碲锌镉相关论文
本文采用光抽运-太赫兹探测技术研究Cd0.96Zn0.04Te的载流子弛豫和瞬态电导率特性。在中心波长800 nm的飞秒抽运光激发下，Cd0.96Zn0......
移动加热器法生长碲锌镉晶体时，界面稳定性对晶体生长的质量有很大影响。本文基于多物理场有限元仿真软件Comsol建立了移动加热器法......
碲锌镉探测器具有本征能量分辨好、单位体积探测效率高、可在室温工作等优点,是核辐射探测领域的研究热点.本文介绍了碲锌镉晶体材......
碲锌镉（CZT）晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一，因为其原子序数大、电阻率高、禁带宽度大，相较于传统材料探测器件......
精准探测碳离子束流剂量-深度分布是碳离子治癌中精确将束流剂量投放至病灶的重要依据。目前,束流剂量-深度测量:的方法主要有正电......
红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术, 已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉......
心肌灌注显像在已知或可疑冠状动脉疾病患者的诊疗过程中发挥着重要作用，应用碲锌镉探测器的心脏专用SPECT的分辨率和灵敏度均得到......
目的对配置碲锌镉(CZT)探头的临床前SPECT仪同时采集99Tcm和123I数据进行评估。方法采用含约37 MBq 99Tcm－替曲膦(99Tcm－TF)或37 MBq......
期刊
通过研究碲锌镉衬底(112)B面缺陷腐蚀坑和(111)B面缺陷腐蚀坑之间的关系,揭示了(112)B面腐蚀坑与材料缺陷之间的关系。结果显示,Ev......
本文详细分析了可形成康普顿坪的3个关键过程中γ射线能量沉积的特点,以碲锌镉探测器为主探测器,锗酸铋闪烁体为反符合探测器,设计......
在富Te生长条件下,通过垂直布里奇曼法制备的部分碲锌镉晶体内存在导电类型转变界面。采用富Te液相外延技术在含有导电类型转变界......
核恐怖活动具有隐蔽性强、危害性大、涉及面广、成分复杂等特点,一旦发生就会造成严重的人员伤亡、财产损失和社会恐慌,为了防范核......
介绍了近年来碲锌镉晶体单光子发射计算机断层成像(cadmium zinc tellurium single photon emission computed tomography,CZT-SPE......
目的 针对核设施热点成像应用设计康普顿相机的探测器和读出电子学系统.方法 采用两块像素型碲锌镉探测器分别作为康普顿相机的散......
采用扫描电子显微镜(scanning electron microscopy, SEM)、X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)和电流-电压(......
碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体是重要的第三代软脆半导体材料,具有优异的光电性能,由其制成的室温核辐射探测器在空间探测、环境监测及医......
CdZnTe核辐射探测器由于可在室温下工作,并且对X、γ射线有较高的探测效率和较好的能量分辨率,因此可广泛应用在核安全、坏境监测......
CdZnTe单晶体是最重要的红外光电子材料之一，它既可用作高性能红外探测器HgCdTe的外延衬底材料，同时也是制备高能x射线、γ射线探测......
碲锌镉晶体以其优异的室温核辐射探测与红外探测性能，受到了越来越多的科研工作者的重视。其中以摩尔比为：0.96:0.04:1的碲锌镉晶体......
碲锌镉(CdZnMTe，简写为CZT)为Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，具有闪锌矿结构，是一种重要的半导体材料。碲锌镉晶体电阻率高、原子序数大、......
该论文应用英国RENISHAW公司生产的System2000Raman显微镜分析系统、日本MAC SCIENCE公司生产的18KWHFX射线衍射系统、我们研制的......
采用Cd096Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲......
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本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察......
高质量的碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,然而目前碲锌镉材料中的第二相夹杂物严重制约着晶体的质量.根据红......
通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A......
用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷。刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存......
碲锌镉(CdZnTe)作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料。但生长态的CdZnT......
杂质是影响碲镉汞器件性能的重要因素之一。对于碲锌镉衬底晶体和窄禁带碲镉汞材料来说,杂质的影响更加显著。主要论述了碲镉汞材......
介绍了碲锌镉晶片双面磨抛机的工艺过程和原理,研究了双面磨抛工艺中磨抛液粒度、抛光压力、抛光液流量和工作台转速对晶片表面损......
本文主要分析了作为分子束外延碲镉汞的碲锌镉衬底的表面预处理工艺。湿化学处理工艺主要目的是去除衬底表面损伤层，0.5%溴甲醇溶液......
用有限差分法对微重力条件下分离结晶生长中的熔体热毛细对流进行了数值模拟，熔体的深径比A取1和2，自由界面无因次宽度B取0．05、0．075......
文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)......
利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱，对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值，根据实验......
碲锌镉 CdZnTe（211）B 衬底广泛应用于碲镉汞（HgCdTe）分子束外延生长，其性能参数在很大程度上决定了碲镉汞分子束外延材料的质量。主要讨......
文章对碲锌镉(CZT)(111)取向的拉曼光谱和光荧光谱作了分析.在拉曼光谱中,用正斯托克斯测量检测无峰,而反斯托克斯(Anti-Stokes)测......
文章主要通过扫描电镜、红外傅立叶光谱仪、红外显微镜、X光回摆曲线和形貌像的分析手段结合磨抛、腐蚀的工艺对影响碲锌镉红外透......
描述了碲锌镉(CZT)衬底性质对碲镉汞(MCT)薄膜结构的影响,碲锌镉晶片的取向、结晶完整性、缺陷浓度及对碲锌镉晶片的生长前处理都......
利用红外（infrared，IR）显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外（Fourier transform infrared，FTIR）光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹......
MOVPE(Metal-organic vapour phase epitaxy)是目前流行的一种生长衬底上生长半导体薄膜材料的方法.讨论在碲锌镉(CdZnTe)和GaAs衬......
介绍了一种碲锌镉晶体生长炉温度场一阶仿真的实用方法。该方法基于传热学原理，利用蒙特卡罗法计算没有解析表达式的角系数，利用MATL......
高阻CdZnTe晶体是X射线及γ射线探测最优秀的材料.制备CdZnTe探测器最关键的技术之一就是在CdZnTe表面制备出欧姆接触薄膜电极.关......
热激电流谱测试技术（TSC）是宽禁带半导体深能级缺陷非常有效的测试方法,能够精准获得缺陷类型,深度（E_（a,i））,浓度（N_i）以及俘获截面（σ_i）等......
本文对碲锌镉探测器的2种载流子输运过程进行了理论推导和数值模拟,设计了使用双阈值方法进行上升前沿甄别的实验方案,实现了修正......
目的：正确应用美国电气制造商协会(NEMA)制定的NEMANU1-2007标准，为基于碲锌镉(CZT)探测器的单光子发射计算机断层成像装置(SPECT)进......
采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×10^17atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te（CMT）和Cd0.9Zn0.1Te（CZT）单晶。生长得到的CMT晶体和CZT晶体......
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱（PL）、深能级瞬态谱（DLTS）以及霍尔测试等手段研究了I......
