I-V相关论文
通过水热法制备了还原氧化石墨烯负载Au纳米复合材料(rGO-AuNPs),结合旋涂法,将其涂覆在单晶硅表面,制备出rGO-AuNPs/n-Si肖特基接......
期刊
本论文基于氧化镓单晶衬底和薄膜衬底,制备了不同电极间距的肖特基二极管,对二极管进行了一系列的电学测试,并对测试结果进行了分......
学位
The resonant tunneling photodiodes (RTDs) based on an A1GaAs/GaAs double barrier structure with an InGaAs absorption lay......
利用反应离子刻蚀(RIE)技术,可实现晶体硅太阳能电池的亚微米绒面,本文介绍了在多晶硅预制绒基片上进行等离子强化制绒形成亚微米......
近期,准一维电荷密度波(CDW)材料(TaSe4)2I的低温相被报道为轴子绝缘体[Nature 575,315(2019)],引起了广泛的关注.电荷有序半导体(......
通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.......
室温下在ＭＯＤ法制备的ＰＬＴ铁电薄膜的样品上，观察不同电场强度下电流随时间的变化，根据电流的变化情况，把电场划分为弱、中、强三个区间。在弱......
在氢气气氛下对绝缘体表面进行热处理提高金属-绝缘体-金属（MIM）器件的I-V特性曲线的对称性，简化了该器件的制作工艺，并探讨底电极掺氮......
报道了使用 355nm激光烧蚀金属钛在 p Si基片上反应性沉积TiO2 薄膜 ,并对Al/TiO2 /Si电容器的C_V和I_V特性进行了测量 .结果表明......
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上 ,通过对主主程的数值求解 ,对 Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合 .单......
报道了一种在脉冲驱动条件下基于半导体激光器I—V特性测量进行半导体激光器热特性表征的实验方法。结果表明,基于分析在不同脉冲......
采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型......
采用紧束缚近似的方法,研究了由单苯基分子构成的三端器件的I-V特性。所得结果近似表现出了MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)器件的......
对室温工作的短波碲镉汞光伏芯片进行了步进温度烘烤实验.烘烤温度从60℃开始,温度步长为5℃,到120℃结束,每个温度下的烘烤时间一......
针对CMOS工艺制造的红外接收芯片,本文提出了一种实现光生电流转换到电压的电路设计。通过该设计,红外接收芯片不仅能准确检测几十......
研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的I-V曲线呈现出反向转折......
采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30—200μm,直径80—750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al......
本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性......
通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其......
通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-V特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律。研究发现,......
利用有限元分析软件ANSYS分析了在平面上引入立体墙结构的阴极电场分布,给出了立体墙结构阴极表面的场强分布曲线,结合F-N方程计算......
本文讨论了圆柱形磁控溅射源（简称溅射源）工作气体压强（Ｐ）对Ｉ－Ｖ特性的影 响；对溅射源Ｉ－Ｖ特性作了计算，为理论分析溅射源Ｉ－Ｖ特性提供了可能：并根据 计......
提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的方法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃......
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜......
本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm,长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列,引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰,分别制备得到了......
超导隧道结在直流和交流驱动下可以简化成电流分路的约瑟夫逊结模型,其中包括有关电容的项和干涉项.本文用小参量展开的方法求其方......
The light-induced reversible changes in I-V character of PIN a-Si:H solar cells are measured in a similar way to the stu......
本文研究了InGaAsP/InP双异质结发光管的I-V特性,特别是有源区受主浓度、p-n结位置、限制层掺杂剂、热沉温度和制备工艺对正向导通......
本文提出了一种在光照和短路条件下测量Ni/α-Si∶H肖特基结势垒宽度的方法。同时,又在实验确定的参数的基础上,从理论上计算了在A......
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-......
采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进.采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
The electrical characteristics of GaN schottky diode with and without the interfacial oxides are compared in this paper.......
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及......
目的：探讨静脉麻醉药物依托咪酯对大鼠海马 CA1区兴奋性突触后电流（excitatory postsynaptic cur-rents，EPSCs）的电流-电压（I-V）曲线在离......
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)......
吉时利仪器公司日前宣布推出新的4225-PMU超快I—V测试模块，进一步丰富了4200-SCS半导体特征分析系统的可选仪器系列。它在4200-SCS......
研究了锗（Ge）量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）在......
The combination of ferromagnetic metal (FM) and semiconductor (SC) for spin injection was studied and demonstrated with ......
研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺......
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-......
