【摘 要】
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介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件———ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极电流通路完全被ＢＳＩＴ沟道中的自建电场所夹
【机 构】
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西安电子科技大学,西安微电子研究所
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介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件———ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极电流通路完全被ＢＳＩＴ沟道中的自建电场所夹断，当外加一个正向栅压时，器件可通过阳极电流。该器件具有低的导通电阻、高速和大的导通电流密度，是一种很有发展前途的大电流、高速度、高效率开关器件。
A new type of MOS controlled power device, MBSIT, is introduced. Its manufacturing process is similar to that of a power MOS. Its material is to grow n - epitaxial layer on n + substrate. The device is designed as a normally-on device and its anode current path is completely pinch-off by a self-built electric field in the BSIT channel. When a forward gate voltage is applied, the device passes the anode current. The device has low on-resistance, high-speed and large on-current density, is a very promising high current, high speed, high efficiency switching devices.
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