SiO2膜相关论文
“PERC+SE”单晶硅太阳电池制备过程中，相较于传统的酸抛工艺，在碱抛光工艺之前（即氧化环节）先要制备氧化层SiO2膜作为掩膜，以保护硅片......
纯SiO2气体分离膜在高温水蒸气环境中不稳定,针对这一问题,我们选择以1,2-二(三乙氧基硅基)乙烷和PdCl2为前驱体,利用溶胶-凝胶法......
采用人工加速风化的方法研究了镀有SiO2薄膜的浮法玻璃的风化性能,并与相同风化条件下的浮法玻璃原片的表面状态进行了比对,从风化......
近年来,具有特殊尺寸和形貌的无机新型材料的可控合成己经吸引了越来越多的关注,因为这些材料在催化、医药、电子、陶瓷、颜料、化......
针对多孔SiO2膜制备经验性强,影响因素众多和缺乏规律性的现状,以正硅酸乙酯为硅源,氨水为催化剂,研究了sol-gel法介孔SiO2膜的制......
本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布......
薄膜热阻式热流计具有响应速度快、结构微型化以及量程广、输出大等优点,是当前使用最广泛的热流传感器.热阻层SiO2膜层与基底材料......
利用有机大分子ＣＴＡＢ的自组装体为模板来调制正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）的水解缩聚，于气－液界面上制备出非担载的ＳｉＯ２无机膜．对取膜时间进行了选择，考察了仿生制......
以γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(A-174)代替部分正硅酸乙酯(TEOS)为前驱体,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为有机模板剂,通过溶......
采用HfO2/SiO2膜系在K9玻璃上镀制减反膜，优化膜系与制备工艺;使得1064 nm波长透射率达到99.9％，且膜层的抗激光损伤阈值高于600MW/cm2......
本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运用建......
由于能源的紧缺和环境污染的日益严重，生物燃料越来越受到重视。而生物丁醇比乙醇作为生物燃料使用时具有更加出色的效果。然而生物......
大面积 Si O2 厚膜沉积可创造很高的附加值 ,但在规模生产中会出现严重的膜层损伤。本文针对这一现象进行机理探讨。
Large area ......
采用IAD、IBS、MS等三种方法在CAB玻璃上制备了SiO2膜层,通过纳米压痕和划痕仪测量了膜层的纳米硬度和摩擦系数;利用傅里叶转换红......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
选用热稳定性好、无色透明的SiO2为包覆物,采用溶胶法,以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,对YAG:Ce3+荧光粉的表面进行SiO2膜的包覆研究,以......
期刊
以表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)在溶液中的自组装胶束为有机模板,对无机前躯体正硅酸乙酯(TEOS)的水解缩聚过程进行调控,......
以薄膜的形式仿生制备二氧化硅中孔材料于1996年首次报道.最近,在其制备方法得以改进、分析和表征技术得以提高的基础上,所制备出......
利用有机大分子CTAB的自组装体为模板来调制正硅酸乙酯(TEOS)的水解缩聚,于气-液界面上制备出非担载的SiO2无机膜.对取膜时间进行......
以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为有机模板,利用仿生合成技术于气-液界面制备出非担载的SiO2无机膜.考察了......
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研......
以正硅酸乙酯为硅源,十六烷基三甲基溴化铵大分子的组装体为有机模板,研究在气-液界面仿生合成SiO2膜的过程.考察了影响成膜的主要......
本文以正硅酸乙酯为原料，无水乙醇为溶剂，盐酸为催化剂，十六烷基三甲基溴化胺为模板剂，用溶胶-凝胶法在石材上制备一层纳米量级的SiO2......
为改善大理石在酸雨和酸雾环境下的耐蚀性能，运用仿生合成方法在大理石表面制备了一层壳聚：糖／二氧化硅（CS／SiO2）保护膜。通过扫描电子显......
<正> 1、引言铁电液晶具有高速响应和存储特性而应用于显示器件.和向列型液晶一样,无需采用TFT驱动方式,可考虑采用简单矩阵电极的......
本文论述了薄SiO_2膜的低温等离子体氮化。报道了所测试的氮化SiO_2膜的电学性能。利用AES、IR和SIMS等表面分析技术分析了膜的结......
以表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)在溶液中的自组装胶束为有机模板,对无机前躯体正硅酸乙酯(TEOS)的水解缩聚过程进行调控,......
采用Na2SiO3水解法，在ZnS：Cu电致发光粉表面包覆SiO2膜层，并主要分析了包Si02膜时，pH值对包覆膜致密性的影响。发现电致发光粉在pH＝9．5的......
采用模板法研制了有序介孔SiO2膜，探讨了其性能表征。在研究中采用了正硅酸乙酯（TEOS）与十六烷基三甲基氯化铵（CTAC），在致密基底上，研制了......
本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验......
本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜......
以正硅酸乙酯为硅源,十六烷基三甲基溴化铵大分子的组装体为有机模板,研究在气-液界面仿生合成SiO2膜的过程.考察了影响成膜的主要......
本文以正硅酸乙酯为原料，乙醇为溶剂，盐酸为催化剂，N-N-二甲基甲酰胺及PVA为成膜助剂，用溶胶-凝胶法在载玻片上制备了无支撑体的SiO2膜......
背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象。讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析......
采用人工加速风化的方法研究了镀有SiO2薄膜的浮法玻璃的风化性能,并与相同风化条件下的浮法玻璃原片的表面状态进行了比对,从风化......
早在几百万年以前，自然界就通过生物矿化过程形成了结构高度有序的有机／无机复合材料，如哺乳动物的牙床、骨骼以及贝壳珍珠层等。随着......
本文主要研究了超薄快速热氮化(Rapid Thermal Nitridation)SiO_2膜在高电场下的电特性和抗辐照特性,采用AES和XPS等技术分析了RTN......
采用溶胶-凝胶法对绿色荧光粉铝酸锶进行了SiO2包膜处理，并对膜层进行了X射线衍射（XRD）、耐水性和发光性能的测试。结果表明：SiO2含量......
本发明涉及由HfSi[0.05-0.37]组成的用于形成栅氧化物膜的硅化铪靶材，所得到的硅化铪靶材的加工性能和耐脆化性能优良，并适合于形成......
用X 射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度准确已知的硅晶片上的超薄(1.45 nm＜d＜7.2 nm)氧化硅膜的Si 2p 电子能谱和价带谱.结果......
期刊
以正硅酸乙酯为前驱体，通过聚合溶胶路线制备出稳定的SiO2溶胶和制膜液，采用浸浆法，经过一次涂膜，在平均孔径约为3nm的γ-Al2O3中孔膜......
采用大气等离子喷涂技术制备SiO2膜压电材料，利用XRD和SEM研究其组织结构，同时对其介电常数ε、介电损耗tanδ、压电常数d33，、机械品......
本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO2膜，然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理。我们利用......
以正硅酸四乙酯(TEOS)为硅烷前驱体,以氯化锶(SrCl2)为Sr源,采用溶胶-凝胶法制备了Sr掺杂的SiO2膜.通过系列表征结果证实:在水解缩......
本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO2膜和氮化后再氧化SiO2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电......
本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）器件内部的热场分布和......
