接触电阻率相关论文
热电材料可以实现热能到电能的直接转换,利用工业产生的废热、地热或太阳热能等进行温差发电,是提高能源利用率、大力发展清洁能源......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件......
透明导电薄膜是一种同时具备透明性和导电性的功能薄膜材料,其独特的性能使其广泛应用于液晶显示器、太阳能电池、节能玻璃等光电......
本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触......
在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分......
高温超导材料具有通流能力强、临界磁场高、工作温区广等特点，其在加速器磁体、磁共振成像磁体和背景场磁体等领域已取得了阶段性的......
在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强......
Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3～1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而......
我们处在一个电子信息产业迅猛发展的时代,而微电子产业是电子信息产业的支柱,在过去的几十年中,以Si为代表的半导体材料的应用让......
石墨烯因其优异的电学性能和材料性能被广泛应用于气体传感器中。通过构建石墨烯异质结来改善石墨烯气敏性能已经被证明是一种有效......
学位
Half-Heusler合金由于其稳定性好、机械性能高以及具有优异的热电性能,广泛应用于中温区的热电材料。目前,P型Half-Heusler材料ZT......
本文报道了用常规管式炉30秒钟快速热退火代替常规热合金化做Al-Si欧姆接触的简捷方法.通过俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、接触电......
采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并......
本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触......
该文介绍了采用TiN做阻挡层的AuGeNi／TiN／Au金属化结构与n-GaAs之间的欧姆接触特性，该方法采用电子束蒸发AuGeNi多层金属，然后采用反应......
热电材料利用塞贝克效应和帕尔贴效应可实现热能与电能的直接相互转换，在清洁能源、特殊电源及制冷等领域具有广阔的应用前景。硅锗......
基于塞贝克效应的热电发电器件在深空探测和商用领域具有广阔的应用前景。对于填充方钴矿基热电器件,如何提高过渡层和热电材料界......
方钴矿具有良好的热电性能和优异的力学性能，是最具实际应用潜力的中温热电材料。对于制备热电器件来讲，p型和n型热电材料是同等重要......
随着光电产业的蓬勃发展和光电产品的广泛应用，透明导电薄膜的研究受到学术界和业界越来越多的重视，透明导电薄膜的透光性能和导电性......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm2的欧姆接触.接触电......
采用传输线模型测量了重B掺杂 p型金刚石薄膜 (约 10 2 0 cm-3 )上Ti/Au欧姆接触电阻率 ρc,测试了 5 0 0℃退火前后及大电流情况......
The morphology of the silver films deposited and annealed on YBa2Cu3O7- δ films and the corresponding surface contact r......
碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一.利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞......
电解槽内衬，不同位置所起的作用不同，生产过程中所受到的影响也不同。因此，应该依据不同位置内衬的作用采用不同的材质，不同的配置方式......
实现欧姆接触是获得高性能GaN探测器的基本要求之一。p型GaN上优良的欧姆接触比n型GaN上的难于实现。本文介绍了利用金属Au、Cr／Au......
采用溅射法在液相外延3C-SiC上制备Ni电极,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响,实验表明对于Ni/n-SiC金半接触......
在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti／Pt／Au和Cr／Pt／Au多层金属作为欧姆接触金属，并对比合金前后的差别。结果表明，......
采用圆形传输线模型研究了金（Au）电极与碲锰镉（CdMnTe）晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率。实验......
在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核，对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进，充分考虑到了半导体材料受到的影响......
在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ｔｉ／Ａｕ接触，用ＣＴＬＭ测量了样品退火前后的Ｉ－Ｖ特性，并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影......
对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显......
GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-......
GaN材料在高频、高功率、高温、高密度集成电子器件等领域具有广阔的应用前景，是全球半导体领域研究的前沿和热点．近几年，对低接触电......
系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火......
本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上,进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合......
金属-半导体的欧姆接触无论在半导体的器件制造还是半导体物理和材料的性能研究方面都是极其重要的.接触性能的好坏直接影响着器......
GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料。欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一。着......
为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n-GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试......
在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌。结果显示......
本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实......
本文提出一种测量金属-半导体接触电阻率的方法——三点法。样品制备简单,无需台面绝缘,用硅进行实验验证,结果与文献报道的相符。......
通过放电等离子烧结（svs）实现阻挡层Ti-Al、过渡焊接层Ni与热电臂Yb0.3C04Sbl2的一体化烧结，使用Ag-Cu-Zn共晶合金完成热电元件Yb0.3C......
