栅极电压相关论文
采用化学气相沉积法(CVD)制备单层石墨烯,将其转移到300nm厚的SiO_2/Si衬底上.通过真空蒸镀法在石墨烯表面沉积Au电极,获得SiO_2/S......
描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光......
对Ｓｉ—ＦＥＡ冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了２０×２０／１００×１００硅尖锥阵列和栅压在１００～４００ｖ之间５０μＡ冷发射......
本文总结了单电子器件的工作，同时也讨论了作为此类器件设计基础的库仑阻塞效应。分析了制备单电子器件的关键技术，并介绍了器件的应......
本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＥＭＴ 直流输出特性的影响．考虑界面态的作用，详细分析了不同界......
日本东京Sophia大学正在研制一种光学控制互补金属氧化物半导体(CMOS)电压开关。他们对先前的工作,即利用新的CMOS结构研制光学控......
像增强器是直径一般为 1 8或 2 5 mm的圆柱形真空管。输入端的多碱膜或半导体层起光电阴极的作用。能量超过光阴极材料功函数的入......
(5)场效应管与晶体三极管的比较: ①晶体三极管在正常放大工作状态,其发射结为正向偏置,输入端需要向信号源吸取电流,其输出电流......
变向镀铜现在已经试验成功、效率比原来提高三倍。现将设备和试验情况介绍如下: 一、变向设备: 这种自动变向控制器由点焊机之时......
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目前,热处理工件变形的校直方法很多。高频热点校直法是一种比较先进的校直方法。尤其是对一些尺寸较大,形状复杂的工件,用其它的......
NTK313xx系列功率MOSFET专为空间受限的便携式电子应用而设计。其中,NTK3134N是一款20V、890mA的N通道MOSFET,NTK3139P是-20V、-78......
通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT) .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT......
研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜......
IBM研究中心宣称研究出世界上速度最快的石墨烯场效应晶体管,工作频率达到26GHz,这是目前为止测量到的石墨烯晶体管的最快工作频率......
宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010,具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合R......
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气......
目前研究准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制时,采取了完全不考虑其抑制,或只强调抑制的存在而并未给出抑制公式的方式进行研究.......
本文介绍用功率放大用五极管UZ42做输出管的全直流耦合单端功率放大器,为了增加输出功率将UZ42栅极电压的工作区域扩大至正压的区......
场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它有P型和N型两种导电沟道,并且还有结型和绝缘栅(金属氧化物)型两种结构。结型是利用PN......
目前,恒温培养箱的温度控制电路,常见的是利用电子管栅极电压在某一数值时,呈现截止状态的原理,以水银电接点温度计控制电子管栅......
传统噪声理论提取背散射系数时,引入的参量较多并依赖量子力学计算,或是采取大量的假设而使得到的结论存在偏差.本文将基于Navid模......
实际纳米MOSFET电流噪声为散粒噪声和热噪声,且散粒噪声受到费米作用和库仑作用的抑制.而现有文献研究实际纳米MOSFET电流噪声时,......
介绍了IGBT 3种短路类型,通过优化器件的晶体管增益提高第二类短路能力,以承受更大短路电流的冲击,采取驱动电路栅极电压箝位措施......
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情......
中国电子科技集团公司第十三研究所基于自主开发的工艺,成功研制出1 200 V/20 A SiC MOSFET芯片。芯片采用平面沟道结构,在栅极电......
故障现象:机器使用过程中出GFIL连锁.rn分析检修:凡与电子枪有关的电路故障均会出GFIL连锁.将枪控制面板OPTION旋至“F”位置,在显......
InSb是一种窄带隙材料,它具有大的朗德g因子,高室温迁移率和大的自旋轨道相互作用。鉴于其优越的材料特性,InSb体材料以及InSb量子......
常规的自适应增益控制电路可以动态调整接收机的放大倍数,在一定程度上扩大了接收机的输入信号动态范围,但是到达采集模块输入端的......
上海产五官科用超短波电疗机,用两只FU-7电子管组成推挽振荡,由两只硅二极管和电容组成的二倍压整流提供直流高压,调节振荡管的帘......
故障现象:在一次非超负荷的条件下进行常规投照胸片时,机器的过荷指示灯突然燃亮。当进行复位处理时,控制台内又有电弧打击声和烧......
一引言国产俄歇谱仪以往由于电子枪束流不够稳定,无法用作半定量的表面分析。为此,我们在国产谱仪中对靶流或束流进行采样、放大......
以离子发动机栅极系统为研究对象,基于网格质点法(PIC),建立了二维数值计算模型.利用模型能够较好地模拟离子在栅极系统中的运动,......
以碳纳米管材料作为场致发射电子源的X射线源是近几年国际上的研究前沿。相比传统热电子发射X射线源而言,碳纳米管X射线源具有结构......
利用磁控溅射和阳光刻技术在玻璃基底上成功制备了不同厚度SnO2的表面传导场致发射阴极阵列,并测试其场致发射性能。X射线衍射和X......
北京市新技术产业试验区的金星超声波应用技术研究所最近完成了VMOS大功率管超声波发生器及VMOS超声波清洗机。。其超声波功率从1......
西门子Mevarton7445型直线加速器控制台提供了一组由示波器显示的波形，包括CHARGE－I（脉冲形成网络充电电流）、PULSE－I（释放给磁控管的RF......
故障现象：按下手闸曝光，还未达到设定的曝光时间就停止了曝光。调整曝光时间，虽然曝光时间有变化，但仍非常短。分析：F94—11型X线机的曝......
故障现象 :无论是用 3Ｄ吊管摄片或Ｓｉｒｅｓｋｏｐ3胃肠床点片 ,按正常曝光条件选择ｋＶ、ｍＡｓ照片显影淡薄 ,无法用于临床诊断。故障分析与检查 :根据故障......
故障现象一 :透视床、球管有时不能上下移动 ,其它功能正常。故障检修 :透视床、球管的上下移动是靠各自电机的运转 ,通过传动机构......
制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修......
