微波特性相关论文
采用EDTA-柠檬酸联合络合法合成了BaCo2Fe16O27-W 型铁氧体.通过XRD 和SEM 对合成的粉末进行了相 结构和微观形貌的分析,结果表明......
本研究以钒取代量0.6之钙钒钇铁柘榴石[(Ca1.2Y1.8)(Fe4.4V0.6)O12,YCVG]为参考组成,尝试以Bi3+部份取代Y3+的方式降低致密化烧结......
用有自主知识产权的聚合物材料BPAN-NT设计并初步成功制作了共面波导(CPW)结构的行波电极电光调制器.对调制器的各项特性参数进行......
利用磁控溅射法在制作完底电极的LaAlO3(100)衬底上制备了一层BaO-Nd203-Sm203-Ti02系(简称BNST)薄膜,再对薄膜进行退火处理。X射......
对键合金丝互连线的电磁特性进行建模仿真分析,并根据键合互连线的等效电路模型,设计了容性补偿枝节来改善金丝互连的微波信号传输......
介绍了X波段DAW加速结构的优化过程，给出了利用SUPERFISH程序进行腔形优化的数学模型以及利用该模型对X波DAW结构的优化设计结果，给......
1.引言植被的微波遥感是下一代卫星系统的最重要目标之一,该卫星系统的目的是监测全球变化和了解全球的水循环,生物地球化学和能......
半导体激光器微波特性研究主研人员：喻志远罗秀江高速半导体激光器的微波调制与高速光信号的检测研究是微波光电子学的重要课题，是高......
本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面行波电极的微波特性．首先指出了在这种共......
Y98-61429-121 9907354大功率微波器件1(含5篇文章)=Oral Session 2:highpower microwaves Ⅰ[会,英]//1997 IEEE 11th Inter-nat......
研究ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２五元系统在８００～１２００℃烧结中物相变化和电性能．ＸＲＤ测试数据：１０００℃时ＢａＴｉＯ３消失，主晶相为ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７，ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４开始出现，１１００℃到１１５０℃，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２在ＸＲＤ图上消失，ＢａＴｉ４Ｏ９和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７含量逐渐减少，ＢａＮｄ２ＴｉＯ１４逐渐增加；１２００℃时，ＸＲＤ图谱......
研究了高Ｔｃ超导谐振器的微波特性特别是表面电阻Ｒｓ和磁场穿透深度λ，给出了Ｒｓ随温度变化的曲线以及穿透深度的测量结果。实验中采用了由ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄......
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本大阪大学纳米材料微器件研究中心采用ZnO宽禁带半导体材料制作了具有微波特性的HFET......
高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路模型是研制低噪声放大器与分析晶体管微波特性的基础.本文通过测量HEMT器件在低温环境......
目前随着新能源的迅速发展,对火电机组提出了两方面的要求:大型机组应进一步优化燃烧系统,提高燃烧效率;小机组则要进行灵活低负荷......
微波疗法已普遍用于临床,在“理疗学”教学中亦是重要内容。本文介绍之“微波波长演示器”,系笔者根据工作需要摸索研制的,它具有......
有机硅氧烷弹性体是一种不寻常的合成聚合物,其主链由“无机”的重复单元(即硅氧键)组成。此外,硅原子连接在有机基团例如甲基上。......
应用微波技术分析油层岩心的特性是近年来提出的新课题。1975年美国R·W·PARSON完成了用微波衰减法测试砂岩岩心模型含水饱和度......
Ｋｕ波段８ＷＧａＡｓ内匹配微波功率ＦＥＴ李祖华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｋｕ－Ｂａｎｄ８ＷＧａＡｓＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＧａＡｓＦＥＴ￥ＬｉＺｕｈｕａ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓ...
Ku-band 8W GaAs internal matched microwave power FET Li Zuhua (Nanjing In......
本文通过对 GaAsMESFET 直流特性的理论分析,提出一个能起衡量 GaAsMESFET 微波特性作用的低频优值。并借助电子计算机,计算了各种......
本文提出在离子注入GaAsMMIC内低噪声FET的制作中应考虑的问题。已鉴别出可能使FET性能恶化的工艺,并提出了一些解决方法。用这些......
讨论了全离子注入外延硅 NPN 双极微波晶体管的制造和分析。用来形成发射区和基区的掺杂剂分别是注入砷离子和硼离子。砷是在150千......
本文提出了一种新的平面型砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)结构.阐述了用氧离子注入制作此种平面型器件的计算和实验结......
研究了栅长为1微米的硅肖特基势垒场效应晶体管的微波特性。对管子从0.1千兆赫到12千兆赫的散射参数进行了测量。从测量出的数据确......
用网络分析仪测量了1μm栅(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂FET(MODFET)的微波特性。计算了等效电路参数,并与等同结构的GaAsMESFET相比较。......
第四讲关于功率容量的讨论 PIN管在高功率电平下制作开关、收发转换器或移相器时,除了第二和三两讲所介绍的内容外,功率容量的分......
谐振隧道热电子晶体管(RHET)是一种新型的具有极高频特性的三端器件。前不久,由于采用了InGaAs/InAlAs赝异质结,使器件的集电极电......
《Electronics Letters》1992年第4期报道了用GSMBE(气源分子束外延)方法制造的高电流增益GalnP/GaAsHBT,其电流增益达到590。这是......
新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的......
近年来光纤传输在微波系统中的应用业已取得相当大的进展,与此同时光控微波器件亦已引起广泛的关注,并在国外开始得到应用.关于这......
为改善传统AIGaN/GaN HEMT器件的漏电大、击穿电压低、电流崩塌明显的问题,并进一步提升器件效率、增益等性能,在传统AlGaN/GaN HE......
射频/微波软磁材料广泛应用于微波器件,如滤波器、移相器、隔离器、磁性电感和天线等。传统的射频/微波铁氧体材料,如YIG、尖......
本文研究分析正投射情况下基本节、双节和多节金属平面栅系统的传输特性,并给出理想栅和良好栅的计算公式。文中介绍了栅系统的应......
本文介绍了微波铁氧体开关微波特性及新的应用现状,并简要叙述了当前铁氧体开关发展趋势.从铁氧体开关的应用需求与技术发展来看,......
强流直线感应加速腔设计过程中.抑制横向阻抗是非常重要的一个方面,对新设计的加速腔进行微波特性的数值模拟和实验研究是必不可少......
本文介绍了采用国产SiC外延片的4H-SiC MESFET 1 mm多栅器件的最新研制进展.制造出单栅宽100 um,总栅宽1 mm,栅长0.8 um的n沟道4H-......
本文通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出了可行的工艺流程,并且制造出单栅宽100um,总栅宽1mm,栅长0.8um的n沟道4H-SiCMESFET,其......
报告了4H-SiCMESFET单栅器件的研制.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制造出单栅宽150um,栅长0.8umn......
本文在分析毫米波段分布式MEMS移相器电路结构和原理的基础上,提出了MEMS移相器加工制作材料微波特性分析方法.探讨在毫米波波段应......
