单晶衬底相关论文
p型4H-SiC是制备高功率电力电子器件的理想衬底材料，但由于工艺技术的制约，国内尚无能力生产高质量、大尺寸、低电阻的p型4H-SiC单晶......
受抛光过程和环境沾污的影响,InP单晶衬底表面含有过高浓度的残留硅杂质。在外延器件中,硅杂质作为浅施主会在界面处形成n型导电层......
随着高效多结太阳电池制造工艺的日益成熟和商业化应用，对制造电池所用的Ge单晶衬底质量要求日益提高。本文对VGF法生长的4寸Ge单晶......
选用H2SO4和H202组合溶液对InAs表面氧化层进行湿法化学腐蚀处理后,通过光学偏振显微镜观察,发现在极薄氧化层条件下,InAs表面氧化......
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。......
利用LP-MOCVD技术，在（100）GaAs 单晶衬底上生长了InAs0.9Sb0.1 材料。用X 射线单晶衍射、光学显微镜和扫描电镜等方法对材料进行了表......
采用高纯La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)靶和BiFeO3(BFO)靶通过射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备(LSMO/BFO)12超晶格,并对其结......
随着微电子技术的发展，对芯片集成度的要求进一步提高，为实现密度更高，速度更快的目标，发展器件的多功能化已成为研究的热点与趋势。多......
本文中我们通过测量分析SLAO反射谱，系统深入的研究了不同温度下的SLAO的红外介电响应。从我们的分析结果可以看SLAO在低于～60cm-1的......
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更......
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高......
SiC单晶是第三代半导体核心材料之一,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移速率等,特别适合制作高密度集成的微......
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制作......
对国内外碳化硅(Silicon Carbide,SiC)单晶衬底技术、外延片技术、功率器件性能特点进行了归纳分析,指出SiC功率器件产品在应用中......
