键合强度相关论文
随着MEMS封装元器件向着结构复杂化、功能多样化、器件微型化发展,在保持器件微结构形貌的基础上,对样本的键合强度有着更高的要求......
主要研究了阳极键合过程中键合强度与键合温度、键合电压、键合晶片的平整度和表面粗糙度、晶片表面清洁度、玻璃片厚度及表面亲水......
为了实现集成硅基光源, 研究了基于湿法表面处理的InP/SOI直接键合技术。采用稀释的HF溶液对InP晶片进行表面活化处理, 同时采用Pi......
描述了一种结合光刻和热键合工艺制作压电喷墨腔室的工艺方法,并对喷墨腔室的键合质量进行研究.首先在Si基底上制作完全交联的SU-8......
为确保半导体桥点火器芯片引线键合质量,以引线键合工艺技术研究为出发点,分析了影响芯片引线键合质量的关键因素。通过正交试验设......
通过紫外-可见吸收光谱和荧光光谱滴定、稳态荧光猝灭以及盐效应实验研究了噻吩基钌配合物[Ru(bpy)2(Htip)]Cl2(1)、[Ru(Htip)2(dp......
从原材料的角度，研究了制作ＤＣＢ板所使用的铜箔和陶瓷材料对其性能的影响。
From the perspective of raw materials, the effect of c......
提出了用红外热像无损检测ＳＤＢ界面空洞和定量检测界面键合强度的方法并与破坏性拉力实验和喷砂造型法对照，证明了该方法的可行性。
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针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出......
键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题之一,严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低,甚至会使键合点失效。本文通过优......
采用抗拉强度作为键合质量评价的指标,对硅-玻璃阳极键合的键合温度、冷却速度、退火温度和时间等四个参数的三个位级下的键合效果......
对Si/Glass激光键合进行了有限元仿真,自主设计激光键合系统并进行了Si/Glass激光键合实验研究、测试与表征。以Si/Glass激光键合......
聚氧化乙烯-高氯酸锂(PEO-LiClO4)与Al的阳极键合工艺中,因键合温度较高,容易引起两者热膨胀系数不匹配、产生残余应力问题.针对这......
在超分子化学发展的历史长河里,研究分子间非共价键的作用力是主要的任务,也是超分子化学的核心竞争力。冠醚作为第一代大环主体化......
与Si材料相比,Ge材料具有更高的的电子和空穴迁移率,在1.3-1.5 μm通信通信波段具有更高的吸收系数。此外,Ge工艺与现如今成熟的Si......
本文主要研究了微米/纳米尺度的键合技术和键合强度,给出并发展了基于MEMS技术的微米/纳米键合分析模型.为提取微米/纳米键合面积......
用化学镀方法制备了Ni-B,Ni-P以及Ni-P-B三种非晶态合金镀层。测定超声焊接硅铝丝的键合强度,发现Ni-B合金镀层最好,其后依次为Ni-......
氟作为周期表中反应活性最大的元素之一，在化学中占有极特殊的地位。然而，饶有兴趣的是，由于氟元素的高负电性，它形成的极性化合物中很......
1.引言为使高频半导体器件如高频晶体管等适用于微波领域,器件本身的高频化以及组装技术的高频化就显得相当重要。比如器件的截止......
本文叙述有关硅片的直接键合技术工艺过程,键合特性及其应用.它是将已知的玻璃封接技术应用到硅片上,键合强度和键合电特性都很好,......
按常规工艺制造多层陶瓷衬底时,产品的质量取决于所用材料的一些性能。本文讨论制备多层陶瓷衬底中采用的生陶瓷片的若干重要特性......
研究了铝丝-镀金层系统的健合强度的退化。这种健合系统在高温贮存时,健合强度的退化为下列三种退化模式之一:(ⅰ)A模式—随热退火......
用可移动加热器法(THM)已长出了纵向均匀度为±0.02mol、x=0.15适合于10μm探测波长的块状Hg_(1-x)Zn_xTe晶体。此材料的硬度高于(......
本文报道了SOI(Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术,其中包括SiO_2—SiO)2、Si-SiO_2、Si—石英、GaAS—玻璃等的键合......
研究了低温（５００℃以下）硅一硅直接键合（ＳＤＢ）技术，在低至１２０℃条件下获得了优良的键合结果，其键合强度可达到１０ＭＰａ以上．结合现有ＳＩＭＳ和ＴＤＳ测试结果，研究了硅表面吸......
为了研究合金的物理、化学性质对非晶合金形成能力的影响,采用统计学方法研究了原子尺寸差σ、电负性差Δx、τ和φ各参数对镁基非......
本文提出了一种可以解决硅微机械传感器常规高温键合引起掺杂的再分布，热效应带来的应力以及温度超过硅铝共晶点引起器件失效等......
在超声热压焊中影响引线键合的参数很多。本论文主要考虑超声功率、超声时间以及焊接压力对键合强度的影响。论文研究使用全自......
经受不同的试验后，半导体器件的键合强度将发生不同程度的变化。该文介绍了单片IC中国产和进口Si-Al丝键合强度退化情况，通过对其退......
该文分析了研究了亲水键合法存在的问题，发明了硅／锗／硅合新方法。试验研究了新方法的机理、键合工艺技术和键合强度，键合率以及与亲水......
为了提高MEMS陀螺的品质因数(Q值),提出了一种晶圆级真空封装工艺.先在陀螺盖帽晶圆上刻蚀出浅腔,然后在浅腔结构上制备钨(W)金属......
在讨论金-铝键合系统失效机理的基础上,对高温条件下金-铝键合系统接触电阻和键合强度衰变情况进行研究。给出了金-铝系统接触电阻......
围绕真空灭弧室关键技术--金属与陶瓷件间的封接,开展了新型封接工艺--DCB技术封接真空灭弧室的探索研究.对封接强度进行了研究与......
提出了一种新型的测试结构,对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试.实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微......
本文论述了多晶硅高温压力传感器中的硅-玻璃静电键合技术,包括硅-玻璃静电键合机理,键合强度及键合后残余应力的改善措施.通过大......
文章介绍了对半导体器件内引线拉力即键合强度的实际检测方法,并通过失效分析和具体数据计算,进一步说明了键合强度与管壳内部尺寸......
引线键合是微电路加工中最常用的键合方式之一，键合强度则是验证键合质量的最重要的标准。针对单片集成电路检验试验过程中发现的因......
楔形键合可以实现较小的拱弧和线长，是微波电路键合的首选工艺。首选镀金板进行楔形键合强度试验，获得优化的键合参数组合，再应用到LT......
本文介绍了纤维间与纤维内的键合潜能、键合强度、键合面积的测量方法及其影响因素,同时,对纤维网络的性质也作了阐述.此外,本论文......
围绕真空灭弧室关键技术－－金属与陶瓷件间的封接，开展了新型封接工艺－－DCB技术封接真空灭弧室的探索研究。对封接强度进行了研究与分析，......
The influence of reinforced bar corrosion on the bond degradation in lightweight concrete was studied.Accelerated consta......
DPA试验中，键合强度值的大小是判断器件合格与否的一个定量标准，而键合强度值的分布状态则是影响器件在应用中的可靠性的重要因素之......
在超声引线键合过程中,键合压力是影响键合强度的重要因素之一。通过实验,研究了键合强度与键合压力间的关系。通过高频采集装置对......
