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缓冲层厚度对In0.82Ga0.18As外延层结晶质量和表面形貌的影响

来源 :第十届固体薄膜会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：l309553042

【摘 要】

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本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga0.18As 外延层结晶质量和表面形貌的影响。X

【作 者】

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张铁民 缪国庆 金亿鑫 谢建春 蒋红 李志明 刘乃康 宋航 

【机 构】

：

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室,长春130033中国科学院研究生院，北京100039中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，激发态物理重点实验室,长春130033

【出 处】

：

第十届固体薄膜会议

【发表日期】

：

2006年10期

【关键词】

：

铟镓砷 金属有机物 化学气相沉积 缓冲层 表面形貌 结晶质量 

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本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga0.18As 外延层结晶质量和表面形貌的影响。X 射线衍射(XRD)表征外延层的结晶质量。扫描电子显微镜(SEM) 观察样品的表面形貌。XRD和SEM的结果表明，当缓冲层的厚度为100nm 时，样品的结晶质量和表面形貌最佳。

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