【摘 要】
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2月7日获悉,凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术,飞思卡尔半导体成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能,标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物
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2月7日获悉,凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术,飞思卡尔半导体成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能,标志着制造商的射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术首次在这一领域获得重大突破。通过提供采用射频LDMOS和GaAs PHEMT技术的功率晶体管,
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