占位面积相关论文
便携系统的革命继续向前快 速发展。更新、更小的蜂窝电话、笔记本电脑和PDA不断地出现在市场上。 尽管很多的小型化是集成的结果,但仍......
可配置系统芯片(CSoC)器件现在广泛用到通信系统设计领域。Datum 公司从这种平台方案获得好处的一种设计就是嵌入式同步芯片集Time......
快捷半导体公司 (FairchildSemiconductorIn ternational)宣布推出用于TinyLogicTM 产品线的MicroPakTM 封装。最新封装技术使得缩小体积、节省空间这一目标进一步实现。新MicroPak的占位面积为 1.4 5......
一种趋势是千真万确的,不会改变的,那就是便携式系统在不断地缩小。即使很多器件的外形因数已达到无法进一步缩小的程度,机壳内众多的......
与现行的US8封装相比,由位于美国缅因州南波特兰的FairchildSemiconductor公司开发的TinyLogicMicroPak8八端子芯片规模无引线封装......
飞利浦半导体公司在日本举行的2003年中国通信展上召开发布会,介绍了其手机解决方案,同时面向手机市场推出了一系列新产品。 飞利......
与现行的陶瓷和层压模块等封装解决方案相比,专为高集成度RF模块而设计的CSP(chip—scale packaging,芯片规模封装)封装工艺—Pyx......
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满......
该器件组合了飞兆的Power Trench MOSFET硅技术和SuperSOT-6 FLMP封装。器件功率开关的小尺寸(高度小于0.8 mm)、小占位面积(最大......
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种全新的200mW数字晶体管系列,在目前市场上最小的封装中集成了一个外接电阻偏置......
在便携式消费电子市场领域,随着功率预算越来越紧、产品生命周期越来越短及新的标准不断出现,开发便携式电池供电产品的设计人员需......
NTK313xx系列功率MOSFET专为空间受限的便携式电子应用而设计。其中,NTK3134N是一款20V、890mA的N通道MOSFET,NTK3139P是-20V、-78......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20V p通道TrenchFET功率MOSFET Si8441DB,该器件......
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为对能量敏感的系统设计人员提供300mA低压降(LDO)稳压器解决方案,在效率、瞬态响应和占......
致力于满足移动设备市场的需求,QuickLogic公司宣布其CSSP平台产品——ArcticLink,已实现晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。ArcticLink......
据Semicon West Executive Test Summit(7月14日于加州旧金山召开)的评论,尽管有经济压力,半导体测试公司仍继续着R&D上的投入。Ve......
Vishay推出带有同体封装的190V功率二极管的190V N沟道功率MOSFET—SiA850DJ,该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄......
Vishay推出一款低导通电阻的新型20 V P沟道功率MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFET Gen III P沟道技术,该技术利用自......
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司就采用MLP3×3(Power33TM和Power Stage 3×3封装......
国际整流器公司推出一系列25V及30V器件,采用了IR最新的HEXFETMOSFET硅器件和新款高性能PQFN3×3封装,为电信、网络通信和高端台式......
随着功率模块、电信和服务器等DC-DC应用设备变得愈加空间紧凑,设计人员寻求更小的器件以应对其设计难题,而器件的热性能是人们关......
全球最大、最成功的基于硅技术的射频(RF)前端解决方案供应商SiGe半导体公司扩展其全面广泛的产品系列,推出RF开关/LNA前端IC(FEIC......
飞兆半导体公司推出耗电量仅为200μA的FAN4931运算放大器,该器件采用小型5脚SC-70封装,具有业界标准的占位面积,能够满足便携和消......
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该......
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)扩展其全面广泛的产品系列,推出RF开关/LNA前端IC(FEIC)产品SE2601T。新器件专门为提高嵌入式......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新款双芯片20 V P沟道第三代TrenchFET~(?)功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2 mm×2 mm......
器件在4.5 V下导通电阻仅为34 mΩ,具有1.6 mm×1.6 mm的占位面积和不到0.8 mm的高度,可在1.2 V的电压下导通,适用于更低电压的手......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的......
TriQuint和其战略高端手机客户们在近5年前就认识到了功放双工器的性能优势。在最初开发了第一代8×5 mm功放双工器(称为Passkey 1......
2013年9月5日讯:Vishay Intertechnology,Inc.(VSH)宣布,扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET......
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48 mm~2,离......
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky)二极管,为智能手机及平板电脑的设计提供除......
Vishay Intertechnology宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP,扩充其TrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET。V......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150 V N沟道MOSFET——SiA446DJ。Vishay Si......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAKSC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vi......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功......
Fairchild推出了其行业领先的中压MOSFET产品采用了8×8Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大......
Diodes公司(Diodes Incorporated)为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布新的8mm×8mm×1.8mm PowerPAK?8×8L封装40V TrenchFET?功率MOSFET-SQJQ402E,目的是......
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出一对MOSFETH桥,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位......