异质结结构相关论文
日益突出的能源短缺和环境污染问题严重制约着人类的可持续发展。光催化析氢技术通过将太阳能转化为化学能是缓解能源危机的有效途......
因为光催化反应具有节能、低污染和降解能力彻底等优点,所以利用光催化技术处理环境污染和水体污染已成为一项具有前景的研究。在......
随着电子信息技术的发展,带来了电子产品数量的爆炸式增长,导致数据传输量也急剧增加。海量的数据存储、传输和处理将会对存储设备......
增强型工作的实现仍然是氮化镓电力电子器件制备的难点,常规栅刻蚀工艺在沟道区域引入的损伤使得载流子的迁移率急剧降低,严重影响......
近几年，2D-3D异质结结构由于可以作为密集型集成光路的良好平台而受到了广泛的关注，该异质结结构既可以充分利用二维结构中器件设计......
研究了基于可见光的磁性复合光催化剂纳米γ-Fe_2O_3/TiO_(2(NT))异质结阵列的制备方法,还研究了磁性复合光催化剂的表面形貌、微......
通过水热法合成具有协同机制的三元复合材料Bi_2Fe_4O_9/g-C_3N_4/UiO-66,研究表明三元复合光催化剂的催化活性要高于二元材料和纯......
微囊藻毒素(MC-RR)是一种具有两个精氨酸结构的微囊藻毒素,它是由蓝藻细菌产生的一种能普遍被检测到的细胞毒素,近来由于其潜在的......
利用近似解析方法，详细地讨论了含金属覆盖层介质波导在截止点附近的模式传播特性和截止条件，并结合有效折射率方法讨论了脊高和脊宽......
研制成功了 Ga_(1-x)Al_xAs/Ga_(1-y)yAl_yAs 双异质结红色(670nm 发光二极管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延,并改进了......
高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺......
利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质......
研制成功了Ga1-xAlxAs／Ga1-yAlyAs双异质结红色（670nm发光二极管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延，并改进了电极制作技术，取......
讨论了Ｃ６０作为一种有机半导体材料，与聚合物半导体和有机化合物半导体构成的异质结的一些基本特性，分析了这种结构在半导体光电器件中的......
1.引 言 在过去的三十多年中,碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)已经成为制造中波和长波(λ=3～30μm)红外光电探测器的最重要的半导体材料。......
对ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ结构热处理后的样品进行深度剥层腐蚀，并用椭偏光谱测量方法，获得了样品在４９０℃经０．５ｈ和２ｈ热处理后不同深度下的组份分布．根据实验结果对Ｚａｎｉｏ等人......
采用金属有机化合物气相淀积（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ Ｇ Ｒ Ｉ Ｎ）异质结结构的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ａｌ Ｇａ Ａｓ 应变双量子阱激光器。该激光器的......
NEC公司（位于日本东京）所开发成功的单芯片氮化物半导体功率晶体管试验样品,创造了新记录,首次突破了100W的输出功率。这项成果,是为......
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了A......
利用一维光子晶体(PC)异质结结构带边峰值叠加的方法设计了一种偏振带通滤波器,在实现p偏振分量带通滤波的同时实现了禁带范围的展......
利用稳态吸收和荧光光谱学、瞬态荧光光谱学(时间相关单光子计数技术)系统研究了EPPTC掺杂的F8BT薄膜异质结结构中激发复合体的形......
硫化镉是一种带宽窄且带边位置适宜的光解水产氢半导体催化剂.1,2但由于光生电子-空穴的快速复合,纯硫化镉即使在牺牲剂存在下......
近些年来,光电解水这一领域引起了人们的广泛关注.CuWO4作为一种新型n型半导体材料,具有合适的带宽(2.3 eV)以及良好的稳定性,......
利用钒酸铋和氧化铟之间相互匹配的能带结构构建异质结结构的复合材料，提升了材料中光生载流子的分离效率。同时，空穴从半导体表......
目前我们的经济不断增长依赖化石燃料的燃烧，但对化石燃料的过度使用也加剧空气污染和全球变暖[1]。因此，开发清洁、可再生能源......
环境污染和资源短缺是人类目前面临的两大难题。电池行业作为新能源领域的重要代表,解决了能量不易储存、供能间歇的问题,已发展成......
人类发展至今,一切经济与生存都依赖于能源,能源是一个国家经济实力的象征。面对能源匮乏问题,直接醇类燃料电池（DAFC）作为电池领域......
对于功能复合材料,因复合后能加强某一特性,甚至能产生出新的特性来,所以复合是开发材料性能的独特途径.鉴于近期发展起来的p-型导......
报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／Ａｌｑ３／ＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电......
利用分子束外延技术制备了选择性掺杂的GaAs/N-AlGaAs异质结,22K时,该结构的迁移率达到 223,000cm~2/V.s,相应的薄层电子浓度为 5.......
本文论述了分子束外延(MBE)生长的Al_(0.35)Ga_(0.65)As/GaAs双异质结双极型晶体管(DH BJT)的制造和试验。基区宽度为2000(?)和500......
用GaAs做双极晶体管时,它的某些材料参数优于硅和锗,另一个优点是可利用GaAlAs/GaAs异质结晶体管的宽禁带发射极原理。目前已制出......
把异质结用在半导体激光器和高亮度发光二极管,大大地改善了器件的性能。然而,由于早期器件的寿命不稳定,可靠性便是主要关心的问......
本文推算了吸收限的Burstein-Moss 位移对Pb/Sn Te 探测器光谱响应的影响。将推算的光谱响应与已发表的许多探测器(同质结结构和异......
一、材料现状概述实际做成红外探测器的,仅少数化合物和合金材料,它们分属Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅵ和Ⅲ-Ⅴ族。Ⅱ-Ⅵ族的HgCdTe和HgCdSe除冶......
一引言近年来出现了许多具有复杂结构的化合物半导体器件,如GaAsIC、高电子迁移率晶体管(HEMT)、超晶格器件和双异质结半导体激光......
最近,日本索尼公司研究中心的科学家报道了他们制备的第一个 AlGaInP/GaInP室温(可高达33℃)连续台面条型激光器。AlGaInP 是十分......
引言三代象增强器是一种采用GaAs光电阴极的双近贴象管。二代管和三代管的主要差别在于光电阴极。1965年负电子亲和势光电阴极的......
日本电气公司最近试制出600nm 波长的可见光半导体激光器,在室温下连续振荡获得成功。该激光器为 InGaAsP/InGaP 双异质结结构,是......
描述了用于大规模集成电路的自对准高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,它是基于选择掺杂 GaAs/AzGaAs 异质结结构。其内部逻辑延迟在77......
本文阐明了影响GaAs/GaAlAs双异质结边发光管特性的因素,其中着重讨论了有源区的掺杂浓度和掺杂类型对DH-ELED光功率和调制能力的......
