【摘 要】
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高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺杂基极薄层，制作出的ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ双异质结双极晶体管（ＤＨＢＴ），既得
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高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺杂基极薄层，制作出的ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ双异质结双极晶体管（ＤＨＢＴ），既得到...
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