙伴特许半导体和三星电子,近日签署了一系列半导体工艺开......
《半导体国际》第三届光刻技术研讨会10月25日成功举行。应用材料、Entegris(英特格)、特许半导体、苏州华飞微电子材料公司、中芯......
随着景深和光刻胶薄膜厚度的不断减小,在未来光刻方案中所用的含硅材料应当提供抗刻蚀的选项。通过增大光刻胶曝光系统的数值孔径(......
按计划,2006年只推出ITRS修正版而非全新版本,因此其中的重大修改不可能太多。不过ITRS2006修正版的光刻篇则不然,几乎每一页都被......
近来,关于浸没式光刻的讨论很多,不过它们大多集中在缺陷率和套刻精度上,而很少涉及到浸没式技术怎样使光刻机供应商具备设计与制......
最近的两年多以来,65nm半节距(HP)光刻,传统上叫做45nm节点,在最先进的晶圆厂内十分活跃。其间出现了多种光刻技术选择方案,然而大......
Nikon Corp.在2006年Semicon Japan贸易展中宣布其193nm ArF浸没式光刻系统NSR-S610C的成像性能已达到了39nm L/S(line/space),数......
在过去的几年中,ASML公司以创新的浸没式技术引领着光刻设备市场,又一次刷新了半导体制造的路线图。通过对浸没式光刻技术的再现和......
随着高折射率浸没式光刻看起来并不比其他光刻方案更有希望,业界现在开始热烈地讨论双重图形,想以此作为拓展水浸式光学光刻强有力......
闪存不断推动着器件尺寸等比例缩小的进程,高数值孔径浸没式光刻使得45nm及以下技术节点成为可能。一些掩膜参数对于成像性能有很......
德州仪器(TI)的技术主管宣布,采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展,这在TI45nm晶体管技术中扮演了重要角色,目前正在向后半年......
Fujifilm日前宣布,面对业界大型半导体厂家开始量产45nm生产工艺产品,公司将导入液浸ArF曝光设备,以进一步加大开发力度,扩大业界......
尽管在45nm技术节点上,绝大部分的芯片制造商都将采用浸没式光刻技术,但是对于32nm而言,哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。......
在32nm技术节点以下时,尽管极紫外(EUV)光刻技术已被视为主流的光刻生产技术解决方案,但是如何研发一套可靠、高性能EUV光源系统仍......
浸没式光刻有别于传统干式光刻,在硅片和物镜之间填充一层折射率大于1的液体,以提高光刻技术的分辨率和数值孔径。在实际曝光过程......
为了追随摩尔定律的预言,集成电路光刻成像技术特征尺寸(CD)不断减小,电路制造对光刻成像精度的要求不断提升。为了提高分辨率,采......
研究了交替型相移掩模及离轴照明对65nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,分别选用传统掩模和交替型......
浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径，可以将193nm光刻延伸到45nm节点以......
随着半导体产业与集成电路的不断飞速发展，对于单块芯片的集成度有了越来越高的要求。这意味着在硅片晶圆表面上刻蚀的线条也要求越......
通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势.浸没式光刻技术同......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势.浸没式光刻技术同......
在超大规模集成电路中，为了实现NA=1．35，波长193nm处分辨率达到45nm的目标，需要对影响光刻照明均匀性的误差源进行详细分析最终确定公......
利用Prolith 9.0软件计算了浸没式ArF光刻中杂散光、光线偏振态和几何像差对目标线宽为65 nm的L形图形成像质量和光刻性能的影响,......
在超大规模集成电路中,为了满足45nm节点光刻曝光光学系统对高分辨率的要求,设计了一种光束扩束系统,用于提高照明系统的均匀性。......
通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深（DOF）提高方面的一些主要特点，举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势。浸没式光刻技术同干......
