寄生电感相关论文
现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大了器件高频工况下的开关......
大功率电力电子器件是电动汽车逆变器的核心部件,极大地影响着电动汽车的动力性能和续航里程。基于第三代半导体材料SiC的功率半导......
SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先，在ANSYS Simp......
高新技术发展时期下，SiC等新型半导体的应用，促使PCB设计正向着集成化、高效化方向发展。优化设计从高频率、高密度两个方面为PCB设......
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在分立器件并联型碳化硅逆变器中，主功率回路叠层母排的设计需满足低寄生电感、外电路对称及器件均温的目标。然而，现有叠层母排的结......
数值优化为功率半导体模块实现低感与均流设计提供了灵活有效的新途径,但同时也对模块整体与分布电感的评估效率提出了更高要求.为......
分析了大功率绝缘栅门极晶体管(IGBT)模块测试适配器寄生电感的构成及其形成机理.通过理论分析及Q3D建模仿真叠层母排结构适配器并......
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性.通过仿真分析对比,指出MOSFET......
压接式注入增强门极晶体管(press pack injection enhanced gate transistors,PP-IEGT)通过并联多个芯片增加其额定容量,然而芯片......
本文从降低功率模块内部寄生电感的角度,提出了功率模块布局设计的原则,并据此原则设计了一种寄生电感较小的半桥IGBT功率模块.然......
目前在IGBT模块封装工艺中广泛采用的管芯互连方法——铝丝互连技术存在着寄生电感大,开关瞬态电流分布不均匀,以及铝丝之间存在机......
功率半导体器件是制造大功率电力电子装备的核心元件。传统硅材料的电子饱和漂移速度、临界电场强度、热导率和禁带宽度等物理特性......
为获得两芯片碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)并联半桥模块的优化设计方案,采用Ansoft Q3D Extractor软件对不同......
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双脉冲测试是评估器件动态特性的重要手段。测试电路的寄生参数将对测试结果产生直接影响。基于双脉冲测试平台,研究并评估寄生电......
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随着碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)开关速度的提高,针对SiC固态功率控制器(SSPC)在关断初期产生电压尖峰的问......
寄生杂散电感会使超快速IGBT关断时产生过电压尖峰，通常抑制过电压方法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。该文介绍了有效抑......
SiC MOSFET分立器件的并联结构已在中大功率应用中广泛使用,为了充分利用并联的优势,需解决并联动态电流不均衡问题.在SiC MOSFET......
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基于现有标准DMOS设计技术，通过优化高压IGBT＆FRD芯片及其模块结构，降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻，改善模块散热．提高最高工作......
传送快脉冲的微带线Ｍａｒｃ Ｔｈｏｍｐｓｏｎ在很多实用电路中，快电流脉冲必须从印制板的一端传输到另一端，但是，由于互连线的电感需要进行端到端连接（图１），因此......
主要介绍快速热处理（ＲＴＰ）技术［１］，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火（ＲＴＡ）［２］、Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的......
该封装具有多层连接线、低寄生电阻和低寄生电感的优点
The package has the advantages of multilayer wiring, low parasitic r......
安森美半导体推出PIn PAK(电源集成封装)技术。该技术包括装配模拟驱动器裸片于标准 QFN 封装内。然后该模拟 QFN 连同两块 MOSFE......
据《日经》第807号上报道,按照美国Intel Corp的计划,微处理器(MPU)的工作频率至2007年时将会超过20GHz。然而,对于如此之高的工......
本文针对电源技术领域,以混合集成技术为主,阐述了电力电子集成技术的基本概念、基本原理和面临的主要技术问题。并对该领域国内外......
在高频开关电源应用上寄生电感经常会导致开关装置产生过电压并增加半导体器件的关断损耗。通过引入智能功率模块的设计概念,可以......
SKiN技术是使用烧结层替代焊接的新技术,通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性、减小了热阻、并改进了内部寄生电感。本文介绍了......
基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路......
近年来,GaN电力半导体的研发日益活跃。与采用Si电力半导体相比,GaN电力半导体应用于逆变器、转换器等的电力转换装置,可大幅提高......
日立公司开发了具有最高电流等级的3.3k V/1800A IGBT模块,其额定电流等级比现有同尺寸、同电压等级常规产品提高了20%。通过采用......
为提升器件电流等级,大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时,有效控制器件内部的均流效果非常重要。文......
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程......
半分析法应用于提取金属-氧化物半导体场效应晶体管小信号模型的参数,直接提取法应用于测试结构的焊盘电容和寄生电感的参数提取.......
针对氮化镓器件高频开关动作,开关电流难以准确测量的难题,提出了一种基于对称印制电路板结构的高带宽电流检测方法。该方法利用电......
基于碳化硅(SiC)器件的谐振开关电容变换器(RSCC)因其软开关特性,适用于高频、高功率密度的场合。但是较高的工作频率使其对线路寄......
压接型IGBT芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用,研究电-热-力影响下的IGBT芯片动态特性对于指导IGBT芯片建......
功率半导体器件是电力电子变换器的核心,因此半导体器件的性能往往也决定着整个变换器的性能。新型宽禁带GaN材料器件与传统Si器件......
采用同步整流技术的Buck开关电源的应用已越来越广泛,随着其输出电流的增大,抑制Buck电路同步整流管漏极尖峰成为提高电源效率和性......
贝尔实验室最近制成一种组合晶体管,由低功率晶体管、电阻和别的电路元件组成,它的增益-带宽乘积比同类晶体管高三倍。这种新的设......
功率MOSFET的开关时间比双极型晶体管快1个数量级以上,所以,如果电路中有寄生电感L存在,电流断开时会产生反向电压Vemf,其大小如......
报道了一种称作“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的ＦＥＴ结构（先进的源区通孔ＦＥＴ）。“ＳＩＶＦＥＴ”（源区通孔ＦＥＴ）￣［１］是一种新型的ＦＥＴ，其每个源电极都通过通孔与４０μｍ厚的背面电镀热沉金属相连......
木文通过对高频晶体管主要设计指标功率增益及最高振荡频率的分析，导出了随工作点变化的功率增益及最大有用功率增益；而基于最高振荡......
在快速放电装置中,脉冲电容器的固有电感是人们很关心的一个量。常用的测量此电感的方法之一,是串联共振。即把一个实际的电容器(......
