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以钛掺杂氧化锌镓（GZO）陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO（GZO：Ti）透明半导体薄膜,利用光谱拟合方......
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜（TAO）．根据霍尔效应测试结果，当Sn／Sb原子比处于0．22—0．33范围内时，TAO薄膜是P型导电的，在......
