CMP相关论文
浅沟槽隔离（STI）化学机械抛光（CMP）是集成电路制造中的一项关键技术,要求有高的高密度等离子体二氧化硅/氮化硅（HDP/Si3N4）速率选择比（大......
硅通孔（TSV）技术是堆叠器件三维封装领域新的技术方案。器件采用先进的3D封装互连方式,能够进一步加速产品的时钟频率、降低能耗和提......
硬质合金是一种具有优秀力学性能的材料,广泛应用于切削、钻孔等领域。采用化学机械抛光加工硬质合金可以有效地提高硬质合金的表......
化学机械平坦化(Chemical mechanical planarization,CMP)是芯片制造中的关键技术,用于实现多种结构表面纳米级别的超精细平坦化.......
在器件的微细化、复杂化和结构三维化日趋提高的今天,化学机械抛光.(CMP)是ULSI多层布线制备中唯一能提供全局平面化的技术.本文综......
在Java企业应用中,对象持久技术是非常关键的,一般为:JDBC,CMP和JDO这三种.首先描述这三种对象持久技术的基本原理;然后详细分析了......
目的:P (3HB-co-4HB)/CMP复合多孔膜的降解实验周期较长,如何快速检验降解型生物材料的降解性能可大大提高研究效率.本研究通过建......
会议
近年来,共轭微孔共聚物(Conjugated Microporous Polymers,CMPs)由于其独特的结构特点和多孔比表面积较大等优势,在诸多领域有着较......
本论文研究了蓝宝石抛光初始阶段抛光速率与下压力、抛光转速两项工艺参数的关系；分析了抛光过程中摩擦系数的动态变化规律.结果表......
Chemical mechanical polishing (CMP) process is commonly regarded as the best method for achieving global planarization i......
We experimentally and theoretically investigate the microwave transmission line shape of the cavity-magnon-polariton(CMP......
针对软件(PLC)控制电动钻机的可编程性,并结合钻井生产中的实际情况,通过安装传感器将一些钻井参数(例如立压、套压、悬重等)和一......
化学机械抛光（ＣＭＰ）设备增势迅猛近来，随着硅片直径的不断增大（＞２００ｍｍ）和图形线宽的急骤缩小（＜０．３５μｍ），ＩＣ加工工艺对圆片的平整度要求越来越高。单一的化学或......
IntroductionThe process development of copper/low-K backends is unique in the semiconductor industry. Thereare a substa......
单步循环过滤,用来去除胶体硅基化学机械抛光(CMP)磨料中尺寸过大的微粒。已证实适当的过滤获得了尺寸过大粒子的快速去除,而不改......
在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一。实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为......
应用高速度、高点密度熏覆盖全晶圆的薄膜检测仪得到的膜厚均匀图像来对CMP工艺进行快速评定。高点密度、全晶圆的膜厚均匀图像能......
叙述了新一代CMP浆料的过滤工艺和方法。低比重和极小平均粒子尺寸的二氧化硅、氧化铝及氧化铈磨料在这些浆料中要求严格地控制在0......
Surface planarity is of paramount importance in microelectronics. Chemical Mechanical Polishing (CMP) is the most viable......
铜化学机械平面化不同阻挡层浆料的应用引起了铜CMP后清洗的问题。阻挡层浆料的差异包含但不限于pH、研磨剂粒子材料和尺寸及铜腐......
半导体化学机械平坦技术领导厂商罗门哈斯电子材料CMP技术部门专为先进45nm铜制程推出超低缺陷效能的最新一款CMP研磨垫
Rohm and......
化学机械抛光测量技术和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了......
罗门哈斯公司电子材料公司继与IBM公司签署协议共同开发为32纳米以下制程的注入提供支持的电路图案成形(patterning)材料和工艺后,......
1月22日,盛美半导体设备(上海)有限公司在上海张江高科技园召开了隆重的开幕典礼。据悉,这家由海归人员创立的企业已经掌握了未来......
亚100纳米工艺下CMP在铜双大马士革工艺中导致的金属厚度偏离对互连线信号完整性具有严重影响。为实现90纳米工艺下互连线精确仿真......
以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式。采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅......
采用自主配制的碱性抛光液对TiO2薄膜进行了化学机械抛光(CMP),研究了在TiO2薄膜CMP加工过程中,碱性抛光液中的SiO2磨料、螯合剂、......
钌作为下一代14 nm超大规模集成电路阻挡层新材料,有着重要的研究意义,然而对阻挡层进行化学机械抛光时,由于Ru和Cu的化学性质与硬......
针对铝栅化学机械抛光(CMP)后硅溶胶颗粒残留等问题,研制了新型FA/O碱性清洗液并进行CMP后清洗实验。清洗液主要成分是FA/OⅡ螯合......
研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型......
本文分析和总结了PKI技术基础、PKIX-CMP标准规范,介绍了基于PKIX-CMP的CA系统的具体设计和实现.在CA系统的开发中用到了Cryptlib......
随着芯片内植入晶体管数量的逐年递增,在一块芯片内集成更多的处理器内核是可能的,根据摩尔定律,微处理器的速度以及单片集成度每1......
目的:总结采取前侧入路松解治疗肘关节屈曲萎缩的效果,并对术后早期持续被动功能(CPM)的有效性做出评价.方法:回顾77例采取前侧入......
集成电路(IC)是信息产业和高新技术的核心,是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。化学机械平坦(CMP)是IC制造的核心工艺......
集成电路制造工艺进入65 nm技术节点后,金属铜（Cu）布线层数超过十层,铜膜变得越来越薄。如果化学机械平坦化（CMP）中抛光压力过大,会引......
随着集成电路技术节点逐渐发展到14 nm及其以下,传统的阻挡层材料（Ta/TaN）,因与Cu的粘附性差、阻挡层厚度过大和可靠性差等问题无法......
碳化硅是一种优异的第三代半导体材料,具有带隙宽、漂移速度大、击穿电压高、热导率高和耐高温性能强的优良特点,常作为高频、高功......
本文着重对蓝桉原料碱性亚钠法化学机械浆的化学预处理工艺进行了研究,以确定蓝桉碱性亚钠法化机浆磺化预处理的最优工艺条件.......
一氧化碳中毒(CMP)是我国诸多县城、农村冬季生产、生活中较为多见的中毒事件,近年来随着北方城市及大部分县城冬季供暖问题已得到......
用羧甲基茯苓多糖（CMP）预处理人外周血淋巴细胞（HPBL）后经PHA或（和）ConA刺激的促诱生组IL-6效价，结果比无CMP的PHA或（和）ConA刺激的常规诱生......
1988年6月,经市科委批准立项,天津市委科技工作委员会和天津理工学院共同承担了“科研设计单位领导行为、管理情境因素评价及其计......
