【摘 要】
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本实验采用～13MHz的高频振荡器,在0.1～1托的压力下,在氮气和硅烷的混合气体中产生等离子体淀积氮化硅.由此制得的氮化硅膜,其折射率～2.45,电阻率～10~(15)Ω.cm,击穿电场为10~7V/c
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本实验采用～13MHz的高频振荡器,在0.1～1托的压力下,在氮气和硅烷的混合气体中产生等离子体淀积氮化硅.由此制得的氮化硅膜,其折射率～2.45,电阻率～10~(15)Ω.cm,击穿电场为10~7V/cm.通过采用等离子体氮化硅钝化DD01等器件,其击穿电压提高了30伏左右,漏电流下降了一个数量级.
In this experiment, a ~ 13MHz high-frequency oscillator was used to produce plasma-deposited silicon nitride in a mixed gas of nitrogen and silane under a pressure of 0.1 to 1 Torr. The silicon nitride film thus obtained had a refractive index ~ 2.45, resistivity ~ 10 ~ (15) Ω.cm and breakdown electric field is 10 ~ 7V / cm.The passivation voltage of DD01 and other devices is increased by about 30V by using plasma silicon nitride, the leakage current Drop by an order of magnitude.
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